赤崎勇

赤﨑勇（あかさきいさむ、 1929年1月30日 - 2021年4月1日）は、半導体技術を専門とする日本の電子技術者。1989年に高輝度窒化ガリウム（GaN）p-n接合青色LEDを共同発明し、その後高輝度GaN青色LEDも開発したことで最もよく知られている。^{[ 1 ] [ 2 ] [ 3 ] [ 4 ] [ 5 ]} 

赤崎氏は、天野浩氏、中村修司氏とともに、「明るく省エネルギーな白色光源を可能にした高効率青色発光ダイオードの発明」により、 2014年のノーベル物理学賞を受賞した。 ^{[ 6 ]}

赤崎勇は、1929年1月30日に日本の知覧で生まれ、鹿児島で育ちました。^{[ 7 ] [ 8 ]}兄は電子工学の研究者で九州大学名誉教授の赤崎正典である。^{[ 8 ]} (姓の「赤﨑」は「あかざき」とも読む^{[ 9 ] [ 10 ]} )

赤崎は1946年に鹿児島県立第二鹿児島中学校（現鹿児島県立甲南高等学校）を卒業し、1949年に第七高等学校雑士館（現鹿児島大学） ^{[ 8 ]} 、 1952年に京都大学理学部化学科を卒業した^{[ 7 ]。}大学時代は、地元住民があまり訪れない神社仏閣を巡り、夏休みには信州の山々を散策し、授業を楽しみ、充実した学生時代を過ごした^{[ 7 ]} 。研究者となった後は、 1964年に名古屋大学で工学博士号を取得した^{[ 11 ]。}

赤崎は1952年から1959年まで神戸工業株式会社（現富士通株式会社）で研究員として勤務した。^{[ 12 ]} 1959年から1964年まで名古屋大学電子工学科で研究員、助教授、准教授を務めた。1964年から1974年まで松下総合研究所東京で基礎研究室長を務め、その後半導体部門の部長に就任した（1981年まで同研究所）。1981年から1992年まで名古屋大学電子工学科の教授を務めた。^{[ 12 ]}

赤崎氏は1987年から1990年まで、科学技術振興機構（JST）が後援する「窒化ガリウム系青色発光ダイオードの研究開発」プロジェクトのリーダーを務めた。その後、1993年から1999年まで、科学技術振興機構（JST）の支援を受けた「窒化ガリウム系短波長半導体レーザーダイオードの研究開発」プロジェクトを主導した。このプロジェクトを主導する傍ら、1995年から1996年まで北海道大学界面量子エレクトロニクス研究センターの客員教授も務めた。1996年から2001年まで、日本学術振興会の「未来プログラム」のプロジェクトリーダーを務めた。1996年から2004年まで、文部科学省の支援を受けた名城大学の「窒化物半導体ハイテク研究センター」のプロジェクトリーダーを務めた。2003年から2006年まで、経済産業省の支援を受けた「窒化物半導体を用いた無線機器に関する研究開発戦略委員会」の委員長を務めた。

1992年、赤崎は名古屋大学を離れ、名城大学の教員となった。^{[ 12 ]}彼は2004年から名城大学の窒化物半導体研究センターのセンター長を務めた。また、2001年からは名古屋大学の赤崎研究センターの研究員としても勤務した。

赤崎氏は1960年代後半にGaNベースの青色LEDの研究を始めた。彼は松下総合研究所東京（MRIT）でGaN結晶とデバイス構造の品質を段階的に向上させ^{[ 13 ]} 、GaNの成長方法として有機金属気相エピタキシー（MOVPE）を採用することを決定した。

1981年、赤崎は名古屋大学でMOVPEによるGaNの成長を新たに開始し、1985年には低温（LT）バッファ層技術を開拓することで、サファイア基板上に高品質のGaNを成長させることに成功した。^{[ 14 ] [ 15 ]}

この高品質のGaNにより、マグネシウム（Mg）をドープし、その後電子線照射によって活性化することでp型GaNを発見し（1989年）、最初のGaN pn接合青色/UV LEDを製造し（1989年）、シリコン（Si）をドープすることでn型GaN（1990年）^{[ 16 ]}および関連合金（1991年）^{[ 17 ]}の導電率制御を実現し、より効率的なpn接合発光構造の設計と構造にヘテロ構造と多重量子井戸を使用できるようになりました。

彼らは1990年に初めて室温でGaNからの誘導放出を実現し^{[ 18 ]}  、1995年には高品質のAlGaN/GaN/GaInN量子井戸デバイスからのパルス電流注入により388 nmでの誘導放出を開発しました^{[ 19 ]} 。彼らは窒化物系で量子サイズ効果(1991) ^{[ 20 ]}と量子閉じ込めシュタルク効果(1997) ^{[ 21 ]}を検証し、2000年には圧電場の方向依存性と非極性/半極性GaN結晶の存在を理論的に示しました^{[ 22 ]。}これは、より効率的な発光体への応用のためにこれらの結晶を成長させる今日の世界的な取り組みを引き起こしました。

赤崎氏の特許はこれらの発明から生まれ、特許使用料として報酬が支払われた。名古屋大学赤崎研究所^{[ 23 ]}は2006年10月20日に開所した。研究所の建設費用は、大学への特許使用料収入で賄われ、名古屋大学における幅広い活動にも活用された。研究所は、青色LEDの研究開発と応用の歴史を展示するLEDギャラリー、研究協力オフィス、革新的な研究を行う実験室、そして最上階6階にある赤崎氏のオフィスで構成されている。研究所は、名古屋大学東山キャンパスの共同研究ゾーンの中心に位置している。

彼と妻の涼子は名古屋に住んでおり、夫婦には子供がいなかった。

赤崎は2021年4月1日、名古屋の病院で肺炎のため92歳で死去した。 ^{[ 24 ]}

• 日本人ノーベル賞受賞者一覧
• 京都大学にゆかりのあるノーベル賞受賞者一覧

• 「インサイト＆エンタープライズ」、『フォトニクス・スペクトラ』、54号、2004年11月。
• Materials Research Society Symposium Proceedings、第639巻（2000年）、pp. xxiii–xxv。

• ノーベル賞ウェブサイト
• 赤崎勇、Nobelprize.org について語る
• 化合物半導体（17～19ページ ）
• ニューヨーク・タイムズの訃報記事：「ノーベル賞受賞者がLEDで世界を照らした」（2021年4月）。
• 「名古屋に注目」 . Nature . 2009年10月7日. doi : 10.1038/nj0264 .