ラン・ワン

ラン・ワン
ラン・ワン
国籍	オーストラリア
母校	浙江大学; シンガポール国立大学; ミネソタ大学
	科学者としてのキャリア
フィールド	材料科学
機関	RMIT大学

ラン・ワン教授は、材料合成と先進材料特性評価の専門家として知られる中国系オーストラリア人の材料科学者です。

2014年にオーストラリアのメルボルンにあるRMIT大学の物理学准教授に任命された。^[1]

キャリア

王氏は、中国の浙江大学で物理学の理学士号（1993年）と理論物理学の理学修士号（1997年）を取得し、シンガポールのシンガポール国立大学で物理学の博士号（2001年）、米国のミネソタ大学で材料科学の博士号（2006年）を取得しています。

彼は、中国のXinDa Communication Solution Inc、米国シカゴのRush Presbyterian St Luke's Medical Center、米国ミネソタ大学、シンガポールのNanyang Technological Universityで専門職を歴任しました。[ 1 ^]

2014年よりRMIT大学応用科学学部の准教授を務めています。

王氏はARC未来低エネルギーエレクトロニクス技術センターオブエクセレンス（FLEET）^[2]のテーマリーダーおよびノードリーダーであり、センターのナノデバイス製造研究テーマを主導するとともに、トポロジカル材料における高温量子異常ホールシステムの研究も行っています。

過去および現在の協力関係には、シンガポール国立大学（NUS）、香港大学（HKU）、サウサンプトン大学、中国科学院中国高磁場研究所が含まれます。

専門知識

ワン氏の研究は、トポロジカル凝縮系、スピントロニクス、磁性材料に重点を置いています。RMIT の同氏のチームは、単結晶、薄膜、ナノ構造を成長させ、新世代のスピントロニクスデバイス用の電子およびスピン輸送測定用のデバイスを製造しています。

低温・高磁場電子・スピン輸送
トポロジカル絶縁体
磁性材料
スピントロニクスおよび磁気電子デバイス
デバイス製造
単結晶の成長
薄膜とナノ構造。

材料の成長と特性評価に関しては、Wang は超高真空(UHV) システム、薄膜堆積、単結晶成長、ナノ構造成長の経験があります。デバイス製造に関しては、電子ビームとフォトリソグラフィーの経験があります。材料の電気的および磁気的特性評価に関しては、標準的な磁気測定、高磁場および低温での単結晶システムの量子振動の測定と分析、点接触分光法、ナノデバイスにおけるゲート調整電気輸送、および磁気電気結合効果の測定の経験があります。

出版物

王氏は100本以上の論文を発表しており、総引用数は2500を超え、H指数は26である^[3]。

主な出版物

ナノフレークファンデルワールスFe ₃ GeTe ₂の硬磁性特性（2018年、ネイチャーコミュニケーションの月間凝縮物質ハイライトに選出）^[4]
_{トポロジカル絶縁体BiSbTeSe 2}ナノデバイスにおける電気的に調整可能な面内異方性磁気抵抗（2015）^[5]
非磁化状態からのゼロ磁場冷却後の大きな交換バイアス（2011）^[6]
欠陥工学による希薄磁性半導体の強磁性：LiドープZnO（2010）^[7]
_{Ca 3} Co ₄ -xMxO9(M = Fe, Mn, Cu)における強い相関特性と強化された熱電応答(2010) ^[8]
AAOテンプレートへの電気堆積とその後の酸化から得られたZnOナノワイヤの強磁性（2008）^[9]

資格と国際ジャーナルの役割

Scientific Reports編集委員
Nature Communications、Advanced Materials、Nano Letters、Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics、IEEE Transactions on Magnetics、AIP advances、Scientific Reports、Physical Review Bの査読者
2006年米国ミネソタ大学にて材料科学の博士号取得
2001年シンガポール国立大学にて物理学博士号取得
1997年浙江大学理論物理学修士号取得（中国）
1993年中国浙江大学物理学科卒業（浙江大学最高栄誉賞である朱克珍奨学金）

