ガリウムインジウムアンチモン

ガリウムインジウムアンチモンは、インジウムガリウムアンチモン、GaInSb、またはInGaSb ( Ga _xIn _1-xSb )とも呼ばれ、三元III-V 半導体化合物です。ガリウムアンチモンとインジウムアンチモンの合金と考えることができます。合金には、ガリウムとインジウムの任意の比率を含めることができます。GaInSb は、一般に合金の任意の組成を指します。

準備

GaInSb膜は分子線エピタキシー^[1] 、化学ビームエピタキシー^[2]、液相エピタキシー^{[3]によって}ガリウムヒ素およびガリウムアンチモン基板上に成長してきた。他のIII-V化合物との層状ヘテロ構造に組み込まれることが多い。

電子特性

GaInSb合金のバンドギャップと格子定数は、純粋なGaSb（a = 0.610 nm、E _g = 0.73 eV）とInSb（a = 0.648 nm、E _g = 0.17 eV）の中間です。^[4]すべての組成において、バンドギャップは純粋なGaSbやInSbと同様に直接的です。

アプリケーション

^{InGaSbおよびInGaSbを含むヘテロ構造は、近赤外から中赤外の光検出器[6]}^[7]^[8]、トランジスタ^[9]^[10]、ホール効果センサー^[11]への応用が研究されている。

参考文献

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外部リンク

GaInSbの特性

[1] Kodama, M., Kimata, M. (1985). 「GaSbおよびInGaSbの分子線エピタキシー」. Journal of Crystal Growth . 73 (3): 641–645. Bibcode :1985JCrGr..73..641K. doi :10.1016/0022-0248(85)90031-4.

[2] Kaneko, T., Morning, Asahi, H., Okuno, Y., Gonda, S. (1989). 「GaSb 上への InGaSb の MOMBE (Metalorganic Molecular Beam Epitaxy) 成長」. Journal of Crystal Growth . 95 (1): 158–162. Bibcode :1989JCrGr..95..158K. doi :10.1016/0022-0248(89)90372-2.

[3] Mauk, MG, Tata, AN, Cox, JA (2001). 「仮想基板用厚い III-V アンチモン合金エピ層 (InAsSb、InGaSb、InGaAsSb、AlGaAsSb、および InAsSbP) の溶液成長」「結晶成長ジャーナル. 225 (2): 236–243.書誌コード:2001JCrGr.225..236M. doi :10.1016/S0022-0248(01)00843-0.

[VMR-4] Vurgaftman, I., Meyer, JR, Ram-Mohan, LR (2001). 「III-V 化合物半導体とその合金のバンドパラメータ」. Journal of Applied Physics . 89 (11): 5815–5875. Bibcode :2001JAP....89.5815V. doi :10.1063/1.1368156.

[5] Aomori, S. (1987). 「AlGaAsSb、GaInAsSb、InPAsSb のバンドギャップと屈折率: 2～4 μm 帯のさまざまな光電子デバイス用途における重要な特性」. Journal of Applied Physics . 61 (10): 4869–4876. doi :10.1063/1.338352.

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[7] Li, D., Lan, C., Manikandan, A., Yip, S., Zhou, Z., Liang, X., Shu, L., Chueh, Y.-L., Han, N., Ho, JC (2019). 「高移動度インジウムガリウムアンチモンナノワイヤに基づく超高速光検出器」. Nature Communications . 10 (1). Nature Publishing Group: 1664. Bibcode :2019NatCo..10.1664L. doi :10.1038/s41467-019-09606-y. PMC 6458123. PMID 30971702 .

[8] Refaat, TF, Abedin, MN, Bhagwat, V., Bhat, IB, Dutta, PS, Singh, UN (2004). 「2μmアプリケーション向けInGaSb基板を使用したInGaSb光検出器」.応用物理学レター. 85 (11): 1874–1876. Bibcode :2004ApPhL..85.1874R. doi :10.1063/1.1787893.

[9] Ho, H.-C., Gao, Z.-Y., Lin, H.-K., Chiu, P.-C., Hsin, Y.-M., Chyi, J.-I. (2012). 「InGaSb/AlSb 高正孔移動度 FET のデバイス特性」. IEEE Electron Device Letters . 33 (7): 964–966. Bibcode :2012IEDL...33..964H. doi :10.1109/LED.2012.2193656. S2CID 6254124.

[10] Loesch, R., Aidam, R., Kirste, L., Leuther, A. (2011). 「低電力および高周波アプリケーション向け GaAs 基板上へのメタモルフィック AlInSb/GaInSb 高電子移動度トランジスタ構造の分子線エピタキシャル成長」Journal of Applied Physics . 109 (3): 033706–033706–5. Bibcode :2011JAP...109c3706L. doi :10.1063/1.3544041.

[11] Partin, DL, Heremans, JP, Schroeder, T., Thrush, CM, Flores-Mena, LA (2006). 「温度安定性ホール効果センサー」. IEEE Sensors Journal . 6 (1): 106–110. Bibcode :2006ISenJ...6..106P. doi :10.1109/JSEN.2005.860362. S2CID 40140622.