原子層エッチング

原子層エッチング( ALE ) は半導体製造における新しい技術であり、ウェーハの最上部の原子層のみに作用する自己制限的な化学修飾ステップと、化学的に修飾された領域のみを除去するエッチングステップを交互に行うことで、個々の原子層を除去することができます。標準的な例は、塩素との反応とアルゴンイオンによるエッチングを交互に行うことによるシリコンのエッチングです。

これは反応性イオンエッチングよりも制御性に優れたプロセスですが、商業利用においてはスループットに問題があり、高度なガス処理が必要であり、1秒あたり1原子層の除去速度が最先端のレベルです。^[1]

材料を堆積する同等のプロセスは原子層堆積（ALD）です。ALDはより成熟しており、2007年からIntelによって高誘電率誘電体層に使用され、フィンランドでは1985年から薄膜電界発光デバイスの製造に使用されています。 ^[2]

• ECS-JSSは原子層エッチングに焦点を当てたジャーナルです
• 半導体産業における原子層エッチングの概要