デビッド・コケイン

デビッド・コケイン
生まれる	デビッド・ジョン・ヒュー・コケイン ( 1942-03-19 )1942年3月19日 バルハム
死亡	2010年12月22日(2010-12-22)（68歳） オックスフォード
休憩所	オックスフォード
母校	メルボルン大学（修士） オックスフォード大学（DPhil）
知られている	量子ドットに関する研究[1] 弱ビーム技術[2] [3] C70フラーレンに関する研究[4]
配偶者	ジーン・カー
子供たち	ソフィー、タムシン、ジェームズ
受賞歴	リストを見る
科学者としてのキャリア
フィールド	材料科学
論文	結晶格子の欠陥の電子顕微鏡画像 （1970年）

デイヴィッド・ジョン・ヒュー・コックイン FRS ^[5] FInstP（1942年3月19日 - 2010年12月22日）は、オックスフォード大学材料学科の材料物理検査教授であり、 2000年から2009年までリネカー・カレッジの教授フェローであった^{。 [6] [7]彼は2003年から2007年まで}国際顕微鏡学会連盟の会長を務め、その後2007年から2010年まで副会長を務めた。 ^[5]

コケインは電子顕微鏡学者であり、弱ビーム透過型電子顕微鏡（TEM）の開発と、高解像度TEMのダイヤモンド、フラーレン、半導体への応用に重要な役割を果たした。^{[8] [9] [10]}

コケインはロンドンのバルハムで、警察官で後に管理職となったジョン・ヘンリー・コケインとその妻アイビー（旧姓ハットン）の3人兄弟の2番目として生まれた。^[11] 1950年、彼が8歳のとき、家族はオトラント号に乗ってティルベリーからメルボルンへ出航した。^{[12]彼らの新しい家はビクトリア州の}ジーロング地区となった。1952年に彼らはジーロングに新築の家へ引っ越し、コケインは新しい学校に通い、1953年にジーロング・グラマー・スクールへの奨学金を授与され、そこで化学、物理、数学で優秀な成績を収めた。

1961年、コックインは物理学を学ぶためにメルボルン大学に入学し、1964年に一級優等で卒業した。その後、電子回折の研究で修士号を取得し、1966年に再び一級優等で卒業した。^{[13]その後、}オックスフォード大学マグダレン・カレッジで博士号取得のために英連邦奨学金を授与された。

デイビッドは1966年9月にオックスフォード大学の冶金学科に入学し、MJウェラン博士の指導の下、結晶格子の欠陥の電子顕微鏡画像に関する研究を行った。彼は1970年に博士号を取得した。^[14]

1974年6月、コックインは32歳でシドニー大学電子顕微鏡ユニット（EMU）の所長に就任した。准教授も務めた。1986年に教授に昇進し、1992年には物理学（電子顕微鏡法および微量分析）の教授に就任した。コックインはシドニーに重要な研究基盤を築き、デビッド・マッケンジーとともに電子顕微鏡内での高精度電子回折法を開発し、非晶質材料の構造を研究した。^[15]

コックレインは2000年にオックスフォードに戻り、材料学科の材料物理検査の教授に就任した。また、リネカー・カレッジの教授フェローにもなった。材料学科で彼は「傑出した電子顕微鏡グループを築き上げ」、シドニーで開始された半導体合金中のナノメートルサイズの結晶（量子ドット）の特性に関する研究を継続した。^[15]

「コックレインは、人を鼓舞する講師であり指導者でした。研究、教育、大学運営に深い関心を寄せ、そのすべてに等しく明晰さと献身をもたらしました。」 […] 彼の興味は「演劇、音楽、文学、写真、旅行、そしてブッシュウォーキング」でした。^[11] メルボルン大学トリニティ・カレッジの学部生だったとき、コックレインの1年後に入学し、フランス語と英語の優等学位を学んでいたジーン・カーと出会った。彼女は隣の寮に住んでいて、2人は1962年の初めに知り合い、1964年に親友になりました。^[5] 1966年9月にオックスフォードへ出発する少し前に、彼はジーンにプロポーズし、婚約を発表しました。彼女は1967年1月にイギリスへ渡り、2人は1967年7月28日にオックスフォードシャーのシルトンで結婚しました。夫婦には3人の子供がいました。ソフィーは1973年にオックスフォードで生まれましたそして1977年にシドニーでジェームズ。

デイヴィッド・コケインは2010年12月22日に肺癌で亡くなった。2011年1月5日にオックスフォードの聖マリア大学教会で葬儀が行われ、その後火葬された。彼は「自分の葬儀で何が語られるかを知る喜び」を自分に与えるために、自ら弔辞を書いた。^[11]

コケインが1999年に王立協会会員（FRS）に 選出された際^[5]、選出証明書には次のように記されていました。

電子顕微鏡法の開発と材料科学への応用に対する貢献で有名。彼はレイとともに「弱いビーム」法の理論と実験手順を開発し、複雑な格子欠陥形状を研究できる解像度である 1.5nm まで桁違いに改善した。この技術は欠陥の構造と特性の理解に重要な進歩をもたらし、現在では日常的なツールとなっている。この分野におけるコケイン氏の論文は傑作である。彼はこの技術をとりわけ積層欠陥エネルギーの正確な値を測定するのに応用し、半導体内の転位が静止しているか滑走しているかにかかわらず解離していることを初めて明確に実証し、歪んだ層超格子内の不整合転位の構造と位置を解明した。彼は格子縞の解釈に重要な貢献をした。グリグソンの以前の研究に続いて、マッケンジーとともに、弾性散乱電子のみを収集して非晶質物質の小さな領域から動径分布関数を決定する強力な電子回折技術を開発し、この方法を0.01Åの精度で最近傍距離を与える精密ツールに変えました。応用例には、四面体配位炭素の非晶質形態の存在の実証、およびC60とC70のモデルの改良が含まれます。コックインの研究は、彼の深い物理的洞察と、この洞察を強力で広く適用可能な技術の開発に応用する能力において注目に値します。^[3]