イゴール・グレホフ

イゴール・グレホフ
ロシア科学アカデミー正会員（2017年）
生まれる	( 1934-09-10 )1934年9月10日（享年90歳） スモレンスク、ソ連
市民権	ロシア
教育	バウマンMSTU
知られている	パワー半導体デバイスの物理学と工学への貢献
受賞歴	レーニン賞（1966年） ソ連国家賞（1987年） ロシア国家賞（2002年）
科学者としてのキャリア
フィールド	パワーエレクトロニクス
機関	ヨッフェ研究所
博士課程の指導教員	ウラジミール・トゥチケヴィッチ [ru]

外観イメージ
イゴール・グレホフ（写真）

イーゴリ・フセヴォロドヴィチ・グレホフ（ロシア語：イゴール・ヴセヴォロドヴィチ・グレホフ、1934年9月10日スモレンスク生まれ）は、ソビエト連邦およびロシアの物理学者、電気技術者であり、ロシア科学アカデミー正会員である。^[1]ソ連のパワー半導体デバイス産業の創始者の一人として知られている。パルスパワーデバイスとコンバータ技術の分野への貢献が認められ、レーニン賞、2つの国家賞、およびロシアのいくつかの国家勲章を受賞した。サンクトペテルブルクのヨッフェ物理技術研究所で数十年にわたり研究室を率いた。

グレホフはスモレンスクの教師の家庭に生まれたが、幼少期はクリミア半島のシンフェロポリ市で過ごした。^[2]

グレホフは中等学校卒業後、バウマン・モスクワ国立工科大学で電気工学を学び、その後数年間（1958年から1962年）産業界で働き、サランスク（ソ連、モルドバ）の「エレクトロヴィプリャミテル」工場で研究技師および研究所長として働きました。

1962年、グレホフはレニングラードのヨッフェ研究所に入所し、以来半世紀以上にわたり同研究所の職員として、ジュニア、一般、シニア科学者、グループ長、研究部門長を歴任した。1967年と1974年には、半導体物理学でそれぞれ博士号とドクター・ナウクの学位を取得した。 ^[3] 1982年から2019年まで、グレホフはパワーエレクトロニクス研究所の所長を務めた。2004年から2014年までは、同研究所の固体エレクトロニクス部門の責任者も務めた。研究活動と並行して、サンクトペテルブルク工科大学の教授として半導体デバイスの講座を担当した（1984年から1994年）。

1991年にグレホフはソ連科学アカデミーの準会員に選出され、2008年にはロシア科学アカデミーの 正会員に昇格した。

グレホフの研究は常に固体デバイスの物理学に集中しており、特にパワーエレクトロニクスへの応用に重点が置かれていました。彼の関心は、背景理論研究から試作品の製造、さらにはコンバータを含むパワーデバイスの量産調整まで、あらゆる段階に及びました。1960年代と1970年代の彼の先駆的な貢献は、半導体産業に技術的な躍進をもたらし、ソ連でパワー半導体デバイスエンジニアリングという新しい分野を生み出しました。

最も重要な結果は以下の通りである: ^[4]

• YAG:Nd レーザーパルスによる励起下でのシリコンベースのサイリスタ構造の均一スイッチング効果の観察、この効果を利用した高速高出力スイッチ(10 kV、30 kA、20 ns パルス立ち上がり時間) の作成。
• 急峻な電圧パルスによって引き起こされる高電圧 pn 接合における衝撃イオン化フロントの発見。この現象は、パルス立ち上がり時間が 100 ps 未満のアバランシェ ダイオード シャープナーや高速イオン化ダイニスタなどの超高速スイッチで使用されます。
• 数メガワットから数百メガワットのパルス電力範囲で動作可能なドリフトステップリカバリダイオード（DSRD）と呼ばれる新しいタイプのオープニングスイッチと、数十マイクロ秒以内にメガアンペア範囲の電流の整流を可能にする逆スイッチオンダイニスタ（RSD）の発明（1982〜1983年）。RSDを採用した最も強力な半導体スイッチは現在、ロシア連邦原子力センターで使用されています。
• シリコンデバイスにおけるトンネル効果によるイオン化フロントの形成による新しい物理的効果の予測。このフロントは、極めて高速な (~20 ps) デバイススイッチングの原因であることが示されました。
• IGBTと競合する新しいデバイスの技術的アイデア-外部電界効果制御を備えた統合サイリスタ。このデバイスは IGBT と同様の特性を示しますが、製造に IGBT ほど高度な技術設備は必要ありません。
• パワーエレクトロニクス用のシリコンカーバイド(SiC) デバイス、特に SiC ベースのオープニングスイッチの作成。

グレホフ研究室の研究には、MIS構造におけるトンネル現象、強誘電体メモリ、多孔質シリコン、超伝導セラミックスなど、半導体デバイス物理学の他のいくつかの問題も含まれます。

• IV Grekhov、「半導体のイオン化フロントによるナノ秒およびサブナノ秒範囲のパルス電力生成：最新技術と将来の展望」、IEEE Transactions on Plasma Science、38:5 (2010)、1118–1123。
• IV Grekhov、「パワー半導体エレクトロニクスとパルステクノロジー」、ロシア科学アカデミー紀要、78:1 (2008)、22–30。
• IV Grekhov、GA Mesyats、「パルス電力スイッチング用ナノ秒半導体ダイオード」、Physics-Uspekhi、48:7 (2005)、703–712。
• P. Rodin、U. Ebert、W. Hundsdorfer、I. Grekhov、「半導体におけるトンネル効果による衝撃イオン化前面」、Journal of Applied Physics、92:2 (2002)、958–964。
• IV Grekhov, 半導体デバイスによる高電力スイッチングの新原理、Solid-State Electronics、32:11 (1989)、923–930。

グレホフ氏は合計で 4 冊の本、約 200 件の特許、600 件を超える科学論文を共同執筆しています。