JE リリエンフェルト | |
|---|---|
リリエンフェルト53歳 | |
| 生まれる | 1882年4月18日 |
| 死亡 | 1963年8月28日(享年81歳) |
| 市民権 | オーストリア=ハンガリー帝国(1882年 - 1919年9月) ポーランド(1919年 - 1934年) アメリカ(1934年 - 1963年) |
| 母校 | フリードリヒ ヴィルヘルム大学 |
| 知られている | 電界効果トランジスタ 電解コンデンサ |
| 科学者としてのキャリア | |
| フィールド | 物理学者 電気技師 |
| 機関 | ライプツィヒ大学 アムラッド社 エルゴンリサーチラボラトリーズ |
| 博士課程の指導教員 | マックス・プランク エミール ・ワールブルク |
| その他の学術アドバイザー | ヤコブス・ヘンリクス・ファン・ト・ホフ |
| サイン | |
ユリウス・エドガー・リリエンフェルト(1882年4月18日 - 1963年8月28日)は、オーストリア・ハンガリー帝国出身のアメリカ人物理学者、電気技師で、電界効果トランジスタ(FET)に関する最初の特許(1925年)を取得した人物とされている。彼はこの概念に基づいた実用的な半導体デバイスを製作することはできなかった。さらに、学術雑誌に論文を発表しなかったことと、高純度の半導体材料が入手できなかったことから、彼のFET特許は有名になることはなく、後の発明者たちを混乱させた。[1]
若いころ
リリエンフェルトはオーストリア=ハンガリー帝国のオーストリア領レンベルク(現在のリヴィウ)のユダヤ人家庭に生まれた。リリエンフェルトの父は弁護士のジークムント・リリエンフェルト、母はサラ・ジャンポラー・リリエンフェルトであった。[2]
教育
1899年に高等学校を卒業した後、[3] 1900年から1904年にかけてベルリンのフリードリヒ・ヴィルヘルム大学(1949年にフンボルト大学に改名)で学び、1905年2月18日に博士号を取得した。1905年、彼はライプツィヒ大学の物理学研究所で無期雇用教授として働き始めた。
キャリア
リリエンフェルトはライプツィヒ大学でキャリアをスタートし、1910年頃から金属電極間の「真空」での放電に関する重要な研究に着手しました。 [4]当初の彼の情熱は、真空準備技術の向上に伴ってこの現象がどのように変化するかを明らかにすることでした。他のどの科学者よりも、彼は電界電子放出を独立した物理的効果として特定しました。(彼はこれを「自己電子放出」と呼び、医療用途の小型X線管の電子源としての可能性に興味を持っていました。) リリエンフェルトは1922年に電界電子放出の実験的現象について英語で初めて信頼できる説明を行いました。この効果は1928年にファウラーとノルドハイムによって説明されました。
リリエンフェルトは1921年に特許権を主張するためにアメリカに移住し、1926年にライプツィヒの教授職を辞して永住した。1928年にマサチューセッツ州マールデンのアムラッド社で働き始めた。アムラッド社は後にマグナボックス社が所有するエルゴン研究所と改名されたが、1935年に閉鎖された。[1]
米国では、リリエンフェルドは陽極酸化アルミニウム膜の研究を行い、 1931年に電解コンデンサの特許を取得し、この方法は19世紀を通じて使用され続けました。彼はまた、「FETのような」トランジスタを発明し、トランジスタの構造と動作、および現代のトランジスタの多くの機能を説明するいくつかの特許を申請しました。(FETのようなトランジスタの米国特許番号1,745,175 [5]は1930年1月28日に付与されました。) [6]ブラッテン、バーディーン、および同僚の化学者ロバートギブニーが初期のデバイスの特許を取得しようとしたとき、彼らの主張のほとんどはリリエンフェルドの特許のために拒否されました。[7]
電子が金属表面に衝突したときに放出される光放射は、彼がX線管の陽極の近くで初めて発見したことから「リリエンフェルト放射」と名付けられました。その起源は金属表面のプラズモンの励起に起因します。 [8] [9] [10]
アメリカ物理学会は主要な賞の一つにリリエンフェルトの名を冠している。[11]
私生活
リリエンフェルトはドイツ語を話すアシュケナージ系ユダヤ人で、オーストリア=ハンガリー帝国の国籍を持ち[12]、後にアメリカ合衆国とポーランドの二重国籍を取得した[13] 。 1926年5月2日、ニューヨークでアメリカ人のベアトリス・ギンズバーグと結婚した。2人はマサチューセッツ州ウィンチェスターに住み、リリエンフェルトはマールデンのエルゴン研究所の所長を務め、1934年にアメリカ合衆国の市民権を取得した。研究所が1935年に閉鎖された後、彼と妻は米領バージン諸島のセント・トーマス島に家を建て、生涯の大半を苦しめられた小麦畑に関連するアレルギーから逃れようとした。リリエンフェルトはセント・トーマス島とアメリカ本土のさまざまな場所を頻繁に行き来し、新しいアイデアを試し、その結果生まれた製品の特許を取得し続けた。
特許
