量子ヘテロ構造

量子ヘテロ構造は基板（通常は半導体材料）内のヘテロ構造であり、そのサイズによって電荷キャリアの動きが制限され、電荷キャリアが量子閉じ込め状態に強制されます。これにより、キャリアが存在できる一連の離散的なエネルギーレベルが形成されます。量子ヘテロ構造は、より一般的なサイズの構造よりも状態密度が急峻です。

量子ヘテロ構造は、短波長発光ダイオードやダイオードレーザーの製造、および高効率太陽電池などのその他の光電子工学アプリケーションにとって重要です。

準 2 次元、準 1 次元、準 0 次元にキャリアを閉じ込める量子ヘテロ構造の例は次のとおりです。

参考文献

^ G Bastard、JA Brum、R Ferreira (1991)。「半導体ヘテロ構造の電子状態の図 10」。Henry Ehrenreich、David Turnbull (編)。固体物理学: 半導体ヘテロ構造とナノ構造。Academic Press。p. 259。ISBN 0126077444。

参照

http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Light-Emitting-Diodes-dot-org/chap04/chap04.htm
キタエフの周期表

[Bastard-1] G Bastard、JA Brum、R Ferreira (1991)。「半導体ヘテロ構造の電子状態の図 10」。Henry Ehrenreich、David Turnbull (編)。固体物理学: 半導体ヘテロ構造とナノ構造。Academic Press。p. 259。ISBN 0126077444。