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アンチモン化アルミニウム（AlSb）は、アルミニウムとアンチモンを含むIII-V族半導体である。格子定数は0.61 nmである。間接バンドギャップは300 Kで約1.6 eV、直接バンドギャップは2.22 eVである。
電子移動度は300 Kで200 cm 2 ·V − 1 ·s − 1、正孔移動度は400 cm 2 ·V − 1 ·s − 1である。波長2 μmにおける屈折率 は3.3であり、マイクロ波周波数における誘電率は10.9である。[ 1 ]
AlSbは他のIII-V族材料と反応させることで、 AlInSb、AlGaSb、AlAsSbなどの三元系材料を生成できる。
アンチモン化アルミニウムは、アンチモン化物イオン（Sb 3− ）の還元性のため、比較的燃えやすい。燃焼すると酸化アルミニウムと三酸化アンチモンを生成する。