ジャン・ホルニ

ジャン・アメデ・ホエルニ（1924年9月26日 - 1997年1月12日）は、スイス生まれのアメリカ人エンジニアでした。彼はシリコントランジスタの先駆者であり、「裏切り者の8人」の一人でした。彼は、トランジスタや集積回路などの半導体デバイスを信頼性高く製造するための重要な技術であるプレーナプロセスを発明しました。

ホルニは1924年9月26日、スイスのジュネーブで生まれました。^[2]ジュネーブ大学で数学の学士号を取得し、ジュネーブ大学とケンブリッジ大学で物理学の博士号を取得しました。^[3]

1952年、彼はカリフォルニア工科大学で働くためにアメリカに移り、そこでトランジスタの開発に深く関わったベル研究所の物理学者ウィリアム・ショックレーと知り合った。

数年後、ショックレーは、カリフォルニア州マウンテンビューにあるベックマン・インストゥルメンツの新設ショックレー半導体研究所部門で、ホーニを一緒に働かせるよう採用した。しかし、ショックレーの奇妙な行動により、いわゆる「裏切り者の8人」（ホーニ、ジュリアス・ブランク、ビクター・グリニッチ、ユージン・クライナー、ジェイ・ラスト、ゴードン・ムーア、ロバート・ノイス、シェルドン・ロバーツ）は、ショックレーの研究所を離れ、フェアチャイルド・セミコンダクター社を設立した。

1955年、カール・フロッシュとリンカーン・デリックは二酸化ケイ素による表面パッシベーションを発見し、特許を取得した。 ^{[4] [5]}フロッシュとデリックは、表面でドレインとソースが隣接した最初のトランジスタである、最初の二酸化ケイ素電界効果トランジスタを製造することができた。^[6]ショックレー半導体では、ショックレーは1956年12月に彼らの論文のプレプリントを、ジャン・ホーニを含むすべての上級スタッフに回覧した。その後、ホーニは、アタラがベル研究所での以前の結果に基づいてパッシベーションに関する論文を発表した会議に出席した。 ^[7]

プレーナープロセスは、フェアチャイルドセミコンダクターで働いていたジャン・ホーニによって発明され、最初の特許は1959年5月に申請されました。^{[8] [9]}プレーナープロセスは、ロバート・ノイスによるシリコン 集積回路の発明に重要な役割を果たしました。^[10]ノイスは、ホーニの研究を基に、シリコンの同じ部分にあるトランジスタ、コンデンサ、抵抗器などのさまざまなコンポーネントを接続するために、ホーニの基本構造の上に金属の層を追加する集積回路の概念を構築しました。プレーナープロセスは、デバイスの以前の概念よりも優れた集積回路を実装する強力な方法を提供しました。^[11]ノイスとともに、テキサスインスツルメンツのジャックキルビーが集積回路の発明者として認められることがよくありますが、キルビーのICはゲルマニウムに基づいていました。結局のところ、シリコンICはゲルマニウムよりも多くの利点があります。「シリコンバレー」という名前はこのシリコンに由来しています。^[12]

ホーニは、「裏切り者の8人」の卒業生ジェイ・ラストとシェルドン・ロバーツとともに、1961年にアメルコ（現在はテレダインとして知られている）を設立した。

1964年にユニオン・カーバイド・エレクトロニクスを設立し、1967年にはインターシルを設立して低電圧CMOS集積回路の先駆者となった。

彼は1969年にフランクリン研究所からエドワード・ロングストレス・メダルを受賞した^[13]。また1972年にはマクドウェル賞を受賞した^[2]。

ホルニは1997年1月12日にワシントン州シアトルで骨髄線維症のため亡くなった。^{[14] [15]}享年72歳。

彼はアン・マリー・ホーニと結婚し、アニー・ブラックウェル、スーザン・キラム、マイケル・ホーニの3人の子供をもうけた。彼にはマーク・ホーニという兄弟が一人いた。^[15] ルース・カルモナとの2度目の結婚も離婚に終わった。^[16]ホーニは1993年にジェニファー・ウィルソンと結婚した。

熱心な登山家であったホルニは、パキスタンのカラコルム山脈を頻繁に訪れ、そこに住むバルティ山岳民族の貧困に心を動かされた。ホルニは、グレッグ・モーテンソンの辺境の村コルフェに学校を建設するプロジェクトに、最大額の3万ドルを寄付し、後に100万ドルの基金で中央アジア研究所を設立し、死後も彼らにサービスを提供し続けた。^{[17] [18]}ホルニは、グレッグ・モーテンソンをこの組織の初代事務局長に任命し、パキスタンとアフガニスタンで学校建設を続けている。^[19]

2007年12月、IEEE Spectrumにマイケル・リオーダンによるホエルニと彼の平面プロセスに関する記事が掲載された。著者は、ジェイ・ラストがホエルニには驚異的なスタミナがあり、わずかな食料と水で何時間もハイキングできると指摘したと主張した。^[14]

• 1962年、米国特許3,025,589A 「半導体装置の製造方法」 、 Fairchild Camera and Instrument Corp.に譲渡。
• 1962年、米国特許3,064,167号「半導体装置」、 Fairchild Camera and Instrument Corp. に譲渡。
• 1963年、米国特許3,108,914A 「トランジスタ製造プロセス」、Fairchild Camera and Instrument Corp. に譲渡。