リン化インジウム

InPは、インジウムガリウムヒ素などの他の半導体をベースとしたエピタキシャル光電子デバイスの基板として使用されます。これらのデバイスには、604 GHzで動作可能な擬似ヘテロ接合バイポーラトランジスタが含まれます。^{[ 10 ]} 

InP自体は直接バンドギャップを持つため、波長分割多重化アプリケーションを可能にするために、光通信産業向けのレーザーダイオードやフォトニック集積回路などの光電子デバイスに有用です。 ^{[ 11 ]}シリコンやガリウムヒ素などの一般的な半導体と比較して電子速度が 優れているため、高出力および高周波の電子機器に使用されています。

InPは直接バンドギャップIII-V族化合物半導体材料であるため、通信で一般的に使用される波長ウィンドウ、すなわち1550 nmの波長で、レーザー、高感度光検出器、変調器に使用されます。約1510 nmから1600 nm の間の波長は、光ファイバーで利用可能な最も低い減衰（約0.2 dB/km）です。^{[ 12 ]}さらに、InPがサポートするOバンドとCバンドの波長は、シングルモード動作を促進し、モード間分散の影響を低減します。   

InPは、レーザー光を生成、増幅、制御、検出できるフォトニック集積回路に使用できる。^{[ 13 ]}

InPの光センシングアプリケーションには以下が含まれる

• _{ガス（CO、CO 2}、NO _X [または NO + NO ₂ ] など）のリアルタイム検出による大気汚染制御。
• 水道水を含む気体や液体、あるいは表面汚染物質中の微量の有害物質を迅速に検証します。
• 食品などの製品の非破壊検査のための分光法。アイントホーフェン工科大学とMantiSpectraの研究者は、牛乳用の統合型近赤外分光センサーの応用を既に実証している。^{[ 14 ]}さらに、この技術はプラスチックや違法薬物にも応用できることが証明されている。^{[ 15 ]}