アルミニウムインジウムアンチモン

アルミニウムインジウムアンチモン化物（インジウムアルミニウムアンチモン化物、またはAlInSb（Al _x In _1-x Sb）とも呼ばれる）は、三元系III-V族半導体化合物です。アルミニウムアンチモン化物とインジウムアンチモン化物の合金とみなすことができます。この合金は、アルミニウムとインジウムの比率は任意です。AlInSbは一般的に、この合金の任意の組成を指します。

AlInSb薄膜は、ガリウムヒ素およびガリウムアンチモン基板上に分子線エピタキシー法および有機金属化学気相成長法^{[ 1 ]}によって成長させられてきた。通常、他のIII-V族化合物との層状ヘテロ構造に組み込まれる。

AlInSb合金のバンドギャップと格子定数は、純粋なAlSb（a = 0.614 nm、E _g = 1.62 eV）とInSb（a = 0.648 nm、E _g = 0.17 eV）の中間の値をとる。^{[ 2 ]}中間組成（約x = 0.72 – 0.73）では、バンドギャップは純粋なAlSbのような間接ギャップから、純粋なInSbのような直接ギャップへと変化する。 ^{[ 4 ]}

AlInSbは、InSb量子井戸の障壁材料および転位フィルターとして、またInSbベースのデバイスに用いられてきた。^{[ 5 ]}

AlInSbは、中赤外波長で光を生成および検出するためのLEDおよびフォトダイオードの活性領域として使用されてきました。これらのデバイスは、メタンガスセンシングに関心のある波長である3.3 μm付近で性能を最適化することができます。^{[ 6 ] [ 7 ]}