デジ・アキンワンデ | |
|---|---|
| 母校 | スタンフォード大学 ケース・ウェスタン・リザーブ大学 |
| 知られている | 2D材料、フレキシブルでウェアラブルなナノエレクトロニクス、ナノテクノロジー、STEM教育 |
| 受賞歴 | PECASE、2016年授与。アメリカ物理学会 フェロー、IEEEフェロー。MRSフェロー。 |
| 科学者としてのキャリア | |
| 機関 | テキサス大学オースティン校 |
| 論文 | カーボンナノチューブ:デバイス物理学、RF回路、表面科学、ナノテクノロジー (2009) |
| 博士課程の指導教員 | H.-S. フィリップ・ウォン |
| Webサイト | https://nano.mer.utexas.edu/ |
デジ・アキンワンデは、テキサス大学オースティン校の材料科学部門に所属するナイジェリア系アメリカ人の電気・コンピュータ工学教授です。[1]彼は、 2016年にバラク・オバマ大統領から科学者・技術者のための大統領若手キャリア賞を受賞しました。[1]彼は、アメリカ物理学会、アフリカ科学アカデミー、材料研究協会(MRS)、IEEEのフェローです。
幼少期と教育
アキンワンデはワシントン DCで生まれ、幼少期にナイジェリアに移住しました。 [2]彼は両親とともにイケジャで育ちました。 [2]彼の父親はガーディアン ニュースの財務管理者で、母親は教育省で働いていました。彼はイドアニの連邦政府カレッジに通い、科学と工学に興味を持つようになりました。[2]彼は 1994 年にアメリカに戻り、カイヤホガ コミュニティ カレッジからケース ウェスタン リザーブ大学に転校して電気工学と応用物理学を学びました。[2]彼は修士課程の間に、非破壊画像化のための近接場マイクロ波チップの設計を開拓しました。[3]彼はスタンフォード大学に大学院生として受け入れられ、炭素系材料の電子特性について研究しました。 [2]彼は博士課程の間にアルフレッド P. スローン財団フェローに選ばれました。 [2]彼はまた、2008年にDARE(学術の多様化、優秀な人材の採用)フェローに選ばれました。[4]彼は2009年に博士号を取得しました。[5]彼は2010年1月にテキサス大学オースティン校の助教授に就任し、国立科学財団(NSF)、陸軍研究局(ARO)、国防脅威削減局(DTRA)、DARPA、AFOSR、海軍研究局(高周波フレキシブル2Dエレクトロニクスに焦点を当てている)など、いくつかの機関から研究助成金を獲得しました。[6]
研究とキャリア
アキンワンデは、Aixtron社と共同で、グラフェンのウエハースケールでの成長、特性評価、統合に取り組んだ[7]。この共同研究では、化学蒸着法を用いて多結晶グラフェンのスケーラブルな成長を実証し、初の300 mmウエハーを作成した。[8] [9] 2011年、彼はスタンフォード大学のフィリップ・ウォン教授と共同で、カーボンナノチューブとグラフェンデバイスの物理学に関する初の教科書を出版した。[10] 2013年には、米国電気電子技術者協会(IEEE)の上級会員に就任した。[3] 2次元グラフェンエレクトロニクスにおいて数々の進歩を遂げた。[11] 2015年には、初の2次元シリセントランジスタを実証した。[12]アキンワンデは、イタリアのCNRのアレサンドロ・モレのグループと共同で、銀の結晶上にシリコンを蒸着させ、走査型トンネル顕微鏡を用いて成長をリアルタイムで監視することでこれを達成した。[12] [13]この研究のブレークスルーは、ディスカバー誌によって2015年のトップサイエンスストーリーの1つに選ばれました。[14]シリセンの研究は、同年代の ネイチャーナノテクノロジー誌の中で最も引用されている論文です。
彼は2017年にグラフェンで作られた最も薄くて透明な電子タトゥーセンサーを実証しました。これは厚さ500nm未満で、85%の光学透過性がありました。この研究はNanshu Luのグループと共同で行われました。[15]タトゥーは一時的なタトゥーのように人間の皮膚にラミネートできますが、心電図、脳波、温度、水分補給を測定できます。[15]その後、グラフェンタトゥーは、2022年にNature Nanotechnologyで発表された生体インピーダンス法を使用して血圧を継続的に監視するためのウェアラブルプラットフォームとして開発されました。[16]彼は、二硫化モリブデンの2D原子シートを使用して不揮発性抵抗スイッチングを調査することにより、最初のアトムリスタを実証しました。[17]驚くべきことに、メモリ効果は単一の原子まで持続します。[18]このデバイスは1.5nmという薄さを実現し、5Gや将来の6G [19]スマートフォンのゼロスタティック電力無線周波数スイッチ、モノのインターネット、人工知能回路などに応用できる。[20]これらのシステムにおけるメモリの発見は、2D材料に普遍的なものになると期待されている。[21]
