イルサンミ・アデシダ

イレサンミ・アデシダ（1949年、ナイジェリア、オンド州イフォン生まれ）は、ヨルバ族のナイジェリア系アメリカ人^[1]の 物理学者です。^[2]彼は2016年9月からカザフスタンのアスタナにあるナザルバエフ大学の学長を務めています。 ^[3]

アデシダ氏はイリノイ大学アーバナ・シャンペーン校のドナルド・ビガー・ウィレット名誉工学教授でもあり^[4]、^{[5]、 2016年にイリノイ大学を退職した。2012年5月、}イリノイ大学の理事会はアデシダ氏を次期アーバナ・キャンパスの学務担当副学長および学部長に選出し、同氏は2012年8月15日^[6]から2015年8月31日までその職を務めた。アデシダ氏がイリノイ大学で務めたその他の役職には、工学部長[ ^7]、ナノスケール科学技術センター所長、マイクロ・ナノテクノロジー研究所所長、材料科学および工学教授、電気・コンピュータ工学教授、ベックマン先端科学技術研究所教授、コーディネート科学研究所教授などがある。 2006年、アデシダは半導体構造のナノメートルスケール処理と高性能電子・光電子デバイスへの応用への貢献により、全米工学アカデミーの会員に選出された。アデシダは2007年から2011年までフルオール社の取締役も務めた。^[5]

アデシダの学術研究分野はナノテクノロジーであり、特に通信に使用される高速デバイスに重点を置いています。彼の研究専門知識には、ナノファブリケーション科学技術、高速光電子デバイス、ワイドバンドギャップ材料とデバイスも含まれます。^[5]

アデシダはカリフォルニア大学バークレー校で電気工学の学士号（1974年）、修士号（1975年）、博士号（1979年）を取得した。^[5]

アデシダは、ナノメートルスケールレベルでの半導体やその他の材料の処理と、携帯電話、光ファイバー通信、深宇宙通信、その他のアプリケーションで使用される超高速ヘテロ構造電界効果トランジスタの専門家です。彼の貢献は、高度なリソグラフィーやその他のナノファブリケーション技術の限界に関する洞察を提供しました。 ^[5]

彼と彼の学生は、ナノエレクトロニクスと高速光電子デバイスおよび回路の分野で研究を続けています。最近の研究は、高性能ワイヤレス、光ファイバー通信、高温アプリケーションで使用されるリン化インジウムや窒化ガリウムなどの主要材料を使用したデバイスと回路の開発に重点を置いています。彼は、350を超える参考文献付きの論文を発表し、250を超える論文を国際会議で発表し、多くの本の章を執筆しています。

アデシダは、電気電子学会（IEEE）、アメリカ科学振興協会（AAAS）^[8] 、アメリカ真空学会、アメリカ光学会^[9]の会員である。

彼は、全米工学アカデミー、鉱物・金属・材料学会、ナイジェリア工学アカデミー、材料研究学会、工学教育協会 の会員です。

1994年、イリノイ大学から学部教育優秀賞であるオークリー・クンデ賞を受賞^{[10] 。1996年にはマイクロ・ナノエンジニアリング会議で最優秀論文賞を受賞。2011年には}電気電子学会から電子デバイス学会功労賞を受賞^[11]。2016年には鉱物・金属・材料学会から機能性材料ジョン・バーディーン賞を受賞^{[12] 。}

イリノイ大学では、大学研究員および高等研究センターの準会員に任命されました。IEEE電子デバイス学会の元会長、^[13] EMSA会長学生賞受賞者、IEEE電子デバイス学会特別講師（1997～2002年）、ボミッシェ物理学会会員（1988年）、IBMポストドクターフェロー（1979～1981年）を務めました。

2013年、彼はアメリカのカーネギー財団から偉大な移民の名誉受賞者に選ばれた。^{[14] [15]}

• アフリカの科学技術、ISBN  978-1-59221-112-8

• 米国特許5880482 – 低暗電流光検出器^{[16] [17]}

• Google Scholarにインデックスされた Ilesanmi Adesida の出版物