ネイティブトランジスタ

電子 半導体デバイスの場合、ネイティブ トランジスタ(またはナチュラル トランジスタとも呼ばれる) は、エンハンスメント モードとデプレッション モードの中間に位置するMOS 電界効果トランジスタの一種です。最も一般的なのは、n チャネル ネイティブ トランジスタです。

歴史的に、ネイティブ トランジスタは、特別に成長した酸化物がなく、他の層の処理中にシリコン上に形成された自然な薄い酸化膜のみであるMOSFETと呼ばれていました。 ^{[引用が必要]}

ネイティブMOSFETは、しきい値電圧がほぼゼロのトランジスタです。ネイティブ n チャネル トランジスタは、低電圧オペアンプや低電圧デジタル メモリでニッチな用途があり、弱いプルダウンとして機能します。また、低電圧インターフェイス回路でも使用されます。ほとんどのCMOSプロセスでは、ネイティブ N チャネルMOSFET は、バルク領域を構成する「ネイティブ」なわずかにp ドープされたシリコン上に製造されますが、非ネイティブ N チャネル MOSFET は、正孔の存在が増加するため正電荷の濃度が高くなります。 [1] ネイティブ デバイスのチャネル内の正電荷の濃度が低いということは、これらの正電荷をはじき、ゲートの下に伝導チャネルを持つ空乏領域を形成するために必要なゲート端子の電圧が低くなることを意味します。^これは、ネイティブ デバイスのしきい値電圧が低くなることを意味します。

ネイティブ トランジスタの主な欠点は、追加のドーピング マスクによってサイズが大きくなることと、トランスコンダクタンスが低くなる場合があることです。ネイティブ シリコンは、ほとんどのMOSFETと同様に、n ウェルまたは p ウェルのシリコンよりも導電性が低いため、同等のコンダクタンスを実現するにはサイズを大きくする必要があります。ネイティブ N チャネルMOSFET (NMOS) ゲートの一般的な最小サイズは、標準のしきい値電圧トランジスタよりも 2 ～ 3 倍長く、幅も広くなります。ネイティブ トランジスタを含むチップのコストも、追加のドーピング操作のために増加します。

• ネイティブNMOS回路の例