ビスワ・ランジャン・ナグ

ビスワ・ランジャン・ナグ（1932年10月1日 - 2004年4月6日）はインドの物理学者であり、カルカッタ大学ラジャバザール科学大学のシシル・クマール・ミトラ教授であった。半導体物理学の研究で知られるナグは、インド国立科学アカデミーとインド科学アカデミーのフェローに選出された。インド政府の科学研究の最高機関である科学産業研究評議会は、1974年に物理科学への貢献に対して、インドで最も権威のある科学賞の1つであるシャンティ・スワルプ・バトナガル科学技術賞をナグに授与した。^{[1] [注 1]}

BRナグは1932年10月1日、イギリス領インドの未分割ベンガル地方（現在のバングラデシュ）のダッカ・チッタゴン・ハイウェイ沿いの都市コミラでサイラバラ・ナグとサティヤランジャン・ナグの息子として生まれた。1949年から1951年にかけてカルカッタのプレジデンシー・カレッジで大学院課程を修了し、 1954年にカルカッタ大学ラジャバザール科学カレッジキャンパスの無線物理電子工学研究所（IRE）で技術の修士号（M.Tech.）を取得した。 ^[2]彼は1956年にIREの教員としてキャリアをスタートさせ、同時にアルン・K・チョードリーの指導の下、博士課程に進んだ。その間に、彼はウィスコンシン大学で1年間過ごし、1959年に修士号を取得した。ナグ氏は博士課程を再開するためにカルカッタに戻り、1961年に博士号を取得した。教職を続け、1968年に教授となった。^[3]さらに研究を続け、 1972年にカルカッタ大学で理学博士号を取得した。 ^[4]彼は大学で通常の学歴を務め、1997年に定年退職した後も同大学のシシル・クマール・ミトラ教授として関わり続けた。^{[5]その間に、彼は}グウィネズ州バンガーで連邦客員教授も務めた。^[4]

ナグはムリドゥラ・ロイ・チョウドリーと結婚し、ビスワディープとムリドゥチャンダの2人の子供をもうけた。彼は2004年4月6日にコルカタで71歳で亡くなった。^[2]

ナグの研究は半導体に焦点を当てており、高電気抵抗の固体における電気輸送現象に関する理解を深めるのに役立ちました。^[6]カルカッタ大学での初期の頃、彼は半導体特性のマイクロ波測定に関する研究に従事する学生グループを率い、ガン効果とマイクロ波放射に関する高度な研究を行いました。^[2]彼は、 2次元電子ガスとその合金散乱限界移動度の温度非依存性を実証しましたが、これは初めての発見でした。^{[4] [7]彼の研究は、狭い}量子井戸における電子エネルギー分散の非放物線的性質を明らかにし、これにより、有限の障壁高さと井戸幅を持つ​​量子井戸の界面粗さ散乱限界移動度の理論を修正しました。液相エピタキシー半導体III-V化合物、音響電気効果と自由キャリア吸収、ホットエレクトロン電流磁気輸送に関連するジニ比とSi係数は、彼の他の研究分野の一部です。^[2]彼は半導体に関する電子輸送理論の発展に貢献し、速度相関、拡散、ノイズパラメータに関連する係数を計算するモンテカルロ法を開発した。 ^[3]彼の研究は、マイクロ波通信やレーダーの分野、特にマイクロ波半導体デバイスの開発に関連していると報告されている。^{[8]彼の研究は多数の論文[注 2]}として文書化されており、インド科学アカデミーの論文リポジトリには 190 の論文が掲載されている。^[9]彼は 3 つのモノグラフ、半導体における電気輸送の理論、^[10]量子井戸デバイスの物理学^[11]および化合物半導体における電子輸送^[12]を執筆しており、最後のものは研究者にとって重要な参考文献であると報告されている。^[2]彼はまた、他の人が出版した本に章を寄稿しており^{[13] [14] [15]}、彼の研究は多数の本で引用されている。^{[16] [17] [18] [19] [20]}

インド国立工学アカデミーの創設フェローであるナグ氏は、^[2] 1964年に英国無線技術者協会のJCボーズ記念賞を受賞した。^[3]科学産業研究評議会は1974年にインド最高の科学賞の一つであるシャンティ・スワルプ・バトナガル賞を授与した。 ^[21]彼は1975年にジャワハルラール・ネルー・フェローに選ばれ^[22]、インド国立科学アカデミーは1978年に彼をフェローに選出した。 ^[23]同アカデミーは1993年に彼に材料科学に関するINSA賞を再び授与した。^[24]彼はインド科学アカデミーの選出フェローとなった。^[25]カルカッタ大学の無線物理電子工学部はナグ氏が学術職を引退した翌年の1998年に彼を称えて国際コンピュータおよび通信用デバイス会議（CODEC）という年次会議を設立した。^[5]

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