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| 一般情報 | |
|---|---|
| 発売 | 1999年 |
| デザイン： | ニイシ |
| 一般的なメーカー |
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| パフォーマンス | |
| 最大CPU クロックレート | 33MHz～125MHz |
| アーキテクチャと分類 | |
| テクノロジーノード | 0.25μm～0.5μm |
| 命令セット | ミップスI |
| 物理的仕様 | |
| コア |
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KOMDIV -32（ロシア語：КОМДИВ-32 ）は、ロシア科学アカデミーのシステム開発科学研究所（NIISI）によって開発および製造された32ビットマイクロプロセッサのファミリです。[1] [2] NIISIの製造工場はドゥブナのクルチャトフ研究所の敷地内にあります。[3] KOMDIV-32プロセッサは主に宇宙船への応用を目的としており、その多くは耐放射線性（rad-hard）を備えています。
これらのマイクロプロセッサはMIPS R3000と互換性があり、MIPS R3010互換の浮動小数点ユニットを内蔵しています。[4]
概要
詳細
1V812
- 0.5μm CMOSプロセス、3層メタル
- 108 ピン セラミッククアッド フラット パッケージ(QFP)
- 150万個のトランジスタ、8KB L1命令キャッシュ、8KB L1データキャッシュ、IDT 79R3081Eと互換性あり
1890VM1T
- 0.5μm CMOSプロセス
1890VM2T
- 0.35μm CMOSプロセス
1990VM2T
- 0.35 μmシリコンオンインシュレータ (SOI) CMOSプロセス
- 108 ピン セラミッククアッド フラット パッケージ(QFP)
- 動作温度範囲 -60～125℃
5890VM1Т
- 0.5μmシリコンオンインシュレータ (SOI) CMOSプロセス
- 108 ピン セラミッククアッド フラット パッケージ(QFP)
- キャッシュ（データと命令それぞれ8KB）
- 動作温度範囲 -60～125℃
5890VE1Т
- 0.5μm SOI CMOSプロセス
- 240ピンセラミックQFP
- 放射線耐性は200kRad以上、動作温度は-60～125℃
- PCIマスター/スレーブ、16 GPIO、3 UART、3 32 ビットタイマーを含むシステム オン チップ (SoC)
- キャッシュ（データと命令それぞれ8KB）
- MVCニジニ・ノヴゴロド社が1904VE1T（ロシア語：1904ВЕ1Т ）という名称でクロックレート40MHzでセカンドソース化した。
1900VM2T
- 開発名Rezerv-32
- 0.35μm SOI CMOSプロセス
- 108ピンセラミックQFP
- 放射線耐性は200kRad以上、動作温度は-60～125℃
- 自己修復機能を備えたブロックレベルの3重モジュール冗長性
- レジスタとキャッシュ（データと命令用にそれぞれ4KB）は、デュアルインターロックストレージセル（DICE）として実装されています。
1907VM014
- 0.25μm SOI CMOSプロセス、製造はミクロン社へ移行予定
- 256ピンセラミックQFP
- 2016年に生産開始予定（以前は1907VE1Tまたは1907VM1Tという名称で2014年に生産開始予定だった）[12]
- 200kRad以上の放射線耐性
- SpaceWire、GOST R 52070-2003（MIL-STD-1553のロシア版）、SPI、32 GPIO、2 UART、3タイマー、JTAGを含むSoC
- キャッシュ（データと命令それぞれ8KB）
1907VM038
- 開発名スケマ-10
- 0.25μm SOI CMOSプロセス、製造はミクロン社へ移行予定
- 675ピンセラミックBGA
- SpaceWire、GOST R 52070-2003 ( MIL-STD-1553 )、RapidIO、SPI、I²C、16 GPIO、2 UART、3 32 ビットタイマー、JTAG 、DSP ( 1890VM7Yaの DSP と同じコマンド セット)を含む SoC
- ECC付きDDR2 SDRAMコントローラ
- キャッシュ（データと命令それぞれ8KB）
- 動作温度範囲 -60～125℃
1907VM044
- 開発名Obrabotka-10
- 0.25 μm SOI CMOSプロセス、 Mikron社製
- 256ピンセラミックQFP
- SpaceWire、GOST R 52070-2003 ( MIL-STD-1553 )、SPI、32 GPIO、2 UART、3タイマー、JTAGを含む SoC
- 200kRad以上の放射線耐性
- プロセッサコアの3重モジュール冗長性
- レジスタとキャッシュ（データと命令それぞれ4KB）は、キャッシュ用に1バイトあたり1パリティビット、レジスタ用にハミングコードを備えたデュアルインターロックストレージセル（DICE）として実装されています。
- 外部メモリ用のSECDED
- 動作温度範囲 -60～125℃
1907VM056
- 開発名スケマ-23
- 0.25 μm SOI CMOSプロセス、 Mikron社製
- 407ピンセラミックPGA
- 8 チャンネルSpaceWire、GOST R 52070-2003 ( MIL-STD-1553 )、SPI、I²C、CAN バス、32 GPIO、2 UART、3タイマー、JTAGを含む SoC
- キャッシュ（データと命令それぞれ8KB）
1907VM066
- 開発名Obrabotka-26
- 0.25μmシリコンオンインシュレータ (SOI) CMOSプロセス。Mikron社製。
- 407ピンセラミックPGA
- 4 チャンネルSpaceWire、GOST R 52070-2003 ( MIL-STD-1553 )、SPI、I²C、RapidIO、GPIO、2 UART、3タイマー、JTAG、PCI、画像処理用コプロセッサを含む SoC
- キャッシュ（データと命令それぞれ8KB）
1907VK016
- 開発名Obrabotka-29
- 0.25μmシリコンオンインシュレータ (SOI) CMOSプロセス。Mikron社製。
