テルル化ガリウム(II)

テルル化ガリウム(II)

名前
その他の名前 テルル化ガリウム
識別子
CAS番号	12024-14-5 はい
3Dモデル（JSmol）	インタラクティブ画像
ケムスパイダー	28468137
ECHA 情報カード	100.031.524
EC番号	234-690-1
パブケム CID	14496722
CompTox ダッシュボード ( EPA )	DTXSID701014201
InChI InChI=1S/Ga.Te キー: OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N
笑顔 [て]=[が][が]=[て]
プロパティ
化学式	ゲート
モル質量	197.32 グラム/モル
外観	黒のピース
密度	5.44 g/cm 3、固体
融点	824 °C (1,515 °F; 1,097 K)
構造
結晶構造	六角形、hP8
空間群	P6 3 /mmc、No.194
危険
NFPA 704 (ファイアダイヤモンド)	4 0 0
関連化合物
その他の陰イオン	酸化ガリウム(II)、硫化ガリウム(II)、一セレン化ガリウム
その他の陽イオン	テルル化亜鉛(II)、テルル化ゲルマニウム(II)、テルル化インジウム(II)
関連化合物	ガリウム(III)テルル化物
特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。 はい 確認する （何ですか  ？） はいいいえ インフォボックス参照

ガリウム(II)テルル化物（GaTe）は、ガリウムとテルルの化合物である。GaTeや関連化合物が電子産業に応用される可能性があるため、その構造と電子特性に関する研究が行われている。ガリウムテルル化物は、元素を反応させるか、有機金属気相成長法（ MOCVD）によって製造することができる。 ^[1]

これらの元素から生成される GaTe は単斜晶系の結晶構造をとる。各ガリウム原子は 3 つのテルル原子と 1 つのガリウム原子によって四面体配位されている。Ga _{2単位におけるガリウム-ガリウム結合長は 2.43 オングストロームである。この構造は層からなり、Ga 2} ⁴⁺ 2Te ²⁻と表される。^[2]層内の結合はイオン共有結合であり、層間は主にファンデルワールス結合である。GaTe は層状半導体に分類される（同様の構造を持つ GaSe やInSeと同様）。これは室温で 1.65 eV のエネルギーを持つ直接バンドギャップ半導体である。^{[3]六方晶系は、低圧有機金属気相成長法（} MOCVD）によってアルキルガリウムテルル化キュバン型クラスター、例えば (t-ブチルGa( μ ₃ -Te)) ₄から 生成できる。コアは8つの原子、4つのガリウム原子、4つのテルル原子からなる立方体です。各ガリウムにはt-ブチル基と3つのテルル原子が隣接しており、各テルルには3つのガリウム原子が隣接しています。六方晶系は単斜晶系と密接に関連しており、Ga ₂ ⁴⁺ユニットを含み、500℃でアニールすると単斜晶系に変換されます。^[1]

グリーンウッド、ノーマン N. ; アーンショウ、アラン (1997)。元素の化学(第 2 版)。バターワース-ハイネマン。ISBN 978-0-08-037941-8。