ナローギャップ半導体

ナローギャップ半導体は、バンドギャップの大きさが0.7 eV未満である半導体材料であり、これは2.5ミクロンを超える赤外線吸収カットオフ波長に相当します。より広い定義では、シリコン（1.1 eV）よりも小さいバンドギャップを持つすべての半導体が含まれます。^{[1] [2]}現代のテラヘルツ、^[3] 赤外線、^[4]サーモグラフィ^[5]技術はすべて、このクラスの半導体に基づいています。

ナローギャップ材料により、赤外線検出器と赤外線視覚の領域で、衛星リモートセンシング^[6] 、通信用光子集積回路^{[7] [8] [9]}、無人車両Li-Fiシステム^[10]を実現することが可能になりました。^{[11] [12]}また、これらは、隠された武器発見のセキュリティ監視^{[13] [14] [15]}、テラヘルツトモグラフィーによる安全な医療および産業用イメージング^{[16] [17] [18] 、誘電体}航跡場加速器^{[19] [20] [21]}など、テラヘルツ技術の材料基盤でもあります。さらに、ナローギャップ半導体に組み込まれた熱光起電力素子は、太陽光スペクトルの約49%を占める、従来は無駄になっていた太陽エネルギーの一部を潜在的に利用できる可能性があります。^{[22] [23]宇宙船、深海機器、真空物理学のセットアップでは、}極低温冷却を実現するためにナローギャップ半導体を使用しています。^{[24] [25]}

• 半導体材料一覧
• ワイドバンドギャップ半導体

• Dornhaus、R.、Nimtz、G.、Schlicht、B. (1983)。ナローギャップ半導体。 Springer Tracts in Modern Physics 98、ISBN 978-3-540-12091-9 (印刷版) ISBN 978-3-540-39531-7 (オンライン)  
• Nimtz, Günter (1980). 「狭ギャップ半導体における再結合」.物理学レポート. 63 (5): 265– 300. Bibcode :1980PhR....63..265N. doi :10.1016/0370-1573(80)90113-1. ISSN  0370-1573.