アンナ・フォントクベルタ・イ・モラル

教授 アンナ・フォントクベルタ・イ・モラル
アンナ・フォントクベルタ・イ・モラル
生まれる	1975年（48～49歳）
市民権	スペイン、スイス
受賞歴	ロドルフ・アンド・ルネ・エニー財団賞（2012年） EPSエミー・ネーター賞（2015年）
学歴
教育	物理学 材料科学
母校	バルセロナ大学 ソルボンヌ大学 パリ ノール エコール ポリテクニック
博士課程の指導教員	ペレ・ロカ・イ・カバロカス
その他のアドバイザー	ハリー・A・アトウォーター
学術研究
規律	物理学 材料科学
機関	ローザンヌ連邦工科大学(EPFL)
主な関心事	ナノテクノロジー 半導体ナノ構造 分子線エピタキシー 太陽電池
Webサイト	https://www.epfl.ch/labs/lmsc/

アンナ・フォントクベルタ・イ・モラル（1975年生まれ）は、スペインとスイスの 物理学者、材料科学者である。彼女の研究は、太陽電池の製造に応用されるナノテクノロジーに焦点を当てている。彼女は、ローザンヌ連邦工科大学（EPFL）の教授であり、半導体材料研究所の所長である。^{[1] [2] [3]}

フォントクベルタ・イ・モラルはバルセロナ大学で物理学を学び、1997年に学士号を取得。翌年、パリ北ソルボンヌ大学で材料科学のディプロマ（Diplôme d'Etudes Approfondis、DEA）を取得。大学院生として、フランスのパレゾーにあるエコール・ポリテクニークのペレ・ロカ・イ・カバロカスのグループに参加し、2001年に多形シリコンの博士号を取得して卒業。^{[4]その後、}カリフォルニア工科大学に進み、ハリー・A・アトウォーターのもとでポスドク研究員として働いた。^[5]

2003年、彼女はエコール・ポリテクニークのフランス国立科学研究センターの常勤研究員になった。2004年から2005年まで、彼女はカリフォルニア工科大学の客員研究員だった。この間、彼女は多接合太陽電池の製造における層を専門とする新興企業Aonex Technologiesを共同設立した。^{[6]マリー・キュリー・エクセレンス・グラントの支援を受けて、彼女は2005年に}ミュンヘン工科大学のウォルター・ショットキー研究所のチームリーダーになり、2009年にはそこで物理学の資格も取得した。^{[7] [8]}そこで、彼女はヒ素ベースのナノワイヤに関する独立した研究活動を開始した。

2008年、彼女はEPFL工学部材料科学工学研究所に助教授として加わりました。2014年と2019年には、准教授、教授に昇進しました。^{[9] [3]}彼女は半導体材料研究所の創設者であり、所長です。^{[2] [10]} 2021年1月から、彼女はEPFLのセンターとプラットフォームの副学長を務めています。^[11]彼女はまた、2018年から2020年までEPFL WISH財団の会長を務めました。この財団の目標は、キャンパス内の女子学生がキャリアで活躍できるように支援することです。^[12]

スイス連邦議会は、2025年1月1日から4年間の任期で彼女をEPFLの第6代学長に任命し、マーティン・ヴェッテルリの後任となる。彼女はこの職に就く初の女性である。^[3]

フォントクベルタ・イ・モラルは物理学、材料科学、工学の境界で研究しており、量子科学、再生可能エネルギーの生産、持続可能な材料設計に焦点を当てています。^{[13] [14]}彼女の研究ベンチャーは、半導体ナノ構造の合成と特性評価、特に新しいナノ電子システムとナノフォトニックシステムに応用するためのナノワイヤを目指しています。^{[15] [16]彼女は、}ゲルマニウム、ゲルマニウムスズ、リン化亜鉛、III-ヒ素、III-アンチモンなどの化合物と合金に基づく新しい半導体を研究しています。 ^{[17] [18] [19]}

2012年、彼女はEPFLのロドルフ・アンド・ルネ・エニー財団賞を受賞した。^{[20] 2015年には、}欧州物理学会から「注目すべき女性物理学者」に与えられるエミー・ネーター賞を受賞した。^[6]

彼女は欧州研究会議とスイス国立科学財団から名誉ある研究助成金を受けています。^[21]