参考文献

^ ab 「准教授ラン・ワン - RMIT大学」www.rmit.edu.au 。 2018年7月30日閲覧。
^ 「FLEET チーム - ARC 未来の低エネルギー電子技術における卓越センター」www.fleet.org.au 。2018年7 月 30 日閲覧。
^ 「Scopusプレビュー - Scopus - 著者詳細（Wang, Lan）」www.scopus.com 。 2018年7月30日閲覧。
^ タン、チェン;イ・ジンファン。チョン・スンギル。ツーソン、パーク。アルバラカティ、スルタン。ヤマウズラ、ジェームズ。フィールド、マシュー R.マカロック、ドゥーガル G.王、蘭。 Lee、Changgu (2018 年 4 月 19 日) 「ファンデルワールスナノフレークFe3GeTe2の硬磁性」。ネイチャーコミュニケーションズ。9 (1): 1554.土井:10.1038/s41467-018-04018-w。PMC 5908800。PMID 29674662。
^ Sulaev, Azat; Zeng, Minggang; Shen, Shun-Qing; Cho, Soon Khuen; Zhu, Wei Guang; Feng, Yuan Ping; Eremeev, Sergey V.; Kawazoe, Yoshiyuki; Shen, Lei; Wang, Lan (2015 年 2 月 11 日)。「トポロジカル絶縁体 BiSbTeSe2 ナノデバイスにおける電気的に調整可能な面内異方性磁気抵抗」。Nano Letters。15 ( 3 ) : 2061–2066。doi :10.1021/nl504956s。PMID 25665017 。
^ Wang, BM; Liu, Y.; Ren, P.; Xia, B.; Ruan, KB; Yi, JB; Ding, J.; Li, XG; Wang, L. (2011 年 2 月 17 日). 「非磁化状態からのゼロ磁場冷却後の大きな交換バイアス」. Physical Review Letters . 106 (7): 077203. arXiv : 1101.4737 . doi :10.1103/PhysRevLett.106.077203. PMID 21405539. S2CID 36603253.
^ Yi, JB; Lim, CC; Xing, GZ; Fan, HM; Van, LH; Huang, SL; Yang, KS; Huang, XL; Qin, XB; Wang, BY; Wu, T.; Wang, L.; Zhang, HT; Gao, XY; Liu, T.; Wee, ATS; Feng, YP; Ding, J. (2010 年 4 月 2 日)。「欠陥エンジニアリングによる希薄磁性半導体の強磁性: Li ドープ ZnO」。Physical Review Letters。104 ( 13 ) : 137201。doi :10.1103/PhysRevLett.104.137201。PMID 20481907。S2CID 8480768 。
^ Wang, Yang; Sui, Yu; Ren, Peng; Wang, Lan; Wang, Xianjie; Su, Wenhui; Fan, Hongjin (2010 年 2 月 9 日). 「Ca3Co4−xMxO9(M = Fe, Mn, Cu) における強く相関した特性と強化された熱電応答」.材料化学. 22 (3): 1155–1163. doi :10.1021/cm902483a.
^ Yi, JB; Pan, H.; Lin, JY; Ding, J.; Feng, YP; Thongmee, S.; Liu, T.; Gong, H.; Wang, L. (2008 年 3 月 18 日)。「AAO テンプレートへの電気堆積とその後の酸化から得られた ZnO ナノワイヤの強磁性」。Advanced Materials。20 ( 6 ): 1170–1174。doi : 10.1002 /adma.200702387。S2CID 96947036 。

[rmit.edu.au-1] 「准教授ラン・ワン - RMIT大学」www.rmit.edu.au 。 2018年7月30日閲覧。

[2] 「FLEET チーム - ARC 未来の低エネルギー電子技術における卓越センター」www.fleet.org.au 。2018年7 月 30 日閲覧。

[3] 「Scopusプレビュー - Scopus - 著者詳細（Wang, Lan）」www.scopus.com 。 2018年7月30日閲覧。

[4] タン、チェン;イ・ジンファン。チョン・スンギル。ツーソン、パーク。アルバラカティ、スルタン。ヤマウズラ、ジェームズ。フィールド、マシュー R.マカロック、ドゥーガル G.王、蘭。 Lee、Changgu (2018 年 4 月 19 日) 「ファンデルワールスナノフレークFe3GeTe2の硬磁性」。ネイチャーコミュニケーションズ。9 (1): 1554.土井:10.1038/s41467-018-04018-w。PMC 5908800。PMID 29674662。

[5] Sulaev, Azat; Zeng, Minggang; Shen, Shun-Qing; Cho, Soon Khuen; Zhu, Wei Guang; Feng, Yuan Ping; Eremeev, Sergey V.; Kawazoe, Yoshiyuki; Shen, Lei; Wang, Lan (2015 年 2 月 11 日)。「トポロジカル絶縁体 BiSbTeSe2 ナノデバイスにおける電気的に調整可能な面内異方性磁気抵抗」。Nano Letters。15 ( 3 ) : 2061–2066。doi :10.1021/nl504956s。PMID 25665017 。

[6] Wang, BM; Liu, Y.; Ren, P.; Xia, B.; Ruan, KB; Yi, JB; Ding, J.; Li, XG; Wang, L. (2011 年 2 月 17 日). 「非磁化状態からのゼロ磁場冷却後の大きな交換バイアス」. Physical Review Letters . 106 (7): 077203. arXiv : 1101.4737 . doi :10.1103/PhysRevLett.106.077203. PMID 21405539. S2CID 36603253.

[7] Yi, JB; Lim, CC; Xing, GZ; Fan, HM; Van, LH; Huang, SL; Yang, KS; Huang, XL; Qin, XB; Wang, BY; Wu, T.; Wang, L.; Zhang, HT; Gao, XY; Liu, T.; Wee, ATS; Feng, YP; Ding, J. (2010 年 4 月 2 日)。「欠陥エンジニアリングによる希薄磁性半導体の強磁性: Li ドープ ZnO」。Physical Review Letters。104 ( 13 ) : 137201。doi :10.1103/PhysRevLett.104.137201。PMID 20481907。S2CID 8480768 。

[8] Wang, Yang; Sui, Yu; Ren, Peng; Wang, Lan; Wang, Xianjie; Su, Wenhui; Fan, Hongjin (2010 年 2 月 9 日). 「Ca3Co4−xMxO9(M = Fe, Mn, Cu) における強く相関した特性と強化された熱電応答」.材料化学. 22 (3): 1155–1163. doi :10.1021/cm902483a.

[9] Yi, JB; Pan, H.; Lin, JY; Ding, J.; Feng, YP; Thongmee, S.; Liu, T.; Gong, H.; Wang, L. (2008 年 3 月 18 日)。「AAO テンプレートへの電気堆積とその後の酸化から得られた ZnO ナノワイヤの強磁性」。Advanced Materials。20 ( 6 ): 1170–1174。doi : 10.1002 /adma.200702387。S2CID 96947036 。