電子DRAM

組み込み DRAM ( eDRAM )は、特定用途向け集積回路 (ASIC) またはマイクロプロセッサの同じダイまたはマルチチップモジュール(MCM) ^{[1]に統合された}ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM) です。eDRAM のビットあたりのコストは、外部メモリとして使用される同等のスタンドアロン DRAM チップと比較すると高くなりますが、多くのアプリケーションでは、プロセッサと同じチップに eDRAM を配置することによるパフォーマンス上の利点がコスト上の欠点を上回ります。パフォーマンスとサイズの点では、eDRAM はメモリバス上のレベル 3 キャッシュと従来の DRAM の間に位置し、実質的にレベル 4 キャッシュとして機能しますが、アーキテクチャの説明では、その用語で明示的に言及されていない場合があります。

ASIC またはプロセッサにメモリを埋め込むと、バスの幅が広くなり、動作速度が向上します。また、 SRAMに比べて DRAM の密度がはるかに高いため、^{[引用が必要]} eSRAMの代わりに eDRAM を使用すると、より小さなチップに大量のメモリを搭載できます。eDRAM は組み込み SRAM に比べて追加の製造プロセス ステップを必要とするためコストが高くなりますが、設計で大量のメモリを使用する場合、eDRAM メモリの 3 倍の面積節約によりプロセス コストが相殺されます。

eDRAM メモリは、他のすべての DRAM メモリと同様に、メモリ セルを定期的にリフレッシュする必要があり、複雑さが増します。ただし、メモリ リフレッシュ コントローラが eDRAM メモリとともに組み込まれている場合、ASIC の残りの部分は、メモリを1T-SRAMなどの単純な SRAM タイプのように扱うことができます。

eDRAM は、IBMのPOWER7プロセッサ^[2]や IBM のz15メインフレーム プロセッサ (5 つのアドオン チップ/ドロワーを使用する場合、最大 4.69 GB の eDRAM を使用するメインフレームが構築されますが、L1 以上の他のすべてのレベルでも eDRAM が使用され、合計 6.4 GB の eDRAM になります)など、さまざまな製品で使用されています。GT3e 統合グラフィックスを搭載したIntelのHaswell CPU ^{[3] 、} SonyのPlayStation 2、Sony のPlayStation Portable、NintendoのGameCube、Nintendo のWii、Nintendo のWii U、Microsoft のXbox 360など、多くのゲーム コンソールやその他のデバイスでも eDRAM が使用されています。^[要出典]

高帯域幅メモリ

• http://www.cs.unc.edu/~jp/DRAM.pdf
• eDRAMの夜明け
• http://www.findarticles.com/p/articles/mi_qa3751/is_200501/ai_n9521086
• https://arstechnica.com/news.ars/post/20070214-8842.html
• http://www.allbusiness.com/electronics/computer-electronics-manufacturing/6302349-1.html
• http://www.realworldtech.com/iedm-2010/3/