ランタンガリウムケイ酸塩

ランタンガリウムケイ酸塩
名前
	その他の名前 LGSまたはランガサイト
識別子
CAS番号	82642-19-1;
3Dモデル（JSmol）	インタラクティブ画像;
	InChI InChI=1S/5Ga.3La.14O.Si/q8+3;14-2;+4 キー: SSZBJIJCKSPUFF-UHFFFAOYSA-N;
	笑顔 [Ga+3].[Ga+3].[Ga+3].[Ga+3].[Ga+3].[La+3].[La+3].[La+3].[Si +4].[O-2].[O-2 ].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2]。 [O-2].[O-2].[O-2].[O-2];
プロパティ
化学式	ガリウム5ランタン3O14シリサイド
モル質量	1 017 .402 グラムモル−1
外観	無色の固体
密度	5.75グラム/ cm3
融点	1,470 °C (2,680 °F; 1,740 K)
水への溶解度	不溶性の
	特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。インフォボックス参照

ランタンガリウムケイ酸塩（本稿ではLGSと表記）はランガサイトとも呼ばれ、化学式はA ₃ BC ₃ D ₂ O ₁₄で、A、B、C、Dは特定の陽イオンサイトを示す。Aは8個の酸素原子が配位する10面体（トムソン立方体）サイトである。Bは6個の酸素原子が配位する8面体サイト、CとDは4個の酸素原子が配位する4面体サイトである。この物質では、ランタンがAサイト、ガリウムがB 、C 、 Dサイトの半分、シリコンがDサイトの残り半分を占めている。^[1]

LGSは圧電材料であり、^[2]融点の1470℃まで相転移を起こさない。単結晶LGSはチョクラルスキー法で成長させることができる。この方法では、回転する種結晶を融液中に下ろし、続いて融液から引き上げることで結晶化を開始する。^[3]成長雰囲気は通常、最大5%の酸素を含むアルゴンまたは窒素である。成長環境で酸素を使用すると、融液からのガリウムの損失が抑制されると報告されているが、酸素レベルが高すぎると、白金（融液に使用されるるつぼ材料）が融液に溶解する可能性がある。LGSの成長は主にz方向に沿って起こる。現在、商業的に生産されている3インチ（76 mm）のランガサイトブールの成長速度は1.5～5 mm/hである。成長速度が低下すると、結晶の品質が向上する傾向がある。

参照

セラミック
ランタンガリウムタンタル酸化物、ランガタイト (CAS RN 83381-05-9) La ₆ Ga ₁₁ TaO ₂₈ (つまり、La ₃ Ga _5.5 Ta0 _0.5 O ₁₄ )

参考文献

^ Belokoneva, EL; Stefanovich, S.Yu.; Pisarevskii, Yu.V.; Mosunov, AV 「La ₃ Ga ₅ SiO ₁₄と Pb ₃ Ga ₂ Ge ₄ O ₁₄の精密構造およびランガサイト族化合物の構造と特性における結晶化学規則性（翻訳タイトル）」、Zhurnal Neorganicheskoi Khimii（2000）45、（11）、1786-p1796。
^ ランガサイトと石英の研磨とエッチング、Laffey SH と Vig JR、1994 IEEE 国際周波数制御シンポジウムdoi :10.1109/FREQ.1994.398330
^ Bohm, J.; Heimann, RB; Hengst, M.; Roewer, R.; Schindler, J. (1999). 「ランガサイト構造の圧電単結晶のチョクラルスキー成長と特性評価: La3Ga5SiO14 (LGS)、La3Ga5.5Nb0.5O14 (LGN)、および La3Ga5.5Ta0.5O14 (LGT)」。Journal of Crystal Growth。204 ( 1–2 ): 128–136。doi :10.1016/S0022-0248(99)00186-4。

外部リンク

ランガサイト結晶の特性

[1] Belokoneva, EL; Stefanovich, S.Yu.; Pisarevskii, Yu.V.; Mosunov, AV 「La ₃ Ga ₅ SiO ₁₄と Pb ₃ Ga ₂ Ge ₄ O ₁₄の精密構造およびランガサイト族化合物の構造と特性における結晶化学規則性（翻訳タイトル）」、Zhurnal Neorganicheskoi Khimii（2000）45、（11）、1786-p1796。

[IEEE-2] ランガサイトと石英の研磨とエッチング、Laffey SH と Vig JR、1994 IEEE 国際周波数制御シンポジウムdoi :10.1109/FREQ.1994.398330

[3] Bohm, J.; Heimann, RB; Hengst, M.; Roewer, R.; Schindler, J. (1999). 「ランガサイト構造の圧電単結晶のチョクラルスキー成長と特性評価: La3Ga5SiO14 (LGS)、La3Ga5.5Nb0.5O14 (LGN)、および La3Ga5.5Ta0.5O14 (LGT)」。Journal of Crystal Growth。204 ( 1–2 ): 128–136。doi :10.1016/S0022-0248(99)00186-4。