| 会社種別 | 非営利研究機関 |
|---|---|
| 設立 | 1967年10月10日 |
| 本部 | 、 |
主要人物 |
|
| 親 | CEAテック ( CEA ) |
| Webサイト | 詳しくはこちら |
CEA-Leti(フランス語:Laboratoire d'électronique des technologies de l'information)は、フランスのグルノーブルに拠点を置く電子情報技術の研究機関です。マイクロエレクトロニクスとナノテクノロジーの応用研究を行う世界最大規模の組織の一つです。フランス代替エネルギー・原子力委員会(CEA) のCEAグルノーブルセンター内にあります。
概要
フランスの原子力および再生可能エネルギー委員会である原子力代替エネルギー委員会( CEA )の子会社であるLeti は、フランスアルプスの大学都市で、現在では国際的に認められた科学の中心地となっているグルノーブルに 1967 年に設立されました。現在、CEA-Leti は年間 286 件を超える特許を取得しており、3,100 件を超える特許取得済みの発明のポートフォリオを扱っています。
この研究所は 1,900 名の職員を雇用し、162 名以上の大学院生 (38% が外国人)、36 名の博士研究員を教育し、研究パートナーや産業界のパートナーから 200 名の協力者を受け入れています。200 mm および 300 mm の製造ライン、11,000 m 2のクリーンルームスペース、第一級のナノスケール特性評価、化学および生物学、フォトニクス、設計、上流研究機能を提供する実験室および機器など、マイクロおよびナノテクノロジー研究のための広範な施設を備えています。
子会社
CEA-Letiには以下の子会社がある: [1] [2]
- DACLE: アーキテクチャ、デザイン、および組み込みソフトウェア部門 ( Département d'Architectures、Conception et Logiciels Embarqués )
- DCOS: シリコンコンポーネント部門 ( Département Composants Silicium )
- DOPT: 光学およびフォトニクス部門 ( Département Optique et Photonique ; Département d'OPTronique )
- DSYS: システムおよびソリューション統合部門 ( Département Systèmes )
- DTBS: 生物学および健康のためのマイクロテクノロジー部門 ( Département microTechnologies pour la Biologie et la Santé )
- DTSI: シリコン技術部門 ( Département des Technologies SIlicium )
- DPFT (2019–):プレートフォーム技術部門[3] [4]
ミッション
CEA-Leti の使命は、世界中の人々の生活の質を向上させることができる新しい技術を生み出し、それを産業界に移転することです。Leti は、企業が基礎研究と製造の間のギャップを埋めるのを支援し、新しいスピンオフ企業を創設し、広範なノウハウを活用して産業界のパートナーが優れた成果を上げるのを支援することで、この使命を果たしています。Leti は、すべての活動において、有用性と製造可能性に重点を置いています。
マイルストーン
- 1967年: 当初はフランス原子力委員会 (CEA)の電子機器のニーズを満たすために設立されたLeti は、業界とのパートナーシップを促進するために再編されました。
- 1972年: EFCIS がスピンオフしてSTMicroelectronicsとなる。
- 1980 年代: Leti はいくつかの新しい建物とクリーンルームを開設し、赤外線技術と磁気測定の分野でその名を知られるようになりました。また、加速度計、SOI 圧力センサー、重量センサー、湿度センサーなどのマイクロ電気機械システム ( MEMS )の開発も開始しました。Leti は、Comb Capacitive Lateral MEMS 加速度計の特許も取得しました。
- 1985年:フランソワ・ミッテラン大統領が1月23日に2,000平方メートルのクリーンルームを備えた建物を開設。
- 1991: Leti は、フランスの国立電気通信研究センターであるCenter National d'études des télécommunicationsと提携して、グルノーブル サブミクロン シリコン イニシアチブ (GRESSI) を設立しました。
- 1992年: Leti はSoitec を独立させ、シリコン・オン・インシュレータやその他の半導体基板技術を商品化しました。
- 1997 年: Leti は顧客固有の MEMS 製造技術を商品化するために Tronics Microsystems を独立させました。
- 2001年: LetiとMotorolaが高アスペクト比SOI MEMSの開発で協力を開始。
- 2002年: 最初のシリコン 200 mm ジャイロメーター MEMS が開発され、200 mm ウェーハに転送されました。
- 2003年:Si加速度計工程移管。
- 2006年: Leti は地方自治体、州政府、グルノーブル工科大学 (INPG) と連携して、マイクロテクノロジーとナノテクノロジーに重点を置いた官民パートナーシップを促進することを目的としたグルノーブルを拠点とする研究開発キャンパス、Minatec を設立しました。
- 2008年:Caltechとの提携(NanoVLSI Alliance)。
- 2009年: IBM More Moore CMOSアライアンス。
- 2011年: 最初の3D 300mmフル機能3&Dライン。
- 2015 年: Leti が 300mm SOI ウェーハ上で MEMS をデモ。