彼は、Scienceの査読編集者、ACS Nanoの副編集者、Nature誌npj 2D Materials and Applicationsの編集者、IEEE Electron Devices Lettersの元編集者を務めています。[22] [23]彼は、2017年のSPIE年次会議Optics & Photonicsでの全体講演を含む約12回の全体講演と基調講演を行い、 2D電子デバイスの進歩、機会、課題について議論しました。[24]彼は2017年にアメリカ物理学会フェロー、 2018年にフルブライトフェローに選出された。[25] [26]彼は2019年にポズナンのアダム・ミツキェヴィチ大学を訪問する予定である。 [27]彼の元ポスドク研究員のうち3人は現在教授であり、カナダのクイーンズ大学のシデ・カビリ博士、南京の東南大学のリ・タオ博士、嘉泉大学のソンイン・ホン博士である。元博士課程学生のミョンス・キムは現在、韓国の UNISTの教授である。
彼は、テキサス州で最高の教育賞であるテキサス大学オースティン校の「UTシステム評議員優秀教育賞」の最終候補者に数年選出されました。 [28]
彼は、ナノエレクトロニクス/ナノテクノロジー分野における以下のようないくつかの主要な会議やプログラム委員会の議長を務めています。
学術的ポスト
- コックレルファミリー リージェント チェア イン エンジニアリング #8、テキサス大学オースティン校 2023 年~現在
- テンプル財団寄付教授職、テキサス大学オースティン校 2020–2023
- セオドア・フォン・カルマン アーヘン工科大学フェロー兼客員教授、2017年
- ケンブリッジ大学工学部客員教授、ケンブリッジ大学ペンブルック・カレッジ研究員、2016年
- 客員研究員、CNR、アグラーテ・ブリアンツァ、イタリア、2016
出版物と特許
- 彼は340以上の出版物を執筆しており、それらは32,000回以上引用されている[29]
- 彼は教科書1冊と本の章3つを出版している。
- 彼は12回以上の全体会議および基調講演を行っている。
- 彼は会議、大学、機関で130回以上の招待講演やセミナーを行っています。
- 彼は、エレクトロニクスとナノテクノロジーの発明に関する6件の特許を取得または申請中です。
栄誉と賞
- 2023 材料研究協会フェロー(MRS)
- 2021年電気電子技術者協会(IEEE)フェロー[1]
- 2021年アフリカ科学アカデミーフェロー
- 2018 フルブライトスペシャリストフェロー
- 2017年アメリカ物理学会フェロー(APS)
- 2017年アレクサンダー・フォン・フンボルト財団フリードリヒ・ベッセル研究賞[30] [31]
- 2016年ゴードン・アンド・ベティ・ムーア財団発明家フェロー賞[32]
- 2016年オバマ大統領より米国大統領賞(PECASE )を受賞[33]
- 2015 IEEEナノテクノロジー早期キャリア賞[34]
- 2013 ジャック・キルビー寄付教授フェローシップ[35]
- 2012 IEEEガイム・ノボセロフグラフェン賞 2012 [36]
- 2012年国立科学財団キャリア賞[37]
- 2012年国防脅威削減局若手研究者賞[38]
- 2012 3M非正規教員賞[35]
- 2011年陸軍研究局若手研究者賞[35]
- 2010年海軍研究局助成金受賞[6] [35]
参考文献
- ^ abc 「Deji Akinwande | Texas ECE - Electrical & Computer Engineering at UT Austin」。www.ece.utexas.edu 。 2022年2月28日閲覧。
- ^ abcdef 「デジ・アキンワンデ」。ゾドムル。 2018年11月4日のオリジナルからアーカイブ。2018年11月3日に取得。
- ^ ab "Deji Akinwande". IEEE . 2018年11月4日時点のオリジナルよりアーカイブ。2018年11月3日閲覧。
- ^ スタンフォード大学 (2018-11-01)。「博士号フェローシップで学術界に多様性の種をまく」スタンフォードニュース。 2018年11月3日閲覧。
- ^ 「People and Ideas | Deji Akinwande 氏へのインタビュー」GRAD | LOGIC 2016-04-12 . 2018-11-03閲覧。
- ^ ab 「Akinwande教授がONRから助成金を受賞」。テキサスECE | 電気・コンピュータ工学部 | テキサス大学オースティン校。2013年5月31日。 2018年11月3日閲覧。
- ^ 「AIXTRON SE 投資家向け広報 − 将来性のある投資 :: AIXTRON」。aixtron.com 。 2018年11月3日閲覧。
- ^ 「300mm ウェハスケールのグラフェンを実証 | Akinwande Nano Research Group」nano.mer.utexas.edu 2014 年 10 月 8 日2018 年 11 月 3 日閲覧。
- ^ Rahimi, Somayyeh; Tao, Li; Chowdhury, Sk. Fahad; Park, Saungeun; Jouvray, Alex; Buttress, Simon; Rupesinghe, Nalin; Teo, Ken; Akinwande, Deji (2014-09-15). 「300 mm ウェーハ対応の高性能多結晶化学蒸着グラフェントランジスタに向けて」. ACS Nano . 8 (10): 10471–10479. doi :10.1021/nn5038493. ISSN 1936-0851. PMID 25198884. S2CID 5077855.
