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ナイ・プアン・オン | |
|---|---|
| 生まれる | 1948年10月10日 |
| 母校 | コロンビア大学（BA） 、カリフォルニア大学バークレー校（PhD） |
| 科学者としてのキャリア | |
| フィールド | 実験物理学 |
| 機関 | 南カリフォルニア大学 プリンストン大学 |
| 博士課程の学生 | ハロルド・Y・ファン |
ナイ・プアン・オン（1948年9月10日、マレーシアのペナン生まれ）は、アメリカの実験物理学者であり、「トポロジカル絶縁体、ディラック/ワイル半金属、超伝導体、量子スピン液体に焦点を当てた凝縮物質物理学」を専門としている。[1]
バイオグラフィー
ナイ・プアン・オンは1948年9月10日、マレーシアのペナンで中国系の両親のもとに生まれた。 [2]両親とは中国語の方言を話し、7人の兄弟とは英語を話して育った。[2]若い頃は、キリスト教兄弟会が運営するセント・ザビエル・インスティテュートに通い、授業は英語で受けた。[2]姉の図書館の本がきっかけで科学に興味を持ち、10歳の頃から自分で図書館に通い、科学や飛行機に関する本を読み、飛行機がどのように飛ぶのかを知ることに夢中になった。おもちゃの飛行機を作り、ジェットエンジンのタービンブレードやピストンの図面を模写し始めた。[2]
オン氏は1967年に家族とともに米国に移住した。コロンビア大学で最も古い学部であるコロンビア・カレッジ[ 3]に奨学金を得て入学し、1971年に物理学の学士号を取得して卒業した。その後、カリフォルニア大学バークレー校でアラン・ポーティスの指導の下、1976年に博士号を取得した[4] 。南カリフォルニア大学では、1976年から1982年まで助教授、1982年から1984年まで准教授、1985年に教授を務めた。 1985年には、プリンストン大学にアジア人として初の教授として加わった[2] 。2003年には、ユージン・ヒギンズ物理学教授に任命され[5] 、現在もその職に就いている。2012年1月から2014年2月まで、サイエンス誌の編集委員を務めた。
彼は、ハロルド・Y・ファンを含む多くの博士課程の学生や、キャサリン・モラーを含む多くのポスドクの指導教官を務めてきた。[6]
1982年にオンはデリシア・ライ（1960年生まれ）と結婚した。
研究
1970年代から1980年代にかけて、オングは電荷密度波に関する重要な研究を行った。[7] [8]高温超伝導の発見後、オングは銅酸化物半導体の輸送現象の研究を行った。[9] [10]近年、オングはディラック半金属とワイル半金属、熱ホール効果、トポロジカル超伝導体に関する研究を行っている。[11]
2000 年、オングのグループは銅酸化物対凝縮体がT Cより高い温度まで存続することを発見した。T Cでの超伝導の喪失はギャップの閉鎖ではなく位相剛性の崩壊によって生じる。しかし、その存在は大きなネルンスト効果と大きな軌道反磁性によって裏付けられている。トポロジカル物質では、オングはボブ・カヴァとともに、傾斜磁場での量子振動を測定することでトポロジカル絶縁体 Bi 2 Te 3の表面ディラック状態を検出した (2010 年)。2014 年、オングとカヴァはディラック半金属 Na 3 Bi と GdPtBi で予測された「カイラル異常」の証拠を得た。いくつかのフラストレートした量子磁石では、オングのグループはスピン励起が厳密に電荷中性であるにもかかわらず大きな熱ホール電流を生成することを発見した。[1]
受賞と栄誉
- 1982–1984 — アルフレッド・P・スローン研究フェローシップ
- 1989年 -アメリカ物理学会フェローに選出、「低次元システムの輸送特性、特に滑り電荷密度波の現象に関する研究」に対して[12]
- 2006年 - H.カメルリング・オンネス賞（高木秀典、内田慎一と共同受賞）「高温超伝導銅酸化物の金属状態の非従来的な性質を明らかにした先駆的かつ画期的な輸送実験」[13]
- 2006年アメリカ芸術科学アカデミー会員に選出[14]
- 2010年 — ハイファ工科大学レウィナー理論物理学研究所特別講演シリーズ講師（銅酸化物とトポロジカル絶縁体に関する3回の講演）、2010年4月28日〜5月4日[15]
- 2010年 -アメリカ科学振興協会フェローに選出
- 2012年 米国科学アカデミー会員に選出[16]
- 2014年 —ゴードン・アンド・ベティ・ムーア財団より量子材料実験研究者賞受賞
- 2014～2018年 - トーマス・ロイター高被引用研究者リストに掲載
特許
