アルフレッド・Y・チョー | |
|---|---|
| 卓以和 | |
| 生まれる | 1937年7月10日 北平、中国 |
| 国籍 | アメリカ人 |
| 母校 | イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校 |
| 受賞歴 | IEEE名誉賞(1994年) アメリカ国家科学賞(1993年) エリオット・クレソン賞(1995年) アメリカ国家技術賞(2007年) アメリカ発明家殿堂 |
| 科学者としてのキャリア | |
| フィールド | 電気工学 光学工学 |
アルフレッド・イー・チョー(中国語:卓以和、ピンイン:Zhuó Yǐhé、1937年7月10日生まれ[1])は、中国系アメリカ人の電気技師、発明家、光学技術者である。アルカテル・ルーセントのベル研究所の半導体研究担当副社長。1960年代後半に同研究所で開発した技術「分子線エピタキシーの父」として知られる。1994年にベル研究所でフェデリコ・カパッソとともに量子カスケードレーザーを共同発明した人物でもある。
チョー氏は、独自の半導体層デバイス構造につながる分子線エピタキシー技術の先駆的開発により、1985年に 米国工学アカデミーの会員に選出されました。
バイオグラフィー
趙氏は北平生まれ。1949年に香港に渡り、香港の培清中学校で中等教育を受けた。イリノイ大学で電気工学の学士号、修士号、博士号を取得。1968年にベル研究所に入所。米国科学アカデミー[2]と米国工学アカデミーの会員であり、アメリカ物理学会、電気電子学会、アメリカ哲学会[3]、アメリカ芸術科学アカデミー[4]の会員でもある。
2007年6月、彼は技術革新に対してアメリカ合衆国大統領から授与される最高の栄誉であるアメリカ国家技術賞を受賞した。 [5]
チョ氏は、分子線エピタキシー(MBE)の発明とそのプロセスの商業化への貢献によりこの賞を受賞した。
彼はすでに多くの賞を受賞しており、その中には、 1982年のアメリカ物理学会国際新材料賞、1987年の電気化学会固体科学技術賞、1988年のASMインターナショナル世界材料会議賞、1988年のアメリカ真空学会ゲーデ・ラングミュア賞、 1988年の工業研究所IRI功績賞、 [6] 1990年のニュージャージー州知事トーマス・アルバ・エジソン科学賞、1990年のアメリカ結晶成長協会国際結晶成長賞、 1993年の国家科学賞、[7] 1994年の材料研究協会フォン・ヒッペル賞、 1995年のフランクリン研究所エリオット・クレソン賞、1994年のIEEE名誉賞、1997年のC&C財団日本コンピュータ&通信賞などがある。 1995年、2009年に全米発明家の殿堂入りを果たした。[8]
1985年、ベル研究所は「数十年にわたる現代通信システムへの貢献」に対して米国技術賞を授与された最初の組織となった。チョ氏の受賞は、ベル研究所とその科学者がこの賞を受賞した8回目となる。
チョさんは結婚しており、息子1人と娘3人がいる。
講義
- 1991 - 分子線エピタキシー、基礎研究からデバイス製造まで カリフォルニア大学サンディエゴ校電気・コンピュータ工学部主催の講義。電気・コンピュータ工学特別講義シリーズ。カリフォルニア大学サンディエゴ校の特別コレクションおよびアーカイブによりデジタル オブジェクトが利用可能に。
参考文献
- ^ カリフォルニア大学サンタクルーズ校 - ジョン・バスキン工学部 2011-06-29 アーカイブ済み at the Wayback Machine
- ^ “アルフレッド・Y・チョー”. www.nasonline.org 。2021年12月16日閲覧。
- ^ 「APS会員履歴」. search.amphilsoc.org . 2021年12月16日閲覧。
- ^ 「アルフレッド・イー・チョー」アメリカ芸術科学アカデミー。 2021年12月16日閲覧。
- ^ Nanotechnology Now - プレスリリース:「アルカテル・ルーセント ベル研究所の著名人アルフレッド・Y・チョー氏が米国国家技術賞を受賞」
- ^ 「アルカテル・ルーセント ベル研究所の Luminary Alfred Y. Cho 氏が米国国家技術賞を受賞」、PRNewswire、2005 年 6 月 14 日、2012 年 2 月 9 日アクセス。
- ^ 国立科学財団 - 大統領国家科学賞
- ^ 全米発明家の殿堂 アーカイブ 2010-07-09 at the Wayback Machine
外部リンク
- IEEE 歴史センター
- ニュージャージー発明家殿堂、1997 年入会者
- 科学者が高出力、マルチチャンネル半導体レーザーをデモ
- ベル研究所の研究者が世界初の高性能超広帯域半導体レーザーを開発
