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組み込みDRAM（eDRAM）は、特定用途向け集積回路（ASIC）またはマイクロプロセッサと同じダイまたはマルチチップモジュール（MCM）[ 1 ]に統合されたダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）です。eDRAMのビットあたりのコストは、外部メモリとして使用される同等のスタンドアロンDRAMチップと比較すると高くなりますが、eDRAMをプロセッサと同じチップに配置することによるパフォーマンス上の利点は、多くのアプリケーションでコスト上の欠点を上回ります。パフォーマンスとサイズにおいて、eDRAMはメモリバス上のレベル3キャッシュと従来のDRAMの中間に位置し、アーキテクチャの説明では明示的にそのように言及されない場合もありますが、実質的にはレベル4キャッシュとして機能します。
ASICやプロセッサにメモリを組み込むことで、バス幅を大幅に広げ、動作速度を向上させることができます。また、SRAMに比べてDRAMの密度がはるかに高いため[ 2 ] 、 eSRAMの代わりにeDRAMを使用すれば、より小さなチップに大容量のメモリを搭載できます。eDRAMは組み込みSRAMに比べて追加の製造工程が必要となり、コストが高くなりますが、設計で大量のメモリを使用する場合、eDRAMメモリの面積削減によって工程コストが相殺されます。
eDRAMメモリは、他のすべてのDRAMメモリと同様に、メモリセルの定期的なリフレッシュが必要であり、これが複雑さを増す要因となっています。しかし、メモリリフレッシュコントローラがeDRAMメモリに組み込まれている場合、ASICの残りの部分は、1T-SRAMのように、メモリを単純なSRAMタイプとして扱うことができます。
eDRAMは、IBMのPOWER7プロセッサ[ 3 ]やIBMのz15 メインフレームプロセッサ（ 5つのアドオンチップ/ドロワーを使用すると最大4.69 GBのeDRAMを使用するメインフレームですが、L1以上の他のすべてのレベルもeDRAMを使用するため、合計6.4 GBのeDRAMになります）など、さまざまな製品で使用されています。IntelのGT3e統合グラフィックス搭載Haswell CPU [ 4 ] 、ソニーのPlayStation 2、ソニーのPlayStation Portable、任天堂のGameCube、任天堂のWii、任天堂のWii U、マイクロソフトのXbox 360などの多くのゲーム機やその他のデバイスもeDRAMを使用しています。