ハインツ・ゲリッシャー

ハインツ・ゲリッシャー（1919年3月31日 - 1994年9月14日）は、電気化学を専門とするドイツの化学者。彼は、将来のノーベル賞受賞者ゲルハルト・エルトルの論文指導教官であった。

電気化学会ヨーロッパ支部のハインツ・ゲリッシャー賞は彼にちなんで名付けられている。^[1]

ゲリシャーは1937年から1944年までライプツィヒ大学で化学を学んだが、兵役のため2年間中断した。1942年、母親がユダヤ人生まれだったため、彼は「ドイツ軍の大勝利に貢献する資格がない」とされ、ドイツ軍から追放された。戦時中はゲリシャーにとって困難な時期で、母親は1943年、65歳の誕生日の前夜に自殺した。唯一の妹であるルート（1913年生まれ）はゲシュタポの監獄から脱走した後、地下に潜り、1944年の空襲で死亡した。

ライプツィヒでゲリッシャーはカール＝フリードリヒ・ボンヘッファーのグループに加わった。ボンヘッファーは名門一族の一員で、その一族はナチスの思想に反対したために迫害され、殺害された。ボンヘッファーはヴィルヘルム・オストワルド（1853年 - 1932年）とヴァルター・ヘルマン・ネルンスト（1864年 - 1941年）という名高い化学一族の末裔である。ボンヘッファーは電極表面での振動反応に関する博士論文を指導し、ゲリッシャーの電気化学への興味を掻き立てた。ゲリッシャーは1946年に博士論文を完成させた。ゲリッシャーはボンヘッファーを追ってベルリンへ移った。彼の博士課程の指導教官がベルリン・フンボルト大学物理化学研究所の所長に就任したためである。そこで彼は、ベルリン・ダーレムのカイザー・ヴィルヘルム物理化学研究所（後のマックス・プランク協会のフリッツ・ハーバー研究所）の部門長にも就任した。ゲリッシャー自身も「助手」に任命され、1970年にフリッツ・ハーバー研究所に所長として復帰した。ベルリン封鎖と当時の経済状況により、戦後の研究は極めて困難な状況下で進められた。

ゲリッシャーはライプツィヒ大学で将来の妻となるレナーテ・ゲルスドルフと出会った。彼女はコンラッド・ヴァイガントとともに学位論文を書いていた。二人は1948年10月にベルリンで結婚した。1949年、ゲリッシャーは幼い家族を連れてゲッティンゲンに移り、新設されたマックス・プランク物理化学研究所でボンヘッファーの研究員となった。ベルリンとゲッティンゲンで、特に1949年から1955年にかけて、ゲリッシャーは電極反応速度論に興味を持ち、研究のための機器や技術を開発した。電気化学者が最も広く使用する機器である電子ポテンショスタットを開発したのも彼である。また、二重電位ステップと交流変調によって高速電極プロセスをモニターした。この研究は電極反応の機構的解釈の基礎を築き、電極反応速度論の理解に永続的な影響を与えた。この功績は、ドイツブンゼン協会が新たに創設したボーデンシュタイン賞によって認められ、1953 年にゲリッシャーとクラウス・フェッターが共同で受賞しました。

ゲリッシャーは 1954 年にシュトゥットガルトのマックス プランク金属研究所の部門長および上級研究員に任命されました。1 年後、腐食における金属イオンの放出に関する包括的な研究により、シュトゥットガルト大学から博士号を取得しました。1954 年から 1961 年にかけてシュトゥットガルトでは多くの成果が上がり、ここでゲリッシャーは半導体電気化学の研究を始めました。それは n 型および p 型ゲルマニウムの電気化学に関する短いメモから始まりました。この研究は、大学で行われた固体物理学のセミナーから発展したもので、そのセミナーでは、ゲルマニウムに関するブラッテンとギャレットの最近の研究結果が議論されました。ゲリッシャーは、半導体電気化学の電荷移動における理論的意味と、光化学および光起電装置へのその潜在的な応用を認識していました。彼の論文は、電子と正孔のファラデー反応の区別 (1959 年)、半導体電解質界面における電子トンネル効果の理論、溶液フェルミ準位、状態密度について検討したものです。彼は研究範囲を、電子ポテンショスタットで研究した金属電極 (1957 年)、応力腐食 (1957 年)、水素発生と水素吸着原子形成 (1957 年)、高速電極プロセス (1960 年)、マイクロ波パルス法で調べた水解離の反応速度論 (1961 年) にまで広げました。

