ラインの先頭

フロントエンドオブライン（FEOL ）は、 IC製造の最初の部分であり、個々のコンポーネント（トランジスタ、コンデンサ、抵抗器など）が半導体基板にパターン化されます。^[1] FEOLは通常、金属相互接続層の堆積までのすべてをカバーします（ただし、金属相互接続層の堆積は含まれません）。^[2]

手順

CMOSプロセスの場合、FEOLには分離されたCMOS素子を形成するために必要なすべての製造工程が含まれています。^[3]^[4]

使用するウェーハの種類の選択、ウェーハの化学機械平坦化(CMP) および洗浄。
浅いトレンチ分離(STI) (または、フィーチャサイズが 0.25 μm を超える初期プロセスではLOCOS )。
井戸の形成;
ゲートモジュールの形成。
ソースおよびドレインモジュールの形成。

最後に、表面処理を行い、その後の金属化のための接点を準備します。これでFEOLプロセスは終了し、すべてのデバイスが構築されます。^[4]

これらの手順に続いて、デバイスをネットに従って電気的に接続し、電気回路を構築する必要があります。これはバックエンドオブライン（BEOL）で行われます。BEOLは、IC製造の2番目の部分であり、個々のデバイスが接続されます。^[4]

参照

バックエンドオブライン(BEOL)
集積回路

参考文献

^ Karen A. Reinhardt および Werner Kern (2008)。シリコンウェーハ洗浄技術ハンドブック (第 2 版)。William Andrew。p. 202。ISBN 978-0-8155-1554-8。
^ “FEOL（Front End of Line：基板工程、ウェーハ処理前半） 1.アイソレーション | USJC：ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社”. USJC：ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社 | 三重県桑名市の300mm半導体ウェーハ工場を製造拠点としたファウンドリ専業メーカーです。超低消費電力、不揮発メモリなど先進テクノロジーを世界中のお客様に提供しています。 2019-02-22 。2022-09-27に取得。
^ Ramsundar, Bharath. 「チップ製造の詳細：フロントエンドオブライン（FEOL）の基礎」。deepforest.substack.com 。 2022年9月27日閲覧。
^ abc J. Lienig、J. Scheible ( 2020)。「第2.9.3章：FEOL：デバイスの作成」。電子回路のレイアウト設計の基礎。Springer。pp. 78–82。doi ：10.1007 / 978-3-030-39284-0。ISBN 978-3-030-39284-0. S2CID 215840278。

さらに読む

「CMOS: 回路設計、レイアウト、シミュレーション」Wiley-IEEE、2010 年。ISBN 978-0-470-88132-3。177 ～ 178 ページ (第 7.2 章 CMOS プロセス統合) 、 180 ～ 199 ページ (7.2.1 フロントエンドオブザライン統合)
「電子回路のレイアウト設計の基礎」、Lienig、Scheible、Springer、doi :10.1007/978-3-030-39284-0 ISBN 978-3-030-39284-0、2020年。第2章：技術ノウハウ：シリコンからデバイスまで、78〜82ページ（2.9.3 FEOL：デバイスの作成）

[1] Karen A. Reinhardt および Werner Kern (2008)。シリコンウェーハ洗浄技術ハンドブック (第 2 版)。William Andrew。p. 202。ISBN 978-0-8155-1554-8。

[2] “FEOL（Front End of Line：基板工程、ウェーハ処理前半） 1.アイソレーション | USJC：ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社”. USJC：ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社 | 三重県桑名市の300mm半導体ウェーハ工場を製造拠点としたファウンドリ専業メーカーです。超低消費電力、不揮発メモリなど先進テクノロジーを世界中のお客様に提供しています。 2019-02-22 。2022-09-27に取得。

[3] Ramsundar, Bharath. 「チップ製造の詳細：フロントエンドオブライン（FEOL）の基礎」。deepforest.substack.com 。 2022年9月27日閲覧。

[Layout_book-4] J. Lienig、J. Scheible ( 2020)。「第2.9.3章：FEOL：デバイスの作成」。電子回路のレイアウト設計の基礎。Springer。pp. 78–82。doi ：10.1007 / 978-3-030-39284-0。ISBN 978-3-030-39284-0. S2CID 215840278。