オアナ・ユルチェスク

オアナ・ユルチェスクはルーマニアの物理学者で、ウェイクフォレスト大学のベイカー家物理学教授です。彼女の研究は、有機半導体および有機/無機ハイブリッド半導体における電荷輸送について検討しています。2022年、彼女は有機電子材料を実際のデバイスに変換する研究により、 全米科学財団特別創造性賞を受賞しました。

ユルチェスクはルーマニアのティミショアラ西大学の学部生でした。^[1]彼女は博士研究のためにオランダのフローニンゲン大学に移り、そこで光電子デバイス用の有機半導体を研究しました。彼女は国立標準技術研究所で博士研究員を務めました。^[1]

2009年、ユルチェスクはウェイクフォレスト大学の物理学部に加わった。彼女の研究は、新しい機能性材料とそれらの電子デバイスへの応用についてである。彼女は特に、有機半導体と有機無機ハイブリッド半導体を研究し、それらが大面積で柔軟な電子デバイスを実現する方法を研究してきた。^{[2] [3]}

ユルチェスクは医師と協力し、がん治療を受けている患者のための有機電界効果トランジスタベースの放射線検出器を実現した。2,8-ジフルオロ-5,11-ビス(トリエチルシリルエチニル)アントラジチオフェン (diF-TES ADT) をベースにしたこれらのデバイスは、患者の皮膚の放射線レベルをリアルタイムで監視する生体内線量計として機能した。 ^[4]ユルチェスクは、高い電荷キャリア移動度を追求するだけでなく、有機電子デバイスの性能と寿命を妨げる可能性のある劣化経路にも興味を持っている。^{[5] [6]}

ユルチェシューは2021年にベイカーファミリー物理学教授に任命されました。^[7] 2022年に彼女はOSCAR（加速精製による計算による有機半導体）の開発に対してNSF特別創造性賞を受賞しました。^{[8] [9]} OSCARは商業化を加速するために新しい機能性分子材料の開発を目指しています。^[10]

• 2012年ウェイクフォレスト大学教員基金フェローシップ^[11]
• 2013年ウェイクフォレスト大学リード・ドイル優秀教育賞^[12]
• 2013年国立科学財団キャリア賞^[13]
• 2013 ウェイクフォレスト大学イノベーション賞^[要出典]
• 2014年Journal of Materials Chemistry C Emerging Investigators号^[要出典]
• 2015年ウェイクフォレスト大学優秀研究賞^[14]
• 2017年クリニッチファミリーオミクロンデルタカッパ賞^[15]
• 2018年URECA研究・創造活動における優秀メンター賞^[16]
• 2020年度大学院生協会優秀教員賞^[17]
• 2024年アメリカ物理学会フェロー^[18]

• Jurchescu, Oana D.; Baas, Jacob; Palstra, Thomas TM (2004-04-19). 「単結晶ペンタセンの移動度に対する不純物の影響」.応用物理学レター. 84 (16): 3061–3063. arXiv : cond-mat/0404130 . Bibcode :2004ApPhL..84.3061J. doi :10.1063/1.1704874. ISSN  0003-6951. S2CID  118849296.
• DJ Gundlach、JE Royer、SK Park、他 (2008 年 2 月 17 日)。「高性能可溶性アセンベーストランジスタおよび回路の接触誘起結晶化」。Nature Materials。7 ( 3 ) : 216–221。doi : 10.1038/NMAT2122。ISSN 1476-1122。PMID  18278050。Wikidata  Q47910287  。
• Emily G Bittle、James I Basham、Thomas N Jackson、Oana D Jurchescu、David J Gundlach (2016 年 3 月 10 日)。「有機電界効果トランジスタのゲート接点による移動度の過大評価」。Nature Communications。7 : 10908。Bibcode : 2016NatCo ... 710908B。doi : 10.1038 / NCOMMS10908。ISSN 2041-1723。PMC  4792947。PMID 26961271。Wikidata  Q36690168  。 
• Oana D Jurchescu、Auke Meetsma、Thomas TM Palstra (2006 年 3 月15日)。「蒸気輸送法で成長したルブレン単結晶の低温構造」。Acta Crystallographica セクション B: 構造科学。62 (  Pt 2): 330–334。doi : 10.1107 /S0108768106003053。ISSN 0108-7681。PMID 16552167。Wikidata  Q82904721  。