天野 浩

天野浩
生まれる	( 1960-09-11 )1960年9月11日（64歳） 浜松市、日本[1]
母校	名古屋大学
知られている	青と白の LED
受賞歴	ノーベル物理学賞 （2014年） 文化功労者 （2014年） 文化勲章 （2014年）米国工学アカデミー 外国人会員（2016年）
科学者としてのキャリア
機関	名古屋大学
博士課程の指導教員	赤﨑勇

天野浩（あまの ひろし、1960年9月11日生まれ）は、日本の物理学者、技術者、発明家であり、半導体技術分野を専門とする。その功績により、彼は赤﨑勇、中村修二とともに「明るく省エネな白色光源を可能にした効率的な青色発光ダイオードの発明」により2014年のノーベル物理学賞を受賞した。 ^[2]

天野氏は、青色半導体LEDを実現するp型窒化ガリウム（GaN）ドーピングの開発により、2016年に 米国技術アカデミーの会員に選出された。

天野氏は1960年9月11日、浜松市に生まれました。1983年に名古屋大学で工学士、1985年に機械工学修士、1989年にデザイン学博士の学位を取得しました。

小学生時代はサッカーのゴールキーパー、ソフトボールのキャッチャーを務め、アマチュア無線にも熱中。勉強は嫌いだったが数学は得意だった。高校に入学すると勉強に真剣に取り組み、毎日夜遅くまで勉強して成績優秀者となった。

1988年から1992年まで名古屋大学助手、1992年名城大学助教授、1998年から2002年助教授、2002年教授。2010年名古屋大学大学院工学研究科教授。現在に至る。

1982年に学部生として赤﨑勇教授の研究室に加わり、現在では青色発光ダイオードの材料として広く知られるIII族窒化物半導体の成長、特性評価、デバイス応用に関する研究に従事。1985年にはサファイア基板上へのIII族窒化物半導体薄膜成長のための低温堆積バッファ層を開発し、III族窒化物半導体を用いた発光ダイオードやレーザーダイオードの実現に繋がった。1989年にはp型GaNの成長に成功し、pn接合型GaN系紫外・青色発光ダイオードを世界で初めて作製した。

研究熱心であることで知られ、天野の研究室は平日、休日、元旦など深夜でも常に明かりがついており、「不夜城」と呼ばれていた。^[3]研究室の学生によると、天野は楽天的で温和な性格で、怒ることはないという。^{[4] [5]}

• 2016年 –モンゴル国立大学、モンゴル^[7]
• 2016年 –パドヴァ大学、イタリア^[7]
• 2016年ブレーズ・パスカル大学、クレルモン・オーヴェルニュ大学、フランス^[7]
• 2017年 –グアテマラ、バジェ大学^[7]
• 2017 –リンシェーピング大学、スウェーデン^[7]
• 2019年 –ノボシビルスク国立大学、ロシア^[7]

• 2015年 –静岡県名誉県民
• 2015年浜松市名誉市民に任命
• 2015年 –愛知県学術優秀賞
• 2015年 –名古屋市学術優秀賞
• 2015年愛知県名誉県民

• 2009年 –応用物理学会フェロー
• 2009年 – 文部科学省NISTEP（科学技術・学術政策研究所）研究員
• 2011年 –物理学研究所フェロー
• 2015年 – 日本スウェーデン協会名誉会員
• 2016年 –米国工学アカデミー外国人会員^[8]
• 2019年 –中国工程院外国人会員
• 2022年 –日本学士院会員^[9]

天野氏の妻はスロバキアのブラティスラバにあるコメニウス大学の日本人講師である。 ^[10]

• 天野 秀次;沢木 暢; 赤崎 郁; 豊田 勇治 (1986 年 2 月 3 日)。「AlN バッファ層を用いた高品質 GaN 膜の有機金属気相エピタキシャル成長」。応用物理学レター。48 ( 5 )。AIP 出版: 353– 355。Bibcode :1986ApPhL..48..353A。doi :10.1063/1.96549。ISSN 0003-6951  。
• 天野 博;赤崎勇；小沢 隆弘;平松和正；沢木信彦池田浩介；石井義一（1988） 「亜鉛ドープGaNの青色ルミネッセンスに対する電子ビームの影響」。ルミネセンスのジャーナル。40–41 . Elsevier BV: 121–122 . Bibcode :1988JLum...40..121A.土井：10.1016/0022-2313(88)90117-2。ISSN  0022-2313。
• 天野 浩; 鬼頭 正弘; 平松 一正; 赤﨑 勇 (1989年12月20日). 「低エネルギー電子線照射 (LEEBI) を施した Mg ドープ GaN の P 型伝導」.応用物理学会誌. 28 (第 2 部、第 12 号). 応用物理学会: L2112 – L2114 . Bibcode :1989JaJAP..28L2112A. doi : 10.1143/jjap.28.l2112 . ISSN  0021-4922.
• 村上 洋;常守あさひ；天野 博;平松和正；沢木信彦赤崎勇（1991）。 「有機金属気相エピタキシーによる (0001) サファイア基板上へのSi ドープ Al _x Ga _{1-x N の成長」。}結晶成長ジャーナル。115 ( 1-4 )。 Elsevier BV: 648– 651。Bibcode :1991JCrGr.115..648M。土井：10.1016/0022-0248(91)90820-u. ISSN  0022-0248。
• 伊藤 健二; 川本 武; 天野 浩; 平松 一正; 赤﨑 勇 (1991 年 9 月 15 日). 「有機金属気相エピタキシャル成長と GaN/Al0.1Ga0.9N 層状構造の特性」.応用物理学会誌. 30 (第 1 部、第 9A 号). 応用物理学会: 1924– 1927. Bibcode :1991JaJAP..30.1924I. doi :10.1143/jjap.30.1924. ISSN  0021-4922. S2CID  123428785.
• 赤崎 勇、天野 英、伊藤 和也、小出 直也、真鍋 和也、国際物理学。会議サー。 129、851 (1992)。
• 赤崎勇；天野 博宗太、重利；酒井弘光田中 敏之;小池正義（1995年11月1日）。 「AlGaN/GaN/GaInN量子井戸デバイスからの電流注入による誘導放出」。応用物理学雑誌。34 (11B)。応用物理学会: L1517.土井：10.7567/jjap.34.l1517。ISSN  0021-4922。S2CID  122963134。

• 日本のノーベル賞受賞者一覧

• 天野浩 Nobelprize.org