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深準位トラップまたは深準位欠陥は、半導体における一般的に望ましくないタイプの電子欠陥です。これらは、電子または正孔をトラップから価電子帯または伝導帯に除去するために必要なエネルギーが、特性熱エネルギーkTよりもはるかに大きいという意味で「深い」です。ここで、kはボルツマン定数、Tは温度です。[ 1 ]深準位トラップは、支配的な電荷キャリアの種類を補償し、より優勢な自由電子または正孔のいずれかを消滅させることで、より有用なタイプのドーピングを妨害します。また、バンドギャップ内に中間状態を提供することで、トランジスタ、発光ダイオード、その他の電子デバイスおよび光電子デバイスの動作を直接妨害します。深準位トラップは、電荷キャリアの非放射寿命を短縮し、ショックレー・リード・ホール (SRH) プロセスを通じて少数キャリアの再結合を促進し、半導体デバイスの性能に悪影響を及ぼします。したがって、深い準位のトラップは、効率の低下や応答の遅延につながる可能性があるため、多くの光電子デバイスでは好ましくないと考えられている。
シリコンに深層欠陥を生じさせる一般的な化学元素には、鉄、ニッケル、銅、金、銀などがある。一般的に、遷移金属はこの効果をもたらすが、アルミニウムなどの軽金属はそうではない。