アキントゥンデ

アキントゥンデ・イビタヨ・アキンワンデ^[1]は、マサチューセッツ工科大学の電気工学およびコンピュータサイエンス学部のナイジェリア系アメリカ 人 工学教授^[2] である。^[3]彼はナイジェリア電力規制委員会（NERC）の委員長に任命されており、雇用主から許可が得られ次第、任命を尊重すると述べている。^[4]

アキントゥンデはクワラ州オファで生まれた。^[5]彼はイバダンの政府大学に通った。彼はイレフェのオバフェミ・アウォロウォ大学で電気電子工学の学士号（1978年）、 修士号（1981年）、カリフォルニア州スタンフォード大学で電気工学の博士号（1986年）を取得した。^[1]

アキンワンデは1986年にミネソタ州ブルーミントンにあるハネウェル社のテクノロジーセンターで科学者として働き始め、当初は超高速で低電力の信号処理のためのガス相補型FET技術を研究した。^[6]彼は1995年1月にマサチューセッツ工科大学（MIT）の電気工学・コンピュータサイエンス学部とマイクロシステム技術研究所（MTL）の准教授になり、圧力センサー、加速度計、薄膜電界放出およびディスプレイデバイス、マイクロファブリケーションと電子デバイス、特にスマートセンサーとアクチュエーター、インテリジェントディスプレイ、大面積エレクトロニクス（マクロエレクトロニクス）と電界イオン化デバイス、質量分析法と電気推進について研究した。^[7]彼はRFマイクロ三極管パワーアンプとフラットパネルディスプレイ用の薄膜エッジ電界放出アレイを開発し、薄膜エッジの可能な使用法を実証した。^[8]

彼の研究は次のような点にも焦点を当てています。

• センサーやアクチュエーター、真空マイクロエレクトロニクス用のマイクロ構造とナノ構造。
• 大面積電子機器およびフラットパネルディスプレイ用デバイス
• 大面積エレクトロニクス向けリソグラフィーパターン化金属酸化物 トランジスタ
• ポータブル質量分析計用CNTベースのオープンアーキテクチャイオン化装置
• 電子デバイス用面内および面外SWNTの成長研究
• Si ピラー上の高電流 CNT FEA
• バッチ製造線形四重極質量フィルター^{[9] [10] [11]}

彼は 2004 年にナイジェリア高等教育財団を共同設立しました。次のようなさまざまな会議の技術プログラム委員会で活動してきました。

• デバイス研究会議、
• 国際電子デバイス会議、
• 国際固体回路会議、
• 国際ディスプレイ研究会議
• 国際真空マイクロエレクトロニクス会議。

• ケンブリッジ大学工学部客員教授^[12]
• 2002年から2003年までチャーチル大学の海外研究員。 ^[13]
• IEEEナノテクノロジー評議会会員。^[14]

• スウェット賞ハネウェル技術賞（1989年）^[15]
• 国立科学財団（NSF）キャリア賞（1996年）^[12]
• 2008年IEEEフェロー^[16]

彼は 100 を超えるジャーナルや出版物を執筆しています。

• MEMS、フレキシブル基板上の電子機器、ディスプレイに関する多数の特許。^[17]
• 使い捨てで永久的に密封可能なマイクロバルブ。^[18]
• ダイヤフラム位相フィールドエミッターと微細構造を製造するためのバックフィル法。^[19]
• 個別に切り替え可能な電界放出アレイ。^[20]
• 有機電界放出デバイス。^{[11] [21] [22] [23]}

「Akintunde Akinwande、MIT」。