セレン化インジウム(II)

インジウム(II)セレン化物（InSe）は、インジウムとセレンからなる無機化合物です。III-VI層状半導体です。固体は、ファンデルワールス力のみで結合した2次元層からなる構造を持っています。各層には、Se-In-In-Seの順序で原子が存在します。^[2]

潜在的な用途としては、電界効果トランジスタ、オプトエレクトロニクス、太陽光発電、非線形光学、ひずみゲージ、^[2]およびメタノール ガスセンサー^[3]などがある。

セレン化インジウム(II)は、さまざまな方法で形成できます。バルク固体を作る方法としては、ブリッジマン/ストックバーガー法があります。この方法では、インジウムとセレンの元素を密閉カプセル内で900℃以上に加熱し、その後約1か月かけてゆっくりと冷却します。^{[4]別の方法としては、}硫酸インジウム(I)と二酸化セレンの水溶液から電気めっきする方法があります。^[5]

3つの多面体または結晶形態があります。β、εは六角形で、単位格子は2層にまたがっています。γは菱面体結晶系で、単位格子は4層で構成されています。^[2]

β-インジウム(II)セレン化物は粘着テープを使用して2次元シートに剥離することができます。真空中では滑らかな層を形成します。しかし、空気にさらされると、空気分子の化学吸着により層が波状になります。^[6]剥離はイソプロパノール液中でも起こります。 ^[7]

インジウム（II）セレン化物は、他の多くの半導体とは異なり、酸素と水蒸気の周囲条件下で安定しています。^[2]

セレン化インジウム(II)の特性は、元素の正確な比率を1:1から変更して空孔を作成することで変えることができます。正確な等価性を得ることは困難です。特性は遷移元素のドーピングによって補正できます。低濃度で含めることができる他の元素には、ホウ素^[8]、 銀[ ^9]、カドミウム^[10]があります。