アルフ・アダムス

アルフレッド・ロドニー・アダムス （ 1939年生まれ^{[3] [4]}）は、歪層量子井戸レーザーを発明したイギリスの物理学者です。^[5]現代の家庭のほとんどには、あらゆる種類の電子機器にこの装置がいくつか備わっています。^{[6] [7] [8]}

彼はサリー大学で物理学の特別教授を務め、オプトエレクトロニクス材料およびデバイス研究グループを率いていました。現在は退職し、名誉教授の地位にいます。 1995年にダッデルメダルおよび賞を受賞し、1996年に王立協会フェローに選出されました。2014年には、歪み層レーザー構造に関する先駆的な研究により、 オプトエレクトロニクスのランク賞を受賞しました。

アダムズは学業に熱心ではない家庭に生まれた。祖母は結核で亡くなり、父親も生まれつき結核だったため、医学的な理由で学校を休学し、靴屋、ボクサー、ジムのオーナーとして働いた。母親は12歳で学校を辞めた。アダムズは第二次世界大戦の空襲でエセックス州ハドリーから避難した。11歳以上の試験を受けた後、地元の技術学校に通い、サッカーとクリケットの両方でサウスイーストエセックスの代表となった。^[2]

彼は物理学を学ぶためにレスター大学に通ったが、これは他のほとんどの大学で求められる外国語の資格を持っていなかったためでもある。また、レスター大学でウォルター・エリック・スピア教授の指導の下、斜方晶系の博士号を取得した後、ドイツのカールスルーエ工科大学で物理学の博士研究員として研究を行い、そこで妻のヘルガと出会い結婚した。^[2]

イギリスのサリー大学に戻り、高圧下でガリウムヒ素結晶を用いたマイクロ波研究を行った。1980年に休職し、日本の東京工業大学で半導体レーザーの研究を行った。 ^[2]

研究を続けるためサリー大学に戻った後、妻ヘルガとボーンマスの海岸を散歩しているときに、半導体結晶を歪ませることで、電子が低エネルギー軌道から高エネルギー軌道へ、あるいはその逆へ移動する傾向を変えられることに気づいた。こうしてレーザー光生成の効率が変わる。これが歪層レーザー（別名歪量子井戸レーザー）の起源である。彼はこのアイデアの特許を取らなかったため、世界中のほぼすべての家庭で使用されているこの技術から金銭的利益を得ることはなかった。^[2]

1995年にダデルメダルと賞 を受賞し、1996年には王立協会の会員に選出された。^[2]王立協会への推薦状には次のように記されている。

高圧技術を半導体材料の研究に応用した先駆的な研究で知られるアダムス教授は、デバイスの基礎物理を理解する上で重要な変数としてのひずみの利用を大いに推進してきました。彼の貢献には、GaAsの伝導帯極小値のガンマ-LX 秩序の最初の実証、不純物の中央セル電位による散乱の最初の直接観測、半導体レーザーの重要な損失メカニズムとしての電子帯間吸収の提案と実験的確認、および量子井戸レーザーのしきい値電流は、井戸を圧縮応力状態で成長させると大幅に削減できるという予測などがあります。これらのアイデアは現在、世界中で精力的に追求されており、レーザーの性能が大幅に向上しています。^[1]

サリー大学を退職して以来、名誉教授の地位にある。

2014年に彼は、歪み層レーザー構造に関する先駆的な研究により、 オプトエレクトロニクスのランク賞 [ru]を受賞しました。

2014年3月、彼はBBCラジオ4の番組「ジム・アル・ハリーリ教授の生命科学」の主題となった^[2]

• サリー大学物理学科の経歴
• インディペンデント: 英国における科学の祭典、2006 年 7 月 5 日
• ランク賞金