彼の業績が認められ、1962年から1963年にかけてミュンヘン工科大学の電気化学の准教授（「Extraordinariat」）に任命され、続いて1964年に教授に昇進し、物理化学および電気化学研究所の所長に任命されました。1964年から1968年にかけて、彼のグループはZnO、CdS、GaAs、ハロゲン化銀、アントラセン、ペリレンなどの電極材料の光電気化学と光増感に関する研究を活発に行いました。1969年から1970年にかけて、彼はミュンヘン工科大学の自然科学部長に任命されました。ゲリッシャーは1970年にベルリンに戻り、マックスプランク協会のフリッツハーバー研究所の所長に就任し、そこで電極運動学、半導体電気化学、光電気化学の研究を続けました。研究所の名誉所長に就任した後、1990年から1991年にかけてテキサス大学オースティン校でアダム・ヘラーとともに、チタニア補助光触媒プロセスにおける吸着酸素の速度制御役割について研究しました。受賞歴には、電気化学協会のオーリンパラジウム賞(1977年)、ロンドン化学協会センテナリーレクチャー (1979年)、フランクフルトのDECHEMAメダル (1982年)、ロンドン王立化学協会電気化学グループメダル (1987年)、イタリア化学協会ガルヴァーニメダル (1988年)、王立オーストラリア化学協会ブルーノ・ブレイヤーメダル (1992年) などがあります。