- ^ Wong, H.-S. Philip; Akinwande, Deji (2010)、Carbon Nanotube and Graphene Device Physics、Cambridge University Press、pp. 47–72、doi :10.1017/cbo9780511778124.004、ISBN 9780511778124
- ^ アキンワンデ、デジ;ペトローネ、ニコラス。ホーン、ジェームス(2014 年 12 月)。 「二次元フレキシブルナノエレクトロニクス」。ネイチャーコミュニケーションズ。5 (1): 5678。ビブコード:2014NatCo...5.5678A。土井: 10.1038/ncomms6678。ISSN 2041-1723。PMID 25517105。
- ^ ab タオ、リー;チンクアンタ、エウジェニオ。チアッペ、ダニエレ。グラツィアネッティ、カルロ。ファンシウリ、マルコ。ダベイ、マダン。モーレ、アレッサンドロ。アキンワンデ、デジ (2015-02-02)。 「室温で動作するシリセン電界効果トランジスタ」。自然のナノテクノロジー。10 (3): 227–231。Bibcode :2015NatNa..10..227T。土井:10.1038/nnano.2014.325。hdl : 10281/84255。ISSN 1748-3387。PMID 25643256。S2CID 5144735 。
- ^ Peplow, Mark (2015-02-02). 「グラフェンのいとこであるシリセンがトランジスタに初登場」. Nature . 518 (7537): 17–18. Bibcode :2015Natur.518...17P. doi : 10.1038/518017a . ISSN 0028-0836. PMID 25652975.
- ^ 「アキンワンデ教授のシリセントランジスタが2015年のディスカバートップ100ストーリーに選出」テキサスECE | テキサス大学オースティン校電気・コンピュータ工学部。2015年12月18日。 2018年11月3日閲覧。
- ^ ab カビリ・アメリ、シデ;やあ、レベッカ。チャン・ホンウ。タオ、リー。王佑華。王、劉。シュナイアー、デビッド M.アキンワンデ、デジ。陸、南朱 (2017-07-27)。 「グラフェン電子タトゥーセンサー」。ACSナノ。11 (8): 7634–7641。土井:10.1021/acsnano.7b02182。ISSN 1936-0851。PMID 28719739。S2CID 19751409 。
- ^ キリエフ、ドミトリー;セル、カーン。イブラヒム、バセム。クマール、ニーロトパラ。アクバリ、アリ。ジャファリ、ルーズベ。アキンワンデ、デジ(2022-06-20)。 「グラフェン生体インピーダンスタトゥーによる動脈血圧のカフレス連続モニタリング」。自然のナノテクノロジー。17 (8): 864–870。Bibcode :2022NatNa..17..864K。土井:10.1038/s41565-022-01145-w。ISSN 1748-3395。PMID 35725927。S2CID 249873611 。
- ^ Ge, Ruijing; Wu, Xiaohan; Kim, Myungsoo; Shi, Jianping; Sonde, Sushant; Tao, Li; Zhang, Yanfeng; Lee, Jack C.; Akinwande, Deji (2017-12-19). 「アトムリスタ:遷移金属ジカルコゲニドの原子シートにおける不揮発性抵抗スイッチング」. Nano Letters . 18 (1): 434–441. Bibcode :2018NanoL..18..434G. doi : 10.1021/acs.nanolett.7b04342 . ISSN 1530-6984. PMID 29236504.
