アレック・ブロアーズ、バロン・ブロアーズ

名誉ある ブローアーズ卿 FRS 医学科学 工学
ケンブリッジ大学副総長
在任期間 ：1996年～2003年
首相	エディンバラ公
先行	デイヴィッド・グリンドゥール チューダー・ウィリアムズ
後継者	アリソン・リチャード
個人情報
生まれる	( 1938-09-17 )1938年9月17日（86歳） カルカッタ、イギリス領インド
母校	ジーロング・グラマー・スクール メルボルン大学 ケンブリッジ大学
ケンブリッジ大学チャーチル・カレッジ第4代学長
在任期間 ：1990～1996年
先行	ヘルマン・ボンディ卿
後継者	ジョン・ボイド卿

アレック・ナイジェル・ブロアーズ男爵（Alec Nigel Broers, Baron Broers、1938年9月17日生まれ）はイギリスの電気技師である。^{[1] [2]}

1994 年、ブロアーズは電子ビームリソグラフィーと顕微鏡への貢献、および微細加工におけるリーダーシップにより、 米国工学アカデミーの国際会員に選出されました。

ブロアーズはインドのカルカッタで生まれ、オーストラリアのジーロング・グラマー・スクールとメルボルン大学、イギリスのケンブリッジ大学ゴンヴィル・アンド・キーズ・カレッジで教育を受けた。

その後、ブロアーズは米国IBMの研究開発研究所で19年間勤務し、1984年にケンブリッジに戻り、電気工学教授（1984～1996年）およびケンブリッジ大学トリニティ・カレッジ研究員（1985～1990年）に就任しました。彼はナノテクノロジーの先駆者です。

ブロアーズはその後、ケンブリッジ大学チャーチル・カレッジの学長（1990–96年）、ケンブリッジ大学工学部長（1993–96年）に就任した。1996年から2003年まではケンブリッジ大学副総長を務めた。1997年、スコットランド技術者・造船協会のマクミラン記念講演に招かれ、「創造的技術者の役割と教育」というテーマを選んだ。^[3] 1998年にナイトに叙せられ、 2004年にはケンブリッジシャー州ケンブリッジのブロアーズ男爵としてクロスベンチ終身 貴族に叙せられた。 ^{[4]ブロアーズ卿は2004年から2007年まで}貴族院の科学技術委員会の委員長を務め、 2001年から2006年まで 王立工学アカデミーの会長を務めた。

2008年9月、ブロアーズ卿は、デイビッド・クックシー卿の後任として、45年にわたって 英国最大の新科学施設であるダイヤモンド・ライト・ソースの取締役会長に就任した。

ブロアーズ卿は、大学、カレッジ、学術機関、専門機関から20を超える名誉学位やフェローシップを授与されている。米国工学アカデミー、中国工学アカデミー、オーストラリア科学技術アカデミー、アメリカ哲学協会の外国人会員である。^[5] 1985年に王立工学アカデミー^{[7]のフェロー[6]}に選出された。ケンブリッジ大学セントエドマンズカレッジの名誉フェローでもある。^[8]

• 1938年9月17日、インドのカルカッタに生まれる
• 1941年 オーストラリアのシドニーに移住
• 1944 英国サリー州パーリーに移住
• 1948年 オーストラリアのメルボルンに移り、ジーロング・グラマー・スクールに通う
• 1959年オーストラリア、メルボルン大学にて物理学の学士号取得
• 1962年ケンブリッジ大学で電気科学の学士号を取得。当初は合唱団員として入学。
• 1965年ケンブリッジ大学で博士号取得、論文題目は走査型電子顕微鏡における選択的イオンビームエッチング
• 1965年IBM USAの研究員、コーポレート技術委員会委員
• 1977年IBMのCEOによりIBMフェローに任命される。 ^[9]
• 1984年 ケンブリッジ大学に戻り、電気工学教授およびトリニティ・カレッジ研究員となる
• 1990年チャーチル大学修士
• 1992ケンブリッジ大学工学部長
• 1994年米国工学アカデミー国際会員^[10]
• 1995年 ルーカス・インダストリーズの社外取締役に就任
• 1996 ケンブリッジ大学副総長（2003年まで）
• 1997年 ボーダフォンの社外取締役に就任
• 1998年教育への貢献によりナイト爵を授与
• 1998年ヘルマン・ハウザー、デイヴィッド・クリーブリーとともにケンブリッジ・ネットワークを設立
• 2001年王立工学アカデミー会長
• 2004終身貴族に叙せられる（ブローアーズ卿となる）
• 2004年 貴族院科学技術委員会の委員長に就任
• 2005年 ブロアーズがBBCでリース講演を行う
• 2008年 ダイヤモンドライトソース株式会社の会長に就任
• 2009年バイオナノコンサルティング会長に就任。
• 2010年、運輸に関する知識移転ネットワークの技術戦略委員会の議長に就任。
• 2012年～2015年エリザベス女王工学賞審査委員会委員長。

アレック・ブロアーズは、1961 年にケンブリッジ大学工学部で研究者としてのキャリアを開始し、オートリー教授、後にウィリアム・C・ニクソン博士とともに、走査型電子顕微鏡 (SEM) でイオンエッチングを受けている表面のその場研究に取り組みました。彼が使用した顕微鏡は、もともとオートリーが製作したもので、その後ギャリー・スチュワートが改造し、さらにサンプル表面にイオンを集中させるイオン源も追加しました。オートリー教授の教え子の 1 人であったギャリー・スチュワートは、その後ケンブリッジ・インストゥルメント社に移り、世界初の商用 SEM であるステレオスキャンの設計と製作を監督しました。アレックは博士課程在籍中にSEMを改造し、元の静電レンズの代わりに磁気最終レンズを取り付けて顕微鏡の解像度を約10nmに向上させ、イオンエッチングされた表面を検査した後、顕微鏡の電子ビームを使用して初めてパターンを書き込み、^[11]その後イオンエッチングを使用してこれらのパターンを40nmほどの小さな金、タングステン、シリコン構造に転写しました。これらはマイクロ電子回路に適した材料で作られた最初の人工ナノ構造であり、今後数十年間に起こることになる電子回路の極小化の可能性を切り開きました。