• 濃度分極と電極電位の関係（ベルリンのカイザーヴィルヘルム研究所、1951 年）「電解質の初期化学反応による濃度分極と、平衡電位に対応する定常分極抵抗へのその寄与。」Gerischer, Heinz、Vetter, Klaus J.、Z. physik. Chem.(1951)197、92–104。
• 交流電気化学の理論（マックスプランク研究所物理化学ゲッティンゲン、1951年）「平衡電位の電位決定ステップを伴う電極の交流分極」Gerischer, H., Z. physik. Chem.（1951）198, 286–313
• 電極上のラジカルの発見（マックスプランク物理化学研究所、ゲッティンゲン、1956年）「金属白金上での過酸化水素の触媒分解」Gerischer, R; Gerischer, H.; Z. physik. Chem. (1956) 6, 178–200
• p 型および n 型半導体の異なる電気化学的エッチング速度の観察 (マックスプランク金属研究所、シュトゥットガルト、1957 年)「酸化剤の作用下における n 型および p 型ゲルマニウムの水性電解質溶液への溶解」Gerischer, H.; Beck, F.; Z. physik. Chem. (1957) 13, 389-95。
• ポテンショスタットの発明（マックスプランク金属研究所、シュトゥットガルト、1957 年）「電子ポテンショスタットと高速電極反応の研究への応用」Gerischer、H.、Staubach、KE、Z. Electrochem.（1957）61、789-94。
• 応力腐食の説明 (Max-Planck-Inst. Metallforschung、シュトゥットガルト、1957) 「応力腐食における電気化学プロセス」Gerischer, H.;ワークストフ、u.腐食 (1957)8、394-401。
• 吸着原子の発見、電極上の吸着原子の存在（マックス・プランク金属研究所、シュトゥットガルト、1958 年）「水素の電解放電のメカニズムと原子状水素の吸着エネルギー」Gerischer, H.; Bull. soc. chim. Belges (1958) 67, 506-27。
• 異なる反応を示す価電子帯キャリアと伝導帯キャリアの観察（マックス・プランク金属研究所、シュトゥットガルト、1959 年）「ゲルマニウム電極における酸化還元プロセス」Beck, F.; Gerischer, H.; Z. Elektrochem.(1959) 63, 943-50。
• バンド位置と電極反応速度論の関係 (マックス・プランク金属研究所、シュトゥットガルト、1960 年)「金属および半導体における酸化還元反応の反応速度論。I &II 固体と酸化還元電解質間の電子遷移に関する一般的考察」Gerischer, H.; Z. physik. Chem. (1960) 26, 223-47; 325-38; (1961) 27, 48-79。
• 単結晶電極の使用について (Techn. Hochsch. Munich、1963) 「電気結晶化研究に使用するための球状単結晶電極の調製」 Roe、DK、Gerischer H.; J. Electrochem. Soc.(1963) 110、350-352。
• 半導体溶液界面における電子伝達における表面状態の役割 (Tech. Hochsch.、ミュンヘン、1967) 「半導体上の酸化還元反応における表面活性」。ゲリッシャー、H.ウォレムマット。 I. 物理化学の時代 (1967) 52,60-72。
• 酸化亜鉛の色素光増感 (Tech. Hochsch.、ミュンヘン、1969) 「酸化亜鉛単結晶の増感および強増感のメカニズムに関する電気化学的研究」。トリブッチ、H.ゲリッシャー、H. Berichte der Bunsen-Gesellschaft (1969) 73,251-60。 「光化学反応の研究における半導体電極の使用」トリブッチ、H.ゲリッシャー、H. Berichte der Bunsen-Gesellschaft(1969)73,850-4。
• 電子励起状態の電気化学 (Fritz-Haber-Institut der MPG, 1973) "Elektrodenreaktionen mit angelegten elektronischen Zuständen." Gerischer, H.; Ber. Bunsenges. Phys. Chem. (1973) 77, 284-288。
• 半導体の光分解（フリッツ・ハーバー研究所、1977年「半導体電極の光分解に対する安定性について」Gerischer HJ Electroanal. Chem. (1977) 82, 133-143。
• フェルミ準位と酸化還元電位の関係 (Fritz-Haber-Inst.、Max-Planck-Ges.、ベルリン、1983)「電解質のフェルミ準位と酸化還元電位の絶対スケール」Gerischer、H.、Ekardt、W.、Appl. Phy.s Lett. (1983) 43、393-5。

• Nathan S. Lewis、 Helmut Tributsch、Arthur J. Nozik (1997)。「Gerischer,Heinz - 1919年3月31日 - 1994年9月14日 - 伝記」。Journal of Physical Chemistry B 。101 ( 14 ) : 2391。doi :10.1021/jp970544w。
• Kolb DM (1995). 「Gerischer, Heinz (1919–1994) - 追悼」.電気分析化学ジャーナル. 384 (1–2): 1–3. doi :10.1016/0022-0728(95)90269-4.
• Nozik AJ (1997). 「Gerischer,Heinz - 1919年3月31日 - 1994年9月14日」. Journal of Physical Chemistry B. 101 ( 14): 2389–2390. doi :10.1021/jp970545o.
• 「ハインツ・ゲリッシャー ― その人物と科学 1919-1994」表面科学の進歩51 (2): 1–4. 1996. doi : 10.1016/S0079-6816(96)90006-4 .
• Adam Heller、Dieter Kolb、Krishnan Rajeshwar (2010 年秋)。「Heinz Gerischer の生涯と業績」。電気化学協会インターフェース: 37–40。

• ウィキメディア・コモンズのハインツ・ゲリシャーに関連するメディア
• ドイツ国立図書館のカタログに掲載されているハインツ・ゲリッシャー