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エイドリアン・ミハイ・イオネスク | |
|---|---|
| 国籍 | ルーマニアとスイス |
| 母校 | ブカレスト工科大学 国立工科大学（フランス） |
| 科学者としてのキャリア | |
| フィールド | シリコンナノテクノロジー、無線周波数MEMSおよびNEMS、小振幅スイッチ、固体電子デバイスのモデリングとシミュレーション |
| 機関 | スイス連邦工科大学ローザンヌ校 |
エイドリアン・ミハイ・イオネスクは、ルーマニアとスイスの 物理学者、学者です。スイス連邦工科大学ローザンヌ校(EPFL)の教授であり、同校のナノ電子デバイス研究所の創設者兼所長でもあります。
教育
ルーマニアのブカレスト工科大学で、1989年に電子工学と電気通信の学士号と修士号、 1994年にマイクロエレクトロニクスの博士号を取得。1997年にはフランスのグルノーブル国立工科大学で半導体物理学の博士号を取得。
キャリア
1998年と1999年にはフランスのグルノーブルにあるCEA-Leti、LPCS-ENSERG、米国のスタンフォード大学でスタッフや客員職を歴任。2012年と2016年には東京工業大学の客員教授を務めた。[1]
彼はEPFLのナノ電子デバイス研究所の創設者であり所長である。[1]
彼は、低電力アプリケーション向けの新しいデバイスの開発への貢献により、2016年からIEEEフェローを務めており、 [2]スイス工学アカデミー（SATW）の会員でもあり、2015年には同アカデミーから優秀業績賞を受賞しました。[1]
2023年現在、彼の論文は600本以上が科学雑誌や会議の議事録に掲載されている。[3]彼はウェアラブルバイオセンサーを開発する新興企業であるXsensio SAの共同設立者であり、取締役会のメンバーでもある。 [4]
研究分野
スイス連邦工科大学ローザンヌ校 (EPFL) のナノ電子デバイス グループのディレクターとして、イオネスク氏は以下の特定のトピックに焦点を当てています。
CMOSテクノロジーとデバイスを超えて
ムーアを超えるデバイスと回路
非シリコンデバイスと回路
栄誉と賞
- 2024年IEEEクレド・ブルネッティ賞「エネルギー効率の高い急斜面装置および技術の分野におけるリーダーシップと貢献」受賞。 [5]
- IEEEジョージ・E・スミス賞2017。[6]
- 2015年スイス技術科学アカデミー優秀業績賞受賞。[1]
- 2013年にIBM工学部教授賞を受賞。 [7]
- アンドレ・ブロンデル賞 2009: フランス電気電子工学会 (SEE、パリ) より、電子工学分野における工学科学の進歩への顕著な貢献に対して受賞。[8]
- 1994年、SOI技術への貢献によりルーマニア技術科学アカデミー年次賞を受賞。[要出典]
出版物
- Ionescu, Adrian M.; Riel, Heike (2011 年 11 月 16 日)。「エネルギー効率の高い電子スイッチとしてのトンネル電界効果トランジスタ」。Nature . 479 ( 7373): 329–337. doi :10.1038/nature10679. PMID 22094693。
- Boucart, Kathy; Ionescu, Adrian M. (2007 年 6 月 25 日)。「高 κ ゲート誘電体を備えたダブルゲート トンネル FET」。IEEE Transactions on Electron Devices。54 ( 7) 。doi : 10.1109 /TED.2007.899389。
- Boucart, Kathy; Ionescu, Adrian M. (2007). 「高 K ゲート誘電体を使用したダブル ゲート トンネル FET の長さスケーリング」.ソリッド ステート エレクトロニクス. 51 (11–12): 1500–1507. doi :10.1016/j.sse.2007.09.014.
- Rusu, Alexandru; Salvatore, Giovanni A.; Jiménez, David; Ionescu, Adrian M. (2010 年 12 月 6 日)。60mV/decade 未満のサブスレッショルド スイングと内部電圧増幅を備えた金属強誘電体メタ酸化物半導体電界効果トランジスタ。2010 International Electron Devices Meeting。米国カリフォルニア州サンフランシスコ: IEEE。pp. 16.3.1–16.3.4。doi : 10.1109/IEDM.2010.5703374。
- Sheibani, Shokoofeh; Capua, Luca; Kamaei, Sadegh; Afyouni Akbari, Sayedeh Shirin; Zhang, Junrui; Guerin, Hoel; Ionescu, Adrian M. (2021年1月19日). 「コルチゾールストレスホルモンを感知するための拡張ゲート電界効果トランジスタ」. Communications Materials . 2 (10). doi : 10.1038/s43246-020-00114-x . PMC 7815575 .
参考文献
- ^ abcd 「ミハイ・エイドリアン・イオネスク」. EPFL 。2023 年12 月 19 日に取得。
- ^ 「Adrian Ionescu」. IEEE Fellow Directory . 2023年12月18日閲覧。
- ^ 「Adrian M. Ionescu: H-index & Awards」 。 2023年12月18日閲覧。
- ^ “About Us”. Xsensio. 2023年11月20日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2023年12月19日閲覧。
- ^ 「IEEE Awards」. IEEE Awards . 2024年2月21日. 2024年3月20日閲覧。
- ^ 「George E. Smith」. IEEE Electron Devices Society . 2023年12月19日閲覧。
- ^ 「2013 Faculty Awards 受賞者」(PDF) . IBM. 2013年9月16日. 2023年12月19日閲覧。
- ^ “エイドリアン・イオネスク教授、2009 年アンドレ・ブロンデルメダルを受賞”. EPFL。 2009 年 11 月 18 日。2023 年12 月 19 日に取得。
外部リンク
- EPFLナノラボ