参考文献
- ↑カレン・A・ラインハルト、ヴェルナー・ケルン(2008)。シリコンウェハ洗浄技術ハンドブック(第2版)。ウィリアム・アンドリュー。p. 202。ISBN 978-0-8155-1554-8。
- ↑ 「FEOL(Front End of Line:基板工程、ウェーハ処理前半) 1.アイソレーション | USJC:ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社」。USJC:ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社 | 三重県桑名市の300mm半導体ウェーハ工場を製造拠点としたファウンドリ専業メーカーです。超低消費電力、不揮発メモリなど先進テクノロジーを世界中のお客様に提供しています。 2019-02-22 。2022-09-27に取得。
- ↑ Ramsundar, Bharath (2021年2月26日). "チップ製造の徹底解説:フロントエンドオブライン(FEOL)の基礎" . deepforest.substack.com . 2022年9月27日取得.
- 1 2 3 J. Lienig 、 J. Scheible (2020)。 「第 2.9.3 章: FEOL: デバイスの作成」。電子回路のレイアウト設計の基礎。Springer。pp. 78–82。doi : 10.1007 /978-3-030-39284-0。ISBN 978-3-030-39284-0. S2CID 215840278 .
さらに読む
- 「CMOS:回路設計、レイアウト、シミュレーション」Wiley-IEEE、2010年。ISBN 978-0-470-88132-3177 ~178ページ(第7.2章 CMOSプロセス統合)、180~199ページ(第7.2.1章 フロントエンド・オブ・ザ・ライン統合)
- 「電子回路レイアウト設計の基礎」、Lienig、Scheible著、Springer、doi : 10.1007/978-3-030-39284-0 ISBN 978-3-030-39284-02020年。第2章:技術ノウハウ:シリコンからデバイスまで、78~82ページ(2.9.3 FEOL:デバイスの作成)