主な活動分野と応用
- マイクロエレクトロニクスのためのマイクロおよびナノテクノロジー
- 生物学とヘルスケアのためのマイクロテクノロジーとナノテクノロジー
- マイクロシステムの開発と統合
- 医療とセキュリティのための画像技術
- ワイヤレスおよびスマートデバイス
- 宇宙と科学
- エネルギー、輸送、環境
CEA-Leti のテクノロジーは、航空宇宙、自動車、通信、医療、住宅、情報技術など、幅広い産業分野のパートナーにイノベーションと競争上の優位性をもたらします。
パートナーシップ
CEA-Letiの研究者は、世界中の産業界のパートナーと緊密に協力し、戦略的パートナーシップを結んで新技術の開発と商業化を加速させています。Letiは、次のような数多くの共同研究イニシアチブにも取り組んでいます。[5]
- インテル、300mmウェーハ上の2D TMDトランジスタのスケーリングについて[6] [7] [8]
- グローバルファウンドリ
- アプライドマテリアルズ
- IBMの半導体共同開発アライアンス[9]
- ナノシステム VLSI 連合 (カリフォルニア工科大学と共同)
- マイクロマシンセンター(経済産業省と共同)
- CEA-Leti およびNokia研究センター
- 想像してください、マスクレスリソグラフィー
CEA-Leti のヨーロッパパートナーシップは、主要な技術分野におけるヨーロッパの競争力を強化し、新しい技術を開発することを目的としています。例には以下が含まれます。
- 異種技術連合(4つの欧州研究機関を結び付ける)
- PHotonics ELectronics CMOS 機能統合 (HELIOS)
- WADIMOS、 CMOS上のフォトニック相互接続層の実証
- EARTH、モバイルブロードバンドシステムのエネルギー効率
スピンオフ
CEA-Letiは設立当初から、新会社の設立を支援する野心的なスピンオフプログラムを通じて民間産業への技術移転を奨励してきました。これまでに68の企業がCEA-Letiのスピンオフとして設立され、2,500人以上の雇用が創出されました。スピンオフには次のようなものがあります。
- Soitec は、フランスのベルナンに拠点を置き、シリコン・オン・インシュレータやその他の関連半導体基板技術を開発する企業で、1992年にLetiから分離独立しました。
- EFCIS、半導体、1977年(合併によりSTマイクロエレクトロニクスに進化)
- Sofradir(現在はLYNREDと呼ばれています)、赤外線検出器、1986年
- Tronics Microsystems、MEMS テクノロジー、1997 年
- Movea、MEMS モーション センサー、2007
- Fluoptics、がん治療のための蛍光イメージング、2008年
- MicroOLED、OLEDマイクロディスプレイ、2007
- その他...
最高経営責任者(CEO)
CEA-Leti は CEO をトップとする組織であり、そのトップは以下の人々によって務められています。
- セバスチャン・ドーヴェ (2021–現在) [10]
- エマニュエル・サボナディエール (2017–2021) [11]
参照
参考文献
- ^ cea.hal.science/LETI
- ^ www.leti-cea.fr/cea-tech/leti/Pages/Leti/a-propos-du-Leti/mission-organisation.aspx
- ^ 構造のレパートリー
- ^ scanr.enseignementsup-recherche.gouv.fr/entite/201923181U
- ^ www.leti-cea.com/cea-tech/leti/english/Pages/Leti/Partners/industrials.aspx
- ^ www.leti-cea.fr/cea-tech/leti/Pages/actualites/Communique%20de%20presse/Moore%E2%80%99s-Law-CEA-Leti-Intel-to-Develop-Atomically-Thin-2D -TMDs-on-300mm-Wafers.aspx
- ^ www.eetimes.eu/cea-leti-to-help-intel-cram-more-components-onto-ics/
- ^ www.eenewseurope.com/en/intel-cea-leti-to-develop-2d-material-transfer-for-future-transistors/
- ^ センサーマガジン http://www.sensorsmag.com/networking-communications/wireless/news/cea-leti-helps-launch-wear-a-ban-project-7322
- ^ www.leti-cea.com/cea-tech/leti/english/Pages/Applied-Research/Fellow-Scientists/bio-sebastien-dauve.aspx
- ^ www.linkedin.com/in/emmanuel-sabonnadiere-ceo
- CEA-Leti が Wear-a-BAN プロジェクトの立ち上げを支援。Sensors Magazine。
- CEA-Leti と IBM が将来のナノエレクトロニクス技術で協力(2009 年 4 月 9 日)。
- シミー、ジェームズ。イノベーションネットワークと学習地域?。テイラー&フランシス出版 (2003)。
- 2009-2010 年度通期財務実績。Wayback Machineで 2011-07-16 にアーカイブ(2010 年 5 月 19 日)。
外部リンク
- 公式サイト
