ジェームズ・W・メイヤー

ジェームズ・ウォルター・メイヤー（1930年4月24日 - 2013年6月14日^{[1] [2]}）は、イオン-固体相互作用の分野で活躍した応用物理学者でした。彼の業績は、固体粒子検出器の開発、材料のイオンビーム分析の分野、半導体へのイオン注入の応用において重要な役割を果たしました。

メイヤーは1930年4月24日シカゴで生まれた。1952年に機械工学の理学士号を取得するためパデュー大学に進学した。 ^[3]彼は固体物理学者ベン・R・ゴシックの下で働くためパデュー大学の物理学の大学院課程に入学した。その後間もなくゴシックがパデュー大学を去ることを決めたため、メイヤーは研究指導教員を変更する必要があった。ゴシックの退職後、カール・ラーク＝ホロヴィッツがメイヤーの新しい指導教員となった。メイヤーが論文を完成させる前に、ラーク＝ホロヴィッツが1958年に死去した後、学科長のヒューバート・M・ジェームズがメイヤーの3人目の論文指導教員となった。メイヤーは1960年に博士号を取得した。^[4]

彼はパデュー大学で物理学の博士号を取得し、ヒューズ研究所で働いた後、1967年にカリフォルニア工科大学に電気工学教授として移りました。 1980年にコーネル大学に材料科学および工学の教授として移り、1989年にマイクロサイエンスおよびテクノロジープログラムのディレクターになりました。 1992年にアリゾナ州立大学に移り、固体科学センターのディレクターを務めた後、理事教授（1994年）、PVガルビン科学および工学教授（1997年）に任命されました。^[5]

1950 年代には、半導体のpn 接合が電圧パルスを生成してアルファ粒子に反応することが知られていました。しかし、当時、高エネルギー粒子のエネルギー スペクトルを決定する一般的な方法は、非常に大きくて扱いにくい磁気分光計と電離箱を使用することでした。1950 年代半ばから後半のこの時期に、ジェームズ マイヤーは、粒子の影響を検出するだけでなく、粒子のエネルギーを測定する最初の半導体広域分光計を実証しました。マイヤーの発見は、荷電粒子(およびX 線)による Si と Ge の電離を小型のコンパクトな装置で使用して、生成された電子と正孔を収集し、それによって入射粒子のエネルギーを測定できることでした。

マイヤーが最初に開発した表面障壁粒子検出器の概念は、数多くの研究分野の急速な発展の礎となりました。表面障壁粒子検出器は小型でコンパクトであったため、当時使用されていた磁気分光計や電離箱などの扱いにくい検出器の多くにすぐに取って代わり、低エネルギー原子核構造物理学にほぼ一夜にして革命をもたらしました。これらの半導体分光計は、X線蛍光や、ラザフォード後方散乱、イオンチャネリング、アルファ粒子源に基づくX線分光法などの材料のイオンビーム分析など、今日広く使用されている多くの最新の材料分析技術の実用的な開発につながりました。

マイヤーは、イオンビーム分析（ラザフォード後方散乱分光法または RBS と呼ばれることが多い）という新興分​​野への粒子検出器の応用と、この分野を主要な分析ツールに発展させる上で重要な役割を果たしました。彼は、薄膜反応と速度論（特に金属シリサイド）、半導体の固相再生、準安定合金の形成のためのイオンビーム混合、半導体への注入無秩序と不純物の位置、および薄い誘電体フィルムの研究など、1970 年代と 80 年代の薄膜科学の進歩の多くを定義しました。

1965年頃からシリコンへのイオン注入に対する産業界の関心が急速に高まる中、メイヤーと彼の同僚はイオンチャネリングを利用してシリコンへのドーパントイオン注入中の欠陥生成、この損傷の回復、およびその後のアニール中のドーパントの活性化を