Z-RAM

Z-RAM は、状態を維持するためにコンデンサを必要としない、現在は廃止されたダイナミック ランダム アクセス メモリ技術の商標です。Z-RAM は、現在は消滅した Innovative Silicon という会社によって 2002 年から 2010 年にかけて開発されました。

Z-RAM は、トランジスタを隔離されたタブに配置する (トランジスタのボディ電圧はタブの下のウェーハ基板に対して「浮遊」する) シリコン オン インシュレータ (SOI) プロセスの副産物であるフローティング ボディ効果に依存しています。フローティング ボディ効果により、タブの底部と下にある基板の間に可変容量が発生します。フローティング ボディ効果は通常、回路設計を悩ませる寄生効果ですが、別のコンデンサを追加せずに DRAM のようなセルを構築することもできます。この場合、フローティング ボディ効果が従来のコンデンサの代わりとなります。コンデンサはトランジスタの下に配置されているため (従来の DRAM のようにトランジスタに隣接または上にあるのではなく)、「Z-RAM」という名前には、負の Z 方向に伸びるという意味もあります。

理論的には、セル サイズを縮小すると、より高密度のストレージが可能になり、その結果 (大きなブロックで使用する場合)、データがブロックから出るときに移動する物理的な距離が短縮されるため、アクセス時間が改善される可能性があります。大容量のキャッシュ メモリ (通常、高性能マイクロプロセッサに搭載されているもの) の場合、Z-RAM は従来のオンプロセッサ (L1/L2) キャッシュに使用される SRAM と同等の速度を実現でき、表面積 (したがってコスト) も小さくなります。ただし、従来の SRAM の製造技術の進歩 (最も重要なのは、32nm 製造ノードへの移行) により、Z-RAM はサイズの利点を失いました。

AMD は 2006 年に第 2 世代 Z-RAM のライセンスを取得しましたが、プロセッサ製造元は 2010 年 1 月に Z-RAM 計画を断念しました。同様に、DRAM 製造元の Hynix も 2007 年に DRAM チップで使用するために Z-RAM のライセンスを取得しており、Innovative Silicon は 2010 年 3 月に低コストのバルク CMOS 技術で製造できる非 SOI バージョンの Z-RAM を共同開発していると発表しましたが、Innovative Silicon は 2010 年 6 月 29 日に閉鎖しました。その特許ポートフォリオは 2010 年 12 月に Micron Technology に買収されました。