狭ギャップ半導体

狭ギャップ半導体は、バンドギャップの大きさが 0.7 eV より小さい半導体材料であり、これは2.5 マイクロメートルを超える赤外線吸収カットオフ波長に相当します。より広い定義では、シリコン(1.1 eV) より小さいバンドギャップを持つすべての半導体が含まれます。^{[ 1 ] [ 2 ]}現代のテラヘルツ^{[ 3 ]} 、赤外線^{[ 4 ]}、サーモグラフィ^{[ 5 ]}技術はすべて、このクラスの半導体に基づいています。

^{狭ギャップ材料は、}赤外線検出器とサーモグラフィの領域で、衛星リモートセンシング^{[ 6 ]} 、電気通信用フォトニック集積回路[ ^{7 ] [ 8 ] [ 9 ]}、無人車両Li-Fiシステム^{[ 10 ]}を実現することを可能にした^{[ 11 ] [ 12 ]}。また、隠された武器の発見のためのセキュリティ監視^{[ 13 ] [ 14 ] [ 15 ]、}テラヘルツ断層撮影による安全な医療および産業用イメージング^{[ 16 ] [ 17 ] [ 18 ]}、誘電体ウェイクフィールド加速器^{[ 19 ] [ 20 ] [ 21 ]}を含むテラヘルツ技術の材料基盤でもある。さらに、狭ギャップ半導体を組み込んだ熱光起電力は、太陽光スペクトルの約49%を占める従来は無駄になっていた太陽エネルギーの部分を利用できる可能性がある。 ^{[ 22 ] [ 23 ]}宇宙船、深海機器、真空物理学装置では、極低温冷却を実現するために狭ギャップ半導体が使用されています。^{[ 24 ] [ 25 ]}

• 半導体材料一覧
• ワイドバンドギャップ半導体

• Dornhaus、R.、Nimtz、G.、Schlicht、B. (1983)。ナローギャップ半導体。 Springer Tracts in Modern Physics 98、ISBN 978-3-540-12091-9（印刷版）ISBN 978-3-540-39531-7（オンライン）
• Nimtz, Günter (1980). "狭ギャップ半導体における再結合". Physics Reports . 63 (5): 265–300 . Bibcode : 1980PhR....63..265N . doi : 10.1016/0370-1573(80)90113-1 . ISSN 0370-1573 .