- ^ Hus, Saban M.; Ge, Ruijing; Chen, Po-An; Liang, Liangbo; Donnelly, Gavin E.; Ko, Wonhee; Huang, Fumin; Chiang, Meng-Hsueh; Li, An-Ping; Akinwande, Deji (2021年1月). 「MoS2原子シートにおける単一欠陥メモリスタの観察」. Nature Nanotechnology . 16 (1): 58–62. doi :10.1038/s41565-020-00789-w. ISSN 1748-3395. PMID 33169008. S2CID 226285710.
- ^ 「原子シートを使用したゼロ電力6G通信スイッチに向けて」Nature Electronics . 5 (6): 331–332. 2022-05-30. doi :10.1038/s41928-022-00767-1. ISSN 2520-1131. S2CID 249221166.
- ^ Wunderlich, Rebecca (2018年1月18日). 「超薄型メモリストレージデバイスが、より強力なコンピューティングへの道を開く - Cockrell School of Engineering」. engr.utexas.edu . 2018年11月3日閲覧。
- ^ Bourzac, Katherine. 「2次元材料が低電力通信を可能にする可能性 | 2018年1月15日号 - Vol. 96第3号 | Chemical & Engineering News」cen.acs.org 。 2018年11月3日閲覧。
- ^ 「EDL編集長と編集者」IEEE 。 2018年11月3日閲覧。
- ^ 「About the Editor | npj 2D Materials and Applications」nature.com . 2018年11月3日閲覧。
- ^ 「2Dフレキシブルおよび新興デバイスとアプリケーション | SPIEホームページ: SPIE」。spie.org 。 2018年11月3日閲覧。
- ^ "Akinwande-APS-2017". Texas ECE | 電気・コンピュータ工学部 | テキサス大学オースティン校. 2017-10-11. 2018-01-26時点のオリジナルよりアーカイブ。 2018-11-03に閲覧。
- ^ 「デジ・アキンワンデ教授がアメリカ物理学会フェローに選出」テキサスECE | テキサス大学オースティン校電気・コンピュータ工学部。2017年10月19日。 2018年11月3日閲覧。
- ^ “2018-2019 アメリカの助成金 | Polsko-Amerykańska Komisja Fulbrighta”.ポルスコ・アメリカンスカ・コミシャ・フルブライタ。2018年11月3日に取得。
- ^ 「Deji Akinwande - 世界クラスの研究者、科学技術におけるソリューションの創出」Konnect Africa 2016年3月11日2018年11月3日閲覧。
- ^ “デジ・アキンワンデ”.学者.google.com 。2024 年 11 月 12 日に取得。
- ^ 「2013年3月以降の肯定的な選考決定:フリードリヒ・ヴィルヘルム・ベッセル研究賞」humboldt-foundation.de。1998年11月30日時点のオリジナルよりアーカイブ。2018年11月3日閲覧。
- ^ 「Prof. Deji Akinwande Receives Friedrich Bessel Research Award」テキサス ECE | 電気・コンピュータ工学部 | テキサス大学オースティン校。2017 年 5 月 1 日。2018年 11 月 3 日閲覧。
- ^ 「ゴードン・アンド・ベティ・ムーア財団、初のムーア発明家フェローを発表」VentureBeat 2016年11月2日2018年11月3日閲覧。
- ^ 「デジ・アキンワンデ教授が科学者・技術者のための大統領若手キャリア賞の受賞者に指名」テキサスECE | 電気・コンピュータ工学部 | テキサス大学オースティン校。2016年2月18日。 2018年11月3日閲覧。
- ^ 「2015 NTC Award Winners Announced - IEEE Nanotechnology Council」。IEEE 。 2016年2月20日時点のオリジナルよりアーカイブ。2018年11月3日閲覧。
- ^ abcd 「アキンワンデナノ研究グループ」。nano.mer.utexas.edu 。2018年11月3日に取得。
- ^ 「デジ・アキンワンデ教授がガイム・ノボセロフ・グラフェン賞を受賞」テキサスECE | テキサス大学オースティン校電気・コンピュータ工学部。2013年5月31日。 2018年11月3日閲覧。
- ^ 「NSF Award Search: Award#1150034 - CAREER: Integrated Si-CMOS and Graphene Heterogeneous Nanoelectronics」. nsf.gov . 2018年11月3日閲覧。
- ^ 「Sujay Sanghavi教授とDeji Akinwande教授が国防脅威削減局(DTRA)若手研究者賞を受賞」テキサスECE | 電気・コンピュータ工学部 | テキサス大学オースティン校。2013年5月31日。 2018年11月3日閲覧。
