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| CXMT | |
ネイティブ名 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 以前は | Innotron メモリ 合肥長新 合肥瑞麗集積回路製造 |
| 会社種別 | プライベート |
| 業界 | 半導体 |
| 設立 | 2016年5月 |
| 本部 | 、 中国 |
主要人物 | 朱一明（会長兼CEO） |
| 製品 | メモリ |
従業員数 | 3,000 (2019) |
| Webサイト | ホームページ |
長鑫記憶技術（CXMT、中国語：長鑫存储）[a]は、中国の安徽省合肥市に本社を置く、DRAMメモリの生産を専門とする半導体統合デバイスメーカーです。
2020年現在[アップデート]、長鑫は19nmプロセスでLPDDR4とDDR4メモリを製造しており、月産4万枚のウェハの生産能力を持っている。 [1]同社は月産12万枚のウェハに生産量を増やし、2022年末までに17nm LPDDR5を発売する予定であり、長期的には月産30万枚のウェハを目標としている。[2]
歴史
イノトロンは、福建省金華集成電路（JHICC）および西安紫光半導体とともに、コンピュータメモリの世界的メーカーと競争するために2016年に設立された中国の半導体工場群の1つでした。 [3] [4] [5] 2017年には、12インチ（300mm）ウェハを月産125,000枚生産する製造工場を72億ドルで建設する契約が発表されました。[6]イノトロンの工場は2017年半ばまでに完成し、[4] 2017年後半には生産設備が工場に設置されました。試験と量産は2018年後半から2019年初めに予定されていました。 [7] [8] 2018年、CEOの朱一鳴が極端紫外線リソグラフィー装置の購入について話し合うためにASMLを訪問したと報じられました。[8]
当初、Innotronは最初の製品として8GB LPDDR4メモリを選択したと考えられていました。当時、アナリストは特許とIPの問題が大手メーカーとの競争の障壁となると主張していました。[4] 2018年半ばには、19nm 8GB LPDDR4の試作が開始されたと報告されました。[9] Innotronの最初の生産能力は月間約2万枚のウェハで、業界全体から見ると小さな生産量でした。[3]
2019年、社名をChangxin Memory Technologiesに変更したInnotronは、米中貿易戦争に起因する可能性のある技術関連の制裁を回避するために、いくつかの設計変更を行ったと報じられた。[10] 2019年12月、 EE Timesとのインタビューで、同社は最初の工場が稼働しており、月間2万枚のウェハを生産し、19nmで8GBのLPDDR4とDDR4 DRAMを製造していると述べた。[11]
同社は2020年末までに世界のDRAM生産量の3％、つまり月産約4万枚に生産量を増加させると報告されている。[12]
米国連邦政府の禁止
2022年、ジェームズ・M・インホフ2023年度国防権限法は、米国連邦政府がCXMTのチップを購入または使用することを禁止した。[13] 2024年3月、ブルームバーグニュースは、米国商務省産業安全保障局がCXMTに対する制裁を検討していると報じた。 [14]
設備
2019年現在、CXMTは3,000人以上の従業員を抱え、65,000平方メートルのクリーンルームを備えた工場を運営しています。従業員の70％以上が、さまざまな研究開発関連プロジェクトに携わるエンジニアです。CXMTは10G1プロセス技術（別名19nm）を使用して、4GBおよび8GBのDDR4メモリチップを製造しています。同社はもともとQimondaによって作成された知的財産のライセンスを取得しています。[15]
LPDDR4 RAMは2020年に製品ポートフォリオに追加されました。[16]
参照
注記
- ^以前は Innotron Memory、Hefei Chang Xin、またはHefei Rui-li Integrated Circuit Manufacturingとして知られていました。
参考文献
- ^ Mellor, Chris (2020-10-13). 「Micron が中国の DRAM メーカー CXMT に対して訴訟を検討中と報道」Blocks & Files。2021-08-16 時点のオリジナルよりアーカイブ。2021-08-16閲覧。
- ^ “中国のCXMT、今年後半にDDR5市場への参入を目指す”. 2022年2月28日. 2022年9月29日時点のオリジナルよりアーカイブ。2022年3月30日閲覧。
- ^ ab Shilov, Anton (2018年4月25日)、「中国のDRAM産業が翼を広げる：DRAMファブ2つが完成」、www.anandtech.com、2019年1月4日時点のオリジナルよりアーカイブ、2019年1月4日閲覧
- ^ abc 「中国の3大メモリ企業は2018年後半に試験生産を開始し、2019年に正式生産を開始する予定とTrendForceが発表」trendforce.com、2018年4月19日、2019年1月4日時点のオリジナルよりアーカイブ、 2019年1月4日閲覧。
- ^ 「中国、初の国産DRAMチップ生産へ」日経アジアレビュー。2019年6月12日。2020年5月15日時点のオリジナルよりアーカイブ。2020年5月15日閲覧。
- ^ 「中国企業、19nm DRAM技術開発に180億元を投資」、chinaflashmarket.com、2017年10月31日[永久リンク切れ ]
- ^ Roos, Gina (2018年4月26日)、「3つの中国企業が2018年にメモリIC生産を開始」、epsnews.com、2019年1月4日時点のオリジナルよりアーカイブ、2019年1月4日閲覧
- ^ ab Ting-Fang, Cheng (2018年10月22日)、「中国の国営チップメーカー、米国の抵抗の中欧州をターゲットに」nikkei.com、2019年1月4日時点のオリジナルよりアーカイブ、 2019年1月4日閲覧。
- ^ マナーズ、デイビッド（2018年7月19日）「中国のメモリ生産が近づく」www.electronicsweekly.com、2019年1月4日時点のオリジナルよりアーカイブ、 2019年1月4日閲覧。
- ^ 程廷芳（2019年6月12日）「中国、初の国産DRAMチップ生産へ 長鑫メモリー、米技術を抑制し貿易戦争の影響回避」日経新聞、2020年2月15日時点のオリジナルよりアーカイブ、 2020年2月14日閲覧
- ^ 吉田順子 (2019年12月3日)、「長新が中国初かつ唯一のDRAMメーカーとして台頭」、www.eetimes.com、2019年12月8日時点のオリジナルよりアーカイブ、 2019年12月16日閲覧。
- ^ 「中国のメモリーチップ生産量、世界全体の0から5%に急拡大」日経新聞。 2019年11月20日。2020年3月29日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2020年5月15日閲覧。
- ^ 「米国、中国企業36社を貿易ブラックリストに追加」。フィナンシャル・タイムズ。2022年12月15日。2023年10月13日時点のオリジナルよりアーカイブ。2022年12月17日閲覧。
- ^ 「ブルームバーグ通信によると、米国は中国の半導体進出を抑制するためCXMTのブラックリスト化を検討中」ロイター2024年3月9日2024年3月9日閲覧。
- ^ Shilov, Anton (2019年12月2日)、「ChangXin Memory Technologies (CXMT) が Qimonda IP を使用して中国製 DRAM を増強中」、www.anandtech.com、2020年4月27日時点のオリジナルよりアーカイブ、 2020年4月22日閲覧
- ^ 「中国の半導体企業が急成長」비즈니스코리아 - BusinessKorea（韓国語）。2020年2月28日。2020年2月29日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2020年2月29日閲覧。
外部リンク
- 公式サイト