キャリア
胡氏は、1973年から1976年までマサチューセッツ工科大学(MIT)の助教授として学術キャリアをスタートさせた。 1976年にカリフォルニア大学バークレー校に電気工学およびコンピュータ科学の教授として着任し、その後数十年にわたり同大学に在籍した。[ 1 ]彼は学長特別教授(1998年~2001年)およびTSMC特別教授(2001年~2013年)を務め、現在は名誉教授および大学院教授の称号を保持している。[ 5 ]
Hu氏はトランジスタモデリングにおける役割で知られています。[ 6 ] 1995年以来、彼は集積回路(IC)設計の業界標準トランジスタモデリングツールであるBSIM(Berkeley Short-channel IGFET Model)の継続的な開発を主導しており、これはロイヤリティフリーで提供され、数兆ドル相当のIC製品の設計を支えています。[ 7 ]
胡氏は教育や地域社会への貢献活動を支援してきた。イーストベイ中国語学校の理事長(1988~1990年)や特別支援を必要とする子どもたちの友の会の理事長(2015~2017年)を務めた。[ 6 ]カリフォルニア大学バークレー校の陳明胡イノベーションラボとアジアンヘルスサービスの陳明&マーガレット胡医療センターは、彼の名にちなんで名付けられている。[ 8 ]
2001年から2004年まで、胡氏は世界有数の半導体ファウンドリである台湾積体電路製造(TSMC)の最高技術責任者(CTO)を務めた。 [ 9 ]在任中、TSMCは先端チップ製造におけるグローバルリーダーとしての地位を確立する主要技術を進歩させた。[ 10 ]また、サンディスク、インフィ、アンバレラ、ACMリサーチなどのテクノロジー企業の取締役も務めた。
研究
胡氏は、1999年に従来のプレーナー型トランジスタのスケーリング限界を克服した3D薄型トランジスタアーキテクチャであるFinFET(フィン型電界効果トランジスタ)の発明と開発を主導したとされている。 [ 1 ]インテルはFinFETを「50年以上ぶりの半導体技術における最も根本的な変化」と称賛した。この技術は現在、事実上すべての最新のマイクロプロセッサ、スマートフォン、AIチップで使用されている。[ 11 ]
1995年、ムーアの法則の終焉が間近に迫っているとの予測が飛び交う中、フーは、ゲートが3面を囲む薄い隆起チャネルを持つ3次元トランジスタ構造であるFinFETを考案した。[ 12 ] DARPAの資金提供を受けたプロジェクトの下で開発されたFinFETは、リーク電流の低減と25ナノメートル以下のトランジスタのスケーリング継続を可能にした。インテルは2011年にFinFETを商用生産に導入し、この技術は現代のCPU、GPU、AIプロセッサ、モバイルデバイスの基盤となっている。[ 13 ]
FinFETに加えて、HuはICデバイスのスケーリング、信頼性モデリング、低消費電力トランジスタ設計にも貢献した。彼の研究は40年以上にわたり半導体業界を形作ってきた。[ 14 ]
私生活
フーは家族と共にカリフォルニアに住んでおり、レイモンドとジェイソンという2人の息子がいる。[ 11 ]
主な出版物
本
- Hu, Chenming; White, Richard M. (1983).太陽電池:基礎から先進システムまで。McGraw-Hill電気工学シリーズ。ニューヨーク:McGraw- Hill。ISBN 978-0-07-030745-2。
- Cheng, Yuhua; Hu, Chenming (2002). Mosfet Modeling & BSIM3 User's Guide . Boston, MA: Kluwer Academic Publishers. doi : 10.1007/b117400 . ISBN 978-0-306-47050-9。
- Hu, Chenming (2010).集積回路のための最新半導体デバイス. ボストン: Prentice Hall Pearson Education. p. 351. ISBN 978-0-13-608525-6。
- Liu, Weidong; Hu, Chenming (2011). BSIM4とMOSFETモデリングによるICシミュレーション. World Scientific. ISBN 978-981-256-863-2。
- Chauhan, Yogesh Singh; Pahwa, Girish; Dasgupta, Avirup; Lu, Darsen; Venugopalan, Sriramkumar; Khandelwal, Sourabh; Duarte, Juan Pablo; Paydavosi, Navid; Niknejad, Ali (2024)、「BSIM-CMGモデルパラメータ抽出」、Finfet/gaa Modeling for IC Simulation and Design、Elsevier、pp. 251–262、doi : 10.1016/b978-0-323-95729-8.00011-8、ISBN 978-0-323-95729-82025年9月16日取得
- Hu, Chenming; Khandelwal, Sourabh 編 (2019). IC設計のための業界標準FDSOIコンパクトモデルBSIM-IMG . Woodhead出版電子・光学材料シリーズ. Duxford: WP, Woodhead Publishing. ISBN 978-0-08-102402-7。
ジャーナル
- Chenming Hu; Bokor, J.; Tsu-Jae King; Anderson, E.; Kuo, C.; Asano, K.; Takeuchi, H.; Kedzierski, J.; Wen-Chin Lee; Hisamoto, D. (2000). "FinFET - 20 nm までスケーラブルな自己整合型ダブルゲート MOSFET" . IEEE Transactions on Electron Devices . 47 (12): 2320– 2325. Bibcode : 2000ITED...47.2320H . doi : 10.1109/16.887014 . ISSN 0018-9383 .
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- Xuejue Huang; Wen-Chin Lee; Charles Kuo; Hisamoto, D.; Leland Chang; Kedzierski, J.; Anderson, E.; Takeuchi, H.; Yang-Kyu Choi; Asano, K.; Subramanian, V.; Tsu-Jae King; Bokor, J.; Chenming Hu (1999). "Sub 50-nm FinFET: PMOS" . International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318) . IEEE. pp. 67–70 . doi : 10.1109/iedm.1999.823848 . ISBN 0-7803-5410-9。
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- Schuegraf, KF; Chenming Hu (1994). "極低電圧寿命外挿のための正孔注入SiO2ブレークダウンモデル" .IEEE Transactions on Electron Devices . 41 (5): 761–767 . Bibcode : 1994ITED...41..761S . doi : 10.1109/16.285029 . ISSN 0018-9383 .
参考文献
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大学バークレー校のチェンミン・フー氏に国家技術革新勲章が授与されました。信頼性技術、回路設計の業界標準モデル、および半導体技術を根本的に進歩させた最初の3次元トランジスタを含むマイクロエレクトロニクスの先駆的な革新に対して。
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