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サンジェイ・バネルジー | |
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 サンジェイ・バネルジー教授が、マイクロエレクトロニクス研究センターでの仕事についてジョン・ケリー元国務長官と話し合う（2016年4月）。[1] | |
| 母校 | イリノイ大学アーバナシャンペーン校(Ph.D.) インド工科大学カラグプル校(B.Tech.) |
| 受賞歴 | 2014 IEEE アンドリュー・S・グローブ賞 2003電気化学会トーマス・D・カリナン賞 2000 IEEEミレニアムメダル 1988全米科学財団 大統領若手研究者賞 |
| 科学者としてのキャリア | |
| フィールド | 電気工学 |
| 機関 | テキサス大学オースティン校 |
| 博士課程の指導教員 | ベン・G・ストリートマン |
| Webサイト | banerjeelab.mer.utexas.edu |
サンジェイ・バナージーは、テキサス大学オースティン校のアメリカ人エンジニアであり、マイクロエレクトロニクス研究センター[2]の所長、およびサウスウェストナノエレクトロニクスアカデミー（SWAN）の所長を務めています。SWANは、 MOSFETの代替品を開発するために半導体研究会社によって資金提供されている米国の3つのセンターのうちの1つであり、ナノエレクトロニクス研究イニシアチブ（NRI）の一環として開発されています。 [3]
キャリア
バネルジー氏はテキサス大学でコックレル ファミリー リージェンツ チェア プロフェッサーを務め、60 名以上の博士課程の学生と 70 名以上の修士課程の学生を指導してきました。
研究
1986年、彼はテキサス・インスツルメンツ社が世界初の4メガビットDRAMに使用したポリシリコントランジスタとダイナミックランダムアクセストレンチメモリセルに関する研究でIEEE国際固体回路会議で最優秀論文賞を受賞した。彼は世界初の3端子MOSトンネルFETとフラッシュメモリ用初の高k誘電体/シリコンゲルマニウム量子ドットゲートを実証した。[4]彼は2D材料とスピントロニクスに基づくCMOSを超えるナノ電子トランジスタ、高度なMOSFETの製造とモデリング、太陽電池の分野で活躍している。[5] [6] [7]
出版物
彼は650以上のアーカイブされた査読付きジャーナル出版物と会議講演を持ち、[8] 30の米国特許を保有しています。彼はコックレル工学部の元学部長 ベン・G・ストリートマンと共著で、現在第7版となっている教科書「固体電子デバイス」を 執筆しています。
栄誉と賞
バネルジーは1996年に電気電子技術者協会のフェロー、 2006年にアメリカ物理学会のフェロー、2007年にアメリカ科学振興協会のフェローに選出された。受賞歴には、2014年IEEEアンドリュー・S・グローブ賞、[4] 2008年コックレル工学部ビリー・アンド・クロード・R・ホコット優秀百年祭工学研究賞、[9] 2005年インド工科大学カラグプル校優秀卒業生賞、2003年電気化学会トーマス・D・カリナン賞、2000年IEEEミレニアムメダル、1988年国立科学財団 大統領若手研究者賞（レーザー強化分子線エピタキシーによる高速光電子デバイスとVLSI構造に対する）などがある。[10]
参考文献
- ^ DeCiutiis, Hannah Jane (2016年4月29日). 「ケリー氏の訪問は、コックレルスクールの再生可能エネルギーにおけるリーダーシップを強調 - コックレル工学部」www.engr.utexas.edu 。 2017年7月13日閲覧。
- ^ 「マイクロエレクトロニクス研究センター」 utexas.edu . 2017年8月26日閲覧。
- ^ 「South West Academy of Nanoelectronics」. src.org . 2017年8月26日閲覧。
- ^ ab “IEEE IEEE Andrew S. Grove Award Recipients”. IEEE . 2010年4月7日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2017年7月13日閲覧。
- ^ “Sanjay Banerjee”. utexas.edu . 2016年12月11日閲覧。
- ^ 「Banerjee, Sanjay」. worldcat.org . 2016年12月11日閲覧。
- ^ “BanerjeeLab”. utexas.edu . 2017年8月26日閲覧。
- ^ 「Sanjay K Banerjee、研究成果、UT Austin」。utexas.influuent.utsystem.edu 。2017年7月13日閲覧。
- ^ Lavorgna, Terri. 「Billy & Claude R. Hocott Distinguished Centennial Engineering Research Award - Cockrell School of Engineering」www.engr.utexas.edu 。 2017年7月13日閲覧。
- ^ 「NSF Award Search: Award#8858352 - Presidential Young Investigator Award: High Speed Optoelectronic Devices and VLSI Structures by Laser Enhanced Epitaxy」。www.nsf.gov 。 2017年7月13日閲覧。