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サイリスタRAM ( T-RAM ) は、T-RAM Semiconductor 社が 2009 年に発明、開発したランダム アクセス メモリの一種で、通常のメモリ セルの設計とは異なり、高密度と高速というDRAMとSRAMの長所を組み合わせたものです。 [要出典]負性微分抵抗と呼ばれる電気的特性を利用し、薄型容量結合サイリスタと呼ばれるこのテクノロジ[1]は、非常に高いパッキング密度が可能なメモリ セルを作成するために使用されます。このため、メモリは拡張性が高く、従来の6T SRAMよりも数倍高いストレージ密度を既に備えています。次世代の T-RAM メモリは DRAM と同じ密度になると予想されていました。 [誰が? ]
この技術は、負性微分抵抗として知られる電気的特性を利用し、メモリ セルの構築方法に特徴があり、スペースの点では DRAM の効率性、速度の点では SRAM の効率性を兼ね備えています。現在の 6T-SRAM、つまり 6 セル トランジスタを備えた SRAM メモリと非常によく似ていますが、各セルの 6 トランジスタのうち 4 トランジスタで構成される SRAM ラッチ CMOS が、単一サイリスタのバイポーラ ラッチ PNP -NPN に置き換えられている点で大きく異なります。その結果、各セルが占める領域が大幅に削減され、現在の SRAM よりも数倍高いストレージ密度にすでに達している高度にスケーラブルなメモリが得られます。
Thyristor-RAM は、さまざまな統合メモリの中で最高の密度/パフォーマンス比を提供し、SRAM メモリのパフォーマンスに匹敵しながらも、2 ～ 3 倍のストレージ密度と低い消費電力を実現します。新世代の T-RAM メモリは、DRAM と同じストレージ密度を持つことが期待されています。
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参考文献
- ^ “T-R a M”. 2009年5月23日時点のオリジナルよりアーカイブ。2009年9月19日閲覧。技術の説明
外部リンク
- T-RAMセミコンダクター
- T-RAMの説明
- Farid Nemati (T-RAM Semiconductor)、サイリスタ RAM (T-RAM): 高速高密度組み込みメモリ。ナノスケール CMOS 向けテクノロジ / 2007 Hot Chips カンファレンス、2007 年 8 月 21 日
- EE Times: GlobalFoundries が 32nm ノードでサイリスタ RAM を採用
- Semiconductor International: GlobalFoundries が 22 nm ロードマップを発表[永久リンク切れ ]