アルゴンフッ化物レーザー

ArF エキシマレーザーの最も広く普及した産業用途は、マイクロエレクトロニクスデバイス（半導体集積回路または「チップ」）の製造のための深紫外フォトリソグラフィー^{[ 2 ] [ 3 ]}です。1960年代初頭から1980年代半ばまで、436、405、および365 nmの波長でリソグラフィーにHg-Xeランプが使用されていました。しかし、半導体業界では、より細かい解像度（より高密度で高速なチップのため）とより高い生産スループット（より低いコストのため）の両方が必要になったため、ランプベースのリソグラフィーツールでは業界の要求を満たすことができなくなりました。 

この課題は、1982年にIBMのK. Jainによって深紫外エキシマレーザーリソグラフィーが発明され実証されたことで克服されました。 ^{[ 2 ] [ 3 ] [ 10 ]}その後の20年間で装置技術が進歩し、エキシマレーザーリソグラフィーを使用して製造された半導体電子デバイスの年間生産額は4000億ドルに達しました。その結果、^{[ 5 ]}エキシマレーザーリソグラフィー（ArFレーザーとKrFレーザーの両方）は、ムーアの法則の継続的な進歩において重要な要素となっています。^{[ 6 ]}

ArFレーザーからの紫外線は、生体物質や有機化合物によく吸収されます。ArFレーザーは、材料を燃焼または切断するのではなく、表面組織の分子結合を解離し、燃焼ではなくアブレーションによって厳密に制御された方法で空気中に分解します。したがって、ArFレーザーやその他のエキシマレーザーは、表面材料の非常に薄い層を、残りの材料にほとんど加熱や変化を与えることなく除去できるという有用な特性を持ち、残りの材料はそのまま残ります。これらの特性により、このようなレーザーは、有機材料（特定のポリマーやプラスチックを含む）の精密なマイクロマシニング、特に眼科手術（例：LASIK、LASEK）などの繊細な手術に最適です。^{[ 11 ]}

2021年、米国海軍研究所は慣性閉じ込め核融合で使用するArFの研究を開始し、最大16%のエネルギー効率を実現した。^{[ 13 ]}

LaserFusionXは、アルゴンフッ化物レーザーを使用した直接駆動型核融合発電プロトタイプを開発している。2024年現在、同社は固体パルス電力を使用して十分な高速発射速度を持つレーザーを設計およびテストするための爆縮施設の構築に注力している。^{[ 14 ]}