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 セラミックC1103のバリエーション。 | |
| メディアタイプ | 8μm p -MOS DRAM |
|---|---|
| 容量 | 1キロビット |
| 標準 | 18ピンDIP |
| 開発 者 | インテル |
| 使用法 | HP 9800シリーズ、[1] PDP-11、[2] MAXC [3]など |
| リリース | 1970年10月[4] |
| 製造中止 | 1979年[5] |
1103は、インテルが開発・製造したダイナミック ランダム アクセス メモリ(DRAM)集積回路(IC)です。1970 年 10 月に発表された 1103 は、市販された最初の DRAM IC でした。磁気コア メモリに比べて物理的サイズが小さく、価格が安いため、多くのアプリケーションで磁気コア メモリに取って代わりました。 [6] [1] 1970 年に発表された当初は生産歩留まりが悪く、1971 年に 5 回目の生産マスクの段階でようやく大量に供給されました。インテルは 1974 年 6 月に 250,000 個目の 1103 RAM を出荷しました。[7]
発達
1969年、ハネウェル社のウィリアム・レギッツと彼の同僚は3トランジスタのダイナミックメモリセルを発明し、半導体業界に製造業者を探し始めました。設立されたばかりのインテル社がこれに応え、ジョエル・カープの指揮の下、ウィリアム・レギッツと緊密に協力して、1102と1103という2つの非常によく似た1024ビットチップを開発しました。[8] 最終的に生産されたのは1103だけでした。
マイクロシステムズ・インターナショナルは1971年に1103の最初のセカンドソースとなった。[9]その後、ナショナル・セミコンダクター、シグネティクス、シナーテックも1103を製造した。
技術的な詳細
参考文献
- ^ ab Mary Bellis (2016年8月25日). 「Intel 1103 DRAMチップを発明したのは誰か」. ThoughtCo .
- ^ PDP-11/45、11/50、および 11/55 システム保守マニュアル(PDF)。Digital Equipment Corporation。1976 年 9 月。
- ^ Fiala, Edward R. (1978 年 5 月). 「The Maxc Systems」(PDF) . GitHub . IEEE Computer Society . 2022 年10 月 12 日閲覧.
信頼性に最も大きく貢献したのは、メインメモリのエラー訂正です。運用開始から最初の 6 か月間は、1 か月あたり約 12 個の故障した 1Kx1 MOS RAM (18,432 個のチップのうち) を交換しました。この数は、過去 3 年間で徐々に減少し、1 か月あたり約 3 個の故障となっています。ただし、エラー訂正により、これらの故障のごくわずかな数がクラッシュの原因となっています。
- ^ 「Intel の定義: 25 年間/25 の出来事」(PDF)。Intel Corporation。6ページ。
- ^ Intel Corporation、「1103 が引退！」、Intel Preview、1979 年 3 月/4 月、23 ページ
- ^ Jacob, Bruce et al. (2008).メモリシステム: キャッシュ、DRAM、ディスク。Morgan Kaufmann Publishers。pp. 457–458。
- ^ 1103のマイルストーン
- ^ コンピュータ歴史博物館: 「ジョエル・カープの口述歴史」 ガードナー・ヘンドリーによるインタビュー 2003 年 3 月 3 日 | カリフォルニア州アサートン
- ^ テドロウ、リチャード・S. (2006)。アンディ・グローブ：アメリカ人の生涯と時代。ポートフォリオ。pp. 141–142。ISBN 9781591841395。
- ^ Lojek, Bo (2007). 半導体工学の歴史. Springer Science & Business Media . pp. 362–363. ISBN 9783540342588i1103 は、
最小 8 μm の 6 マスク シリコン ゲート P-MOS プロセスで製造されました。この製品は、メモリ セル サイズが 2,400 μm 2、ダイ サイズが 10 mm 2弱で、約 21 ドルで販売されました。