エバースピン・テクノロジーズ

トグルMRAMメモリは電子スピンの磁気を利用しており、揮発性や摩耗のないデータ保存を可能にします。トグルMRAMは、耐久性の高い高密度メモリを実現するために、単一のトランジスタと単一のMTJセルを使用しています。トグルMRAMは不揮発性であるため、このメモリに保持されたデータは、温度範囲（-40℃～150℃）において20年間アクセス可能です。MTJは、固定磁性層、薄い誘電体トンネル障壁、および自由磁性層で構成されています。スピントグルのMTJにバイアス電圧を印加すると、磁性層によってスピン偏極された電子が誘電体障壁を「トンネル」します。MTJデバイスは、自由層の磁気モーメントが固定層と平行なときに抵抗が低く、自由層のモーメントが固定層のモーメントと反平行なときに抵抗が高くなります。

^{製造密度は128Kbから16Mbまで。パラレルインターフェース[ 28 ]}とSPIインターフェース^{[ 29 ]}に対応。DFN 、SOIC、BGA、TSOP2パッケージで提供。

スピン転送トルクは、垂直磁気トンネル接合（MTJ）で構築されたMRAMメモリ（STT-MRAM）の一種で、スピン転送トルク特性（分極電流による電子のスピンの操作）を利用して自由層の磁気状態を操作し、メモリ配列内のビットをプログラムまたは書き込みます。Everspinの垂直磁気異方性が高い垂直MTJスタック設計により、長いデータ保持、小さなセルサイズ、高密度、高い耐久性、低消費電力が実現します。STT-MRAMは、トグルMRAMと比較してスイッチングエネルギーが低く、より高い密度を実現できます。EverspinのSTT-MRAM製品は、DDR3およびDDR4のJEDEC標準インターフェースと互換性があります（MRAMテクノロジーに合わせていくつかの変更が必要）。このモードでは、DDR3製品は永続的（不揮発性）DRAMのように動作し、リフレッシュは不要です^{[ 30 ]。}一方、DDR4製品はアイドル状態条件下で自己リフレッシュモードを備えています。^{[ 31 ]} DDR4互換のSTT-MRAMデバイス（密度1Gb）は、2017年8月初旬に顧客への早期サンプル出荷を開始した。^{[ 32 ]} 2019年6月、1Gb STT-MRAMは試作生産に入った。^{[ 33 ]} 2020年、GlobalFoundriesはEverspinのMRAMに12nm生産プラットフォームの使用を開始した。^{[ 34 ]}両社はGlobalFoundriesが48nm MRAM製品を生産した2014年から協力している。^{[ 35 ]}

Everspinは、通常NVMe製品で対応しているストレージ要件に対応するためにnvNITRO製品を開発しました。フォームファクタはHHHL（PCIe Gen3 x8）とU.2の2種類があります。これらのデバイスは現在最大1GBのデータを保存できますが、MRAM密度が時間とともにスケールアップするにつれて、より大きな容量が計画されています。nvNITRO製品は、NVMe 1.1とブロックストレージの両方の要件に対応できます。これらの製品はMRAMをベースに構築されているため、転送中のデータを保護するために、一般的な磁気ストレージ製品のようなバッテリーバックアップは必要ありません。Everspinは、256Mb ST-MRAM（1GBと2GBの容量）をベースにしたnvNITROの最初のバージョンを2017年8月に正式に発売しました。将来のバージョンは、最近顧客へのサンプル出荷が開始された、今後登場する1Gb ST-MRAM密度をベースにする予定です。^{[ 36 ]} SMART Modular TechnologiesはnvNITROの技術パートナーとして契約し、nvNITROストレージアクセラレータを自社ブランド名で販売します。^{[ 37 ] [ 38 ]}

EverspinはGlobalFoundriesと提携し、MRAMを標準CMOS技術に統合することで、CMOSロジック設計に非破壊的に統合できるようにしました。組み込みMRAMは、あらゆるCMOS設計において組み込みフラッシュ、DRAM、またはSRAMを置き換えることができ、不揮発性で同様のメモリ容量を提供します。組み込みMRAMは、65nm  、40nm  、28nm、 そして現在はGlobalFoundriesの22FDXプロセス（22nmで 、完全空乏型シリコンオンインシュレーター（FD-SOI）を使用）に統合できます。^{[ 39 ]}