• クログストラップ、ピーター。ヨルゲンセン、ヘンリック・インゲルスレフ;ハイス、マーティン。デミシェル、オリヴィエ。ホルム、イェッペ V.アーゲセン、マーティン。ナイガード、ジェスパー。フォンクベルタ・イ・モラル、アンナ（2013）。 「ショックレー・クワイサー限界を超えるシングルナノワイヤ太陽電池」。ネイチャーフォトニクス。7 (4): 306–310。arXiv : 1301.1068。Bibcode :2013NaPho...7..306K。土井：10.1038/nphoton.2013.32。S2CID  6096888。
• ドゥムセンコ、ドゥミトル。オフチニコフ、ドミトリー。マリノフ、コリヨ。ラジッチ、プレドラッグ。ジベルティーニ、マルコ。マルツァリ、ニコラ。サンチェス、オリオール・ロペス。クン、イェンチェン。クラスノゾン、ダリア。チェン、ミンウェイ。ベルトラッツィ、シモーネ。ジレット、フィリップ。フォンクベルタ・イ・モラル、アンナ。アレクサンドラ・ラデノビッチ;キス、アンドラス (2015)。 「大面積エピタキシャル単層 MoS2」。ACSナノ。9 (4): 4611–4620。土井：10.1021/acsnano.5b01281。PMC  4415455。PMID  25843548。
• スピルコスカ、D.アルビオル、J.グスタフソン、A. Conesa-Boj、S.グラス、F.ザルド、I。ハイゴルト、M.ガス、MH;アラバマ州ブレロック。エストラーデ、S.カニバー、M.ロスラー、Ｊ．ペイロ、F.モランテ、JR。アブストライター、G.サミュエルソン、L.フォンクベルタ・イ・モラル、A. (2009)。 「高品質の閃亜鉛鉱/ウルツ鉱型Ga Asナノワイヤヘテロ構造の構造的および光学的特性」。物理的レビュー B . 80 (24): 245325.arXiv : 0907.1444。Bibcode :2009PhRvB..80x5325S。doi :10.1103/PhysRevB.80.245325. S2CID  2683.
• Colombo, C.; Spirkoska, D.; Frimmer, M.; Abstreiter, G.; Fontcuberta i Morral, A. (2008). 「分子線エピタキシーによるGa Asナノワイヤの Ga 支援触媒フリー成長メカニズム」. Physical Review B. 77 ( 15): 155326. Bibcode :2008PhRvB..77o5326C. doi :10.1103/PhysRevB.77.155326.
• ハイス、M.フォンタナ、Y.グスタフソン、A.ヴスト、G.マゲン、C.オリーガン、DD;ルオ、JW。ケテラー、B. Conesa-Boj、S.クールマン、AV;ハウエル、J.ルッソ・アヴェルキ、E.モランテ、JR。カントーニ、M.マルザリ、N.アルビオル、J.ツンガー、A.ウォーバートン、RJ;フォンクベルタ・イ・モラル、A. (2013)。 「量子フォトニクスのためのナノワイヤシステムにおける自己組織化量子ドット」(PDF)。自然素材。12 (5): 439–444。Bibcode :2013NatMa..12..439H。土井：10.1038/nmat3557。PMID  23377293。
• エスコバー・スタインヴァル、サイモン。スタッツ、エリアス Z.ポール、ラジルパ。ザマニ、マフディ。ザド、ネルソン Y.ヴァレリオ広場。フリードル、マーティン。デ・メストラル、ヴィルジニー。レラン、ジャン＝バティスト。ザマーニ、レザ R.フォンクベルタ・イ・モラル、アンナ（2021）。 「地球上に豊富に存在する吸収体リン化亜鉛のナノパターニングによる欠陥のない薄膜を目指して」。ナノスケールの進歩。3 (2): 326–332。Bibcode :2021NanoA...3..326E。土井: 10.1039/D0NA00841A。PMC  9418067。PMID  36131749。
• Güniat , Lucas; Caroff, Philippe; Fontcuberta i Morral, Anna (2019). 「半導体ナノワイヤの気相成長：重要な開発と未解決の問題」。Chemical  Reviews。119 ( 15 ): 8958–8971。doi : 10.1021/ acs.chemrev.8b00649。PMID 30998006。

• Google Scholarにインデックスされた Anna Fontcuberta i Morral の出版物
• ORCIDに掲載されている出版物
• Publons に掲載されている出版物
• 半導体材料研究室のウェブサイト