- US 1122011「レントゲン線を生成するための方法および装置」は1912年10月2日に出願され、熱いフィラメントから放出された電子からX線を生成するX線管について説明している。
- US 1218423「レントゲン線管」は1914年4月17日に出願され、熱いフィラメントから放出された電子からX線を生成する以前のX線管の改良について説明している。
- US 1745175「電流を制御する方法および装置」は、1925年10月22日にカナダで最初に出願され、電界効果トランジスタについて説明している。
- US 1900018「電流を制御するための装置」は1928年3月28日に出願され、薄膜電界効果トランジスタである。
- US 1877140 「電流用増幅器」は1928年12月8日に出願され、電流の流れが多孔質金属層によって制御される固体デバイスであり、真空管の固体バージョンである。
- US 2013564「電解コンデンサ」は1931年8月29日に出願され、電解コンデンサについて記述している。
参照
参考文献
- ^ ab アメリカ国立人名辞典: 補足 2、マーク C. カーンズ著、2005 年
- ^ クリスチャン・クライント (1998-04-01)。 「ジュリアス・エドガー・リリエンフェルド:人生と職業」。表面科学の進歩。57 (4): 253–327。Bibcode :1998PrSS...57..253K。土井:10.1016/S0079-6816(98)80026-9。ISSN 0079-6816。
- ^ クリスチャン・クライント (1998-04-01)。 「ジュリアス・エドガー・リリエンフェルド:人生と職業」。表面科学の進歩。57 (4): 253–327。Bibcode :1998PrSS...57..253K。土井:10.1016/S0079-6816(98)80026-9。ISSN 0079-6816。
- ^ 「固体デバイスの非常に初期の構想」。IEEE Global History Network。IEEE。2011年7月21日閲覧。
- ^ 米国特許 1,745,175 電流を制御する方法および装置
- ^ Thomas H. Lee, CMOS無線周波数集積回路の設計。ケンブリッジ大学出版局、2004年、p.167ff
- ^ ジョエル・N・シュルキン(2008年1月8日)。『壊れた天才:電子時代の創始者ウィリアム・ショックレーの興亡』パルグレイブ・マクミラン。116頁~。ISBN 978-0-230-55192-3. 2011年9月10日閲覧。
- ^ JE リリエンフェルド (1919)。 「Die sichtbare Strahlung des Brennflecks von Röntgenröhren」[X 線管の輝点の可視放射線]。Physikalische Zeitschrift (ドイツ語)。20 (12): 280–282。
- ^ ハンス、ベルシュ;ラデロフ、C.ザウアーブレイ、G. (1961)。 「Über die an Metallen durch Elektronen ausgelöste sichtbare und Ultraviolette Strahlung」[電子が金属に[衝突]することによって引き起こされる可視光線および紫外光線について]。Zeitschrift für Physik A (ドイツ語)。165 (4): 464–484。Bibcode :1961ZPhy..165..464B。土井:10.1007/BF01381902。S2CID 120824347。
- ^ Boersch, Hans; Radeloff, C.; Sauerbrey, G. (1961). 「遷移放射の実験的検出」. Phys. Rev. Lett . 7 (2): 52–54. Bibcode :1961PhRvL...7...52B. doi :10.1103/PhysRevLett.7.52.
- ^ 「ジュリアス・エドガー・リリエンフェルド賞」アメリカ物理学会。 2022年6月27日閲覧。
この賞は、ベアトリス・リリエンフェルドの遺贈により、彼女の夫であるジュリアス・エドガー・リリエンフェルドを偲んで1988年に設立されました。
- ^ "Espacenet - オリジナル文書".
- ^ “Espacenet - オリジナル文書”. 2021年3月8日時点のオリジナルよりアーカイブ。2019年11月30日閲覧。
- Christian Kleint、Julius Edgar Lilienfeld: 生涯と職業。Progress in Surface Science、第 57 巻、第 4 号、1998 年 4 月、253 ~ 327 ページ。
- Chih-Tang Sag、「MOS トランジスタの進化 - 構想から VLSI まで」。IEEE 会議録、第 76 巻、第 10 号、1988 年 10 月、1280-1326 ページ。
外部リンク
- About.com、リリエンフェルトに関する短いテキスト 2020-06-20 にWayback Machineでアーカイブ
- JE リリエンフェルトの略歴
- リリエンフェルトの略歴
