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BSIM（バークレー短チャネルIGFETモデル）[1]は、集積回路設計用のMOSFETトランジスタモデルのファミリーを指します。また、これらのモデルを開発しているカリフォルニア大学バークレー校の電気工学およびコンピュータサイエンス学部（EECS）にあるBSIMグループも指します。正確なトランジスタモデルは電子回路シミュレーションに必要であり、電子回路シミュレーションは集積回路設計に必要です。プロセス世代ごとにデバイスが小型化するにつれて（ムーアの法則を参照）、トランジスタの動作を正確に反映する新しいモデルが必要になります。
商用および産業用のアナログシミュレータ（ SPICEなど）では、技術が進歩し、以前のモデルが不正確になったため、他の多くのデバイスモデルが追加されました。これらのモデルの標準化を試み、一連のモデルパラメータをさまざまなシミュレータで使用できるようにするため、標準モデルの選択、維持、および使用の促進を行う業界ワーキンググループ、Compact Model Coalitionが結成されました[2]。カリフォルニア大学バークレー校で開発されたBSIMモデルは、これらの標準の1つです。協議会がサポートする他のモデルには、PSP、HICUM、およびMEXTRAMがあります。Wayback Machineで2014-12-28にアーカイブされました。
BSIMモデル
カリフォルニア大学バークレー校が開発し、現在保守しているトランジスタ モデルは次のとおりです。
- BSIM-CMG（共通マルチゲート）[3]
- BSIM-IMG（独立マルチゲート）[4]はソースコードなしで公開されている唯一のモデル（2021年7月13日に公開予定）
- BSIM-SOI（シリコン・オン・インシュレータ）[5]
- BSIM-BULK [6]旧称BSIM6、
- BSIM4 [7] 0.13μm～20nmノードで使用される。
- BSIM3 [8]はBSIM4の前身である。
BSIM モデルの元のバージョンは、 C プログラミング言語で記述されていました。BSIM4 と BSIM3 を除くすべての新しいバージョンのモデルは、Verilog-Aのみをサポートしています。たとえば、C をサポートしていた BSIM-SOI の最後のバージョンは、BSIM-SOIv4.4 でした。
参考文献
- ^ Sheu, Scharfetter & Ko, Jeng (1987 年 8 月)。「BSIM: MOS トランジスタ用 Berkeley ショート チャネル IGFET モデル」。IEEE Journal of Solid-State Circuits。SC -22 (4): 558–566。Bibcode :1987IJSSC..22..558S。doi : 10.1109 /JSSC.1987.1052773。
- ^ 「コンパクトモデル連合 (CMC)」Si2.org。
- ^ 「BSIM-CMG モデル」。BSIM グループ、カリフォルニア大学バークレー校。
- ^ 「BSIM-IMG モデル」。BSIM グループ、カリフォルニア大学バークレー校。
- ^ 「BSIM-SOI モデル」。BSIM グループ、カリフォルニア大学バークレー校。
- ^ 「BSIM-BULK モデル」。BSIM グループ、カリフォルニア大学バークレー校。
- ^ 「BSIM4 モデル」。BSIM グループ、カリフォルニア大学バークレー校。
- ^ 「BSIM3 モデル」。BSIM グループ、カリフォルニア大学バークレー校。