- PGA
- 4 チャネルSpaceWire、GOST R 52070-2003 ( MIL-STD-1553 )、SPI、32 GPIO、2 UART、3タイマー、128 KB SRAMを含む SoC
- プロセッサコアの3重モジュール冗長性
参照
- KOMDIV-64、NIISI が開発した 64 ビット MIPS プロセッサ
- NASA向けに開発された宇宙船アプリケーション用の 32 ビット MIPS プロセッサ、Mongoose-V
- ソビエト集積回路の名称
参考文献
- ^ "Отделение разработки вычислительных систем" [コンピュータ システム開発部門] (ロシア語)。モスクワ: NIISI 。2016 年9 月 9 日に取得。
- ^ 「ロシア初のMIPS互換マイクロプロセッサ」。2007年12月22日。 2016年9月6日閲覧。
- ^ Шунков、Валерий (2014 年 3 月 28 日)。 「Российская микроэлектроника для космоса: кто и что производит」 [宇宙用途のロシアのマイクロエレクトロニクス: 誰が何を製造しているか] (ロシア語)。オタクタイム。2017 年4 月 8 日に取得。
- ^ abcdefghijklm "Разработка СБИС - Развитие микропроцессоров с архитектурой КОМДИВ" [VLSI 開発 - KOMDIV アーキテクチャを使用したマイクロプロセッサの開発] (ロシア語)。モスクワ: NIISI 。2016 年9 月 6 日に取得。
- ^ "ОДНОКРИСТАЛЬНЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР С АРХИТЕКТУРОЙ MIPS 1B812" [MIPS アーキテクチャ 1V812 のシングルチップ マイクロプロセッサ] （ロシア語で）。モスクワ: NIISI。 2006 年 7 月 21 日のオリジナルからアーカイブ。2016 年9 月 7 日に取得。
- ^ abcdefghijkl "Изделия отечественного производства" [国産品] (ロシア語)。モスクワ：AO「ENPO SPELS」。2016 年9 月 1 日に取得。
- ^ abcdef "Микросхемы вычислительных средств, включая микропроцессоры, микроЭВМ, цифровые процессоры обработки сигналов и контроллеры" [マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、デジタル信号プロセッサ、コントローラなどのコンピューティング デバイス用の集積回路] (ロシア語)。プロメレクトロニカVPK。 2017 年 3 月 28 日のオリジナルからアーカイブ。2017 年10 月 25 日に取得。
- ^ abcdefghij "Перспективные ЭВМ семейства БАГЕТ" [BAGET ファミリの将来のコンピュータ] (PDF) (ロシア語)。モスクワ: AO KB「コルンド-M」。 2017年。2021 年4 月 1 日に取得。
- ^ "1890ВМ2Т" [1890VM2T] (PDF) (ロシア語). モスクワ: NIISI . 2016年9月9日閲覧。
- ^ ab Костарев、Иван Николаевич (2017 年 1 月 28 日)。 「Методика обеспечения сбоеустойчивости ПЛИС для ракетно-космического применения」[ロケットおよび宇宙アプリケーションにおける FPGA のフェールセーフ動作を保証する方法] (ロシア語)。モスクワ: モスクワ電子数学大学。 2017 年 3 月 28 日のオリジナルからアーカイブ。2020 年2 月 11 日に取得。
- ^ abc オシペンコ、パベル・ニコラエヴィッチ (2011 年 10 月 12 日)。 「Аспекты радиационной стойкости интегральных микросхем」 [集積回路の放射線耐性の側面] (PDF) (ロシア語)。モスクワ: NIISI。2012 年 4 月 25 日のオリジナル(PDF)からアーカイブ。2016 年9 月 7 日に取得。
- ^ abc オシペンコ、パベル・ニコラエヴィッチ (2012 年 5 月 25 日)。 「ИЗДЕЛИЯ НАУЧНО-ИССЛЕДОААТЕЛЬСКОГО ИНСТИТУТА СИСТЕМНЫХ」 「システム科学研究所の電子部品」宇宙応用のための分析 RAS] (PDF)。小型衛星での科学実験: 装置、データ収集と制御、電子部品(ロシア語)。タルサ。 pp. 139–148. ISSN 2075-6836 . 2016年9月7日閲覧。
- ^ "Микропроцессоры и микроконтроллеры" [マイクロプロセッサとマイクロコントローラー] (ロシア語)。ニジニ・ノヴゴロド：MVC。 2014. 2017 年 3 月 10 日のオリジナルからアーカイブ。2018 年3 月 29 日に取得。
- ^ abcde Serdin, OV (2017). 「宇宙での新しい非常に有益な実験のための特別な放射線耐性プロセッサ」. Journal of Physics: Conference Series . 798 (1): 012010. Bibcode :2017JPhCS.798a2010S. doi : 10.1088/1742-6596/798/1/012010 .
- ^ abcde Serdin, OV (2016年10月13日). 「宇宙での新しい非常に有益な実験のための特別な放射線耐性プロセッサ」(PDF) 。 2017年4月5日閲覧。
- ^ "Микросхема 1907ВМ038" [集積回路 1907VM038] (PDF) (ロシア語)。モスクワ: NIISI 。2017 年3 月 28 日に取得。
- ^ "Микросхема 1907ВМ044" [集積回路 1907VM044] (PDF) (ロシア語)。モスクワ: NIISI 。2017 年4 月 3 日に取得。