ケンブリッジ大学卒業後、ブローアーズ卿は米国 IBM で約 20 年間研究開発に従事しました。ニューヨークのトーマス J ワトソン研究所で 16 年間勤務し、その後イースト フィッシュキル開発研究所で 3 年間勤務し、最後に本社に勤務しました。TJ ワトソン研究所での最初の任務は、当時電子顕微鏡で使用されていたタングステン ワイヤ フィラメントに代わる長寿命の電子エミッターを見つけることでした。IBM は、写真フィルムに電子ビームで書き込みを行う初の 10 億ビット コンピュータ ストアを構築しており、タングステン フィラメント ソースの寿命が比較的短いことは受け入れられませんでした。この問題を解決するために、彼はLaB ₆エミッターを使用した初の実用的な電子銃を開発しました。^{[12] [13]}これらのエミッターは寿命の問題を解決しただけでなく、タングステンフィラメントよりも高い電子輝度を提供しました。1960年代後半から1970年代前半にかけて、彼はこれを利用して表面を検査するための2つの新しいSEMを構築し、以前のSEMよりも高い解像度（二次電子表面モードで3nm）を実現しました。 ^[14]その後、ビームサイズが0.5nmの短焦​​点機器を開発しました。^[15]彼は2番目のSEMを使用して透過モードで薄いサンプルを調べ、サンプルの表面から散乱した高エネルギー電子を使用して固体サンプルを調べました。この電子は、SEMでの使用を提案したオリバー・C・ウェルズによって「低損失電子」と呼ばれていました。当初、この高解像度低損失モードは、ニューヨーク大学^[16]やニュージャージー州退役軍人局病院^[17]の研究者と共同でバクテリオファージや血液細胞の検査に使用されましたが、彼の研究の大部分は、シリコンチップの製造で一般的になりつつあったリソグラフィー技術を使用して物を刻むツールとして顕微鏡を使用することに費やされました。彼と同僚のマイケル・ハツザキスは、これらの新しい電子ビームリソグラフィーを使用して、ミクロン寸法の最初のシリコントランジスタを作成しました。^[18]そしてサブミクロン寸法は、当時使用されていた寸法よりもはるかに小さい電子デバイスの寸法を縮小できることを示しました。

「IBM 研究所で研究をするのはとても楽しかった」と彼は回想する。「趣味が仕事になったようなものだった」。部屋いっぱいに電子機器が置かれ、新しいものを作ってテストすることにとても喜びを感じたことを思い出す。そこで彼は、世界でも最高の「電子機器の遊び場」の 1 つで約 16 年間研究に従事し、顕微鏡や小型部品の製造装置を作った。1977 年に彼は、IBM フェローといううらやましい地位を与えられた。これは当時、IBM の 40,000 人のエンジニアと科学者のうちわずか 40 人ほどに与えられた名誉だった。これにより、彼は自分が望むどんな研究の道も自由に進むことができ、当時マイクロファブリケーションと呼ばれていたものの限界を押し広げる研究を続けた。その後 10 年間、彼は一連の慎重な実験を行い、電子ビーム リソグラフィーの究極の解像度を測定し^{[19] [20] [21]}、最高解像度の方法を使用して電子機器を製造した。

解像度を制限する有害な影響の 1 つは、サンプルの大部分から後方散乱した電子による曇り効果でした。これを回避するため、Broers と Sedgwick はインクジェット プリンターのヘッドの製造に使用される技術を使用して薄い膜基板を発明しました。^[22]この膜は、後方散乱した電子を効果的に除去できるほど薄かったです。これらの膜基板により、寸法が 10 nm 未満の最初の金属構造を製造およびテストすることができました。^[23]これらの寸法は 1 ナノメートル単位で測定されるようになったため、Broers と彼の同僚は、これらのナノ構造とそれを作成するために使用される技術を、それまで一般的な用語であった接頭辞のマイクロではなく、ナノファブリケーション^{[24] [25]}と呼ぶことにしました。これらの膜サンプルは、何年も後に MEM (Micro-Electro-Mechanical) デバイスにも、またバイオメディカル アプリケーションの「カンチレバー」としても応用されました。X 線リソグラフィーの初期の実験^[26]でも同様の膜が使用されました。

ケンブリッジに戻ったブロアーズ卿は、IBMで発見したいくつかの新しい製造方法^{[27] [28]}を開発することで、小型化技術を原子スケールにまで拡張するためのナノファブリケーション研究所を設立しました。彼は400kV透過型電子顕微鏡（JEOL 4000EX）を改造して、スキャンモードで動作し、約0.3nmの最小ビームサイズを生成できるようにしました。彼はこのシステムを使用して、ベルギーのルーベンにあるIMECマイクロエレクトロニクス研究所の研究者と共同で作業し、これまでに作られた中で最も小さく、最も高速な電界効果トランジスタのいくつかを作成しました。^[29]

• 2005年のリース講演は、ブローアーズ卿によって行われた。
• ロード・ブロアーズ氏へのインタビュー、Ingenia Magazine、2005 年 3 月
• ブロアーズ卿のプロフィール
• ブロアーズ卿によるテクノロジーの勝利についての講演、2005 年 3 月