- 1991年 - Zhao Z. Wangと共同で、米国特許第4,996.186号「YBa2Cu3O7結晶を製造するためのフラックス法」
- 2016 年 — Ali Yazdani および Robert J. Cava と共著: 米国特許第 9331020 号: 「トポロジカル表面状態を備えた電子相互接続およびデバイス、ならびにその製造方法」
主な出版物
- ラビン・バットとの共著：More is Different: Fifty Years of Condensed Matter Physics、プリンストン大学出版、2001年[17]
参考文献
- ^ ab "Nai Phuan Ong".米国科学アカデミー。
- ^ abcde Physics、American Institute of (2022-04-14)。「Nai Phuan Ong」。www.aip.org 。 2022年10月8日閲覧。
- ^ 「コメントウォール」。scholar.princeton.edu . 2022年10月8日閲覧。
- ^ “Bio”. scholar.princeton.edu . 2021年5月22日閲覧。
- ^ 「ハッパー氏とオング氏が寄付教授職に任命される」プリンストン大学。
- ^ “ナイ・フアン・オン教授、教授”.物理ツリー (academictree.org)。
- ^ Monçeau, P.; Ong, NP; Portis, AM; Meerschaut, A.; Rouxel, J. (1976 年 9 月 6 日). 「NbSe3 における電荷密度波誘起異常の電界破壊」. Physical Review Letters . 37 (10). American Physical Society (APS): 602–606. Bibcode :1976PhRvL..37..602M. doi :10.1103/physrevlett.37.602. ISSN 0031-9007.
- ^ Ong, NP; Verma, G.; Maki, K. (1984-02-20). 「電荷密度波伝導ノイズの渦配列モデル」. Physical Review Letters . 52 (8): 663–666. Bibcode :1984PhRvL..52..663O. doi :10.1103/PhysRevLett.52.663.
- ^ Ong, NP; Wang, ZZ; Clayhold, J.; Tarascon, JM; Greene, LH; McKinnon, WR (1987 年 6 月 1 日). 「La2−xSrxCuO4 のホール効果: 通常状態の電子構造への影響」. Physical Review B. 35 ( 16). American Physical Society (APS): 8807–8810. Bibcode :1987PhRvB..35.8807O. doi :10.1103/physrevb.35.8807. ISSN 0163-1829. PMID 9941259.
- ^ Chien, T.; Wang, Z.; Ong, N. (1991). 「単結晶 YBa_{2}Cu_{3-x}Zn_{x}O_{7-δ} における Zn 不純物の常伝導ホール角への影響」. Physical Review Letters . 67 (15). American Physical Society (APS): 2088–2091. doi :10.1103/physrevlett.67.2088. ISSN 0031-9007. PMID 10044332.
- ^ 「Nai Phuan Ong | 物理学科」プリンストン大学。
- ^ 「APSフェローアーカイブ」。
- ^ 「カメルリング・オンネス賞」。
- ^ 「会員名簿 1780年～現在、第O章」(PDF)。アメリカ芸術科学アカデミー (amacad.org)。
- ^ 「All Distinguished Lecture Series」、Lewiner Institute for Theoretical Physics。
- ^ 「教員賞：プリンストン大学の教員4名が米国科学アカデミーに選出」プリンストン大学。
- ^ オン、ナイファン;バット、ラビン。バット、ラビン N. (2001-07-15)。多ければ多いほど違います。プリンストン大学出版局。ISBN 9780691088662。
外部リンク
- 2020 年 12 月 10 日、アメリカ物理学研究所、ニールス・ボーア図書館およびアーカイブのナイ・プアン・オン氏との口述歴史インタビュー記録