ジェラルド・バスタード

ジェラール・バスタード（1950年4月3日パリ生まれ^[1]）は、半導体ヘテロ構造に関する研究で知られるフランス の物理学者^[2]である。2011年現在、パリ高等師範学校の物理学科の研究ディレクターを務めている。 ^{[アップデート]}

バスタードは博士号を取得しました。 1974年にパリ・ディドロ大学で、「非中心対称性とニヴォー受容体の観察」と題して、磁気吸収の研究を行った。^[3]

2000年、バスタードとエミリオ・E・メンデスは「量子井戸と超格子における電界誘起光学効果（量子閉じ込めシュタルク効果とワニエ・シュタルク局在）に関する先駆的な研究」により、国際化合物半導体シンポジウム量子デバイス賞を受賞した。 ^[4]

• バスタード、ジェラルド (1991)。半導体ヘテロ構造への波動力学の応用。ワイリー・インターサイエンス。ISBN 978-0-470-21708-5。

• ジェラルド野郎。高等師範学校物理学科のホームページ