セミクロン

セミクロンインターナショナル株式会社
会社種別	有限会社
設立	1951
本部	ニュルンベルク、ドイツ
主要人物	ドミニク・ドルフナー; ピーター・ゾントハイマー;
製品	半導体
収益	4億5,290万ユーロ (2020年)
従業員数	4,000 (2020)
Webサイト	セミクロンダンフォス

セミクロンは、ドイツを拠点とするパワー半導体部品の独立系メーカーです。同社は、1951年にフリードリヒ・ヨーゼフ・マーティン博士によってニュルンベルクで設立されました。2019年現在、同社は24の子会社（世界中）に3,000人以上の従業員を擁し、ドイツ、ブラジル、中国、フランス、インド、イタリア、スロバキア、米国に生産拠点を置いています。

ダイオード/サイリスタモジュールの分野では、セミクロンは世界市場の30%のシェアを持つマーケットリーダーです。^[3]

製品

セミクロンの製品範囲は、チップ、個別のダイオード/サイリスタ、パワーモジュール ( IGBT / MOSFET /ダイオード/サイリスタ/CIB/IPM)、ドライバおよび保護コンポーネント、統合サブシステムなど、1kW から 10MW までの 11,600 種類のパワー半導体で構成されています。

セミクロンは、他の開発の中でも、世界初の絶縁型電源モジュールを発明しました。

組織の重要な革新には次のようなものがあります。

2010 SKAI 3相コンバータシステム最大250kVA
2009 SKiiP4 インテリジェントパワーモジュール（3600 A）風力および牽引アプリケーション用
2008 MiniSKiiP IPMは、はんだ付け不要の組み立てが可能な初のインテリジェントパワーモジュールです。
2008 完全デジタル信号処理のSKYPER
2007 SKiM ハイブリッド車用 100% はんだフリー IGBT モジュール
2007 焼結技術 - 信頼性の高い焼結がはんだ付け工程に取って代わる
2006 ソフトスタートデバイス向け SEMiSTART
2005 電気接続用のはんだ付け不要のスプリング接点を備えたSEMiX整流器
2004 SKYPER IGBT ドライバファミリ
2003 SEMiX、電気接続用のはんだ付け不要のスプリング接点を備えた250～900Aの初のフラットIGBTハーフブリッジファミリー
2002 MiniSKiiPII 最大30kWのコンバータ・インバータ・ブレーキモジュールの第2世代
2001 ハイブリッド電気駆動用統合コンバータ
2000 低電力整流器: 標準、高速、超高速アキシャルダイオード、ショットキーダイオード、ツェナーダイオード、プレスフィットダイオード、低レベル整流ブリッジ、SMD
1999 SKiM 6パックIGBTモジュール（ドライバエレクトロニクス付き）
1998 PCBアセンブリ用のはんだピンを備えた SEMITOP 整流回路
1996年 MiniSKiiP は、はんだ付け不要のスプリングコンタクト技術を採用した初の統合型 IGBT 整流回路です。
1996 スプリングテクノロジー - スプリング接点によりはんだ付け不要の電気接続が可能
1995 ASICはMOSFETとIGBTモジュールを制御するために使用される電子アセンブリを最適化します
1992 広く評価されている特性を持つ高速でソフトなフリーホイールダイオード (CAL-Diode)
1992 SKiiP、高出力アプリケーション向けの統合ドライバとSKiiP圧力接触技術100-1200 A / 600-1200 Vを備えた最初のIPM（インテリジェントパワーモジュール）
1992 SKiiPテクノロジー - 圧力接触技術、はんだ付け銅ベースプレートなし、はんだ層が少ない、耐用年数の延長
1987 SEMITRANS 電気自動車、高周波発電機、誘導加熱、レーザー用MOSFETモジュール
1984 バイポーラダーリントントランジスタモジュール SEMITRANS
1981 高速サイリスタとダイオードを搭載したSEMIPACKモジュール。ガラスパッシベーションとスクエアチップの導入
1976 直流駆動装置および交流コンバータ用ディスク型サイリスタ
1974年、世界初の絶縁型サイリスタ/ダイオードモジュールであるSEMIPACKが誕生。現在では6世代目となり、業界標準となっています。今日、セミクロンはダイオード/サイリスタモジュールの世界的なマーケットリーダーです。
1967 可変速DCドライブ、3相ソフトスタート装置、3相AC電力コントローラ用の最初のサイリスタ
1964年ラジオやテレビで使用するための世界初の直接PCB組み立て用1Aプラスチックダイオード
1963年、初のカプセル化ブリッジ整流器、エレクトロニクス業界全体に定着した革新的なプラスチックブリッジ
1961年世界初のアバランシェ整流ダイオードの開発
1959年シリコンウェハーで作られた最初のシリコンダイオード。当時、2.5～300Aの電力範囲は驚くほど高い値でした。
1954年セミクロン半導体製造開始：セレン整流板およびセレンサージ電圧保護装置

アプリケーション

セミミクロンによれば、2022年に年間設置される風力発電の40％に同社の技術が組み込まれる予定である。^[4]「セミミクロンインサイド」は、再生可能エネルギー源やハイブリッド車などの新市場のほか、電気駆動装置、溶接機、エレベーター、電源、ポンプ、コンベアベルト、電車、路面電車などの産業用途の商標となっている。

文学

アプリケーションマニュアルパワー半導体^[5]

出典

^ 「法的通知」。セミクロン・ダンフォス。 2023年2月6日閲覧。
^ ab 「SEMIKRON at a glance」。Semikron Danfoss 。 2019年2月17日閲覧。
^ IMS Research「世界のパワー半導体市場2010」。2022年3月、SemikronとDanfoss Silicon Powerは合併してSemikron Danfossを設立すると発表しました。
^ 「SEMIKRONの概要」www.semikron-danfoss.com . 2022年10月13日閲覧。
^ Wintrich, Arendt; Nicolai, Ulrich; Tursky, Werner; Reimann, Tobias (2015). Semikron (編). アプリケーションマニュアルパワー半導体 (第2改訂版). ISLE Verlag. ISBN 978-3-938843-83-3. 2019年2月17日閲覧。

外部リンク

セミクロンダンフォス

[semikron_impressum-1] 「法的通知」。セミクロン・ダンフォス。 2023年2月6日閲覧。

[Semikron_about-2] 「SEMIKRON at a glance」。Semikron Danfoss 。 2019年2月17日閲覧。

[3] IMS Research「世界のパワー半導体市場2010」。2022年3月、SemikronとDanfoss Silicon Powerは合併してSemikron Danfossを設立すると発表しました。

[4] 「SEMIKRONの概要」www.semikron-danfoss.com . 2022年10月13日閲覧。

[5] Wintrich, Arendt; Nicolai, Ulrich; Tursky, Werner; Reimann, Tobias (2015). Semikron (編). アプリケーションマニュアルパワー半導体 (第2改訂版). ISLE Verlag. ISBN 978-3-938843-83-3. 2019年2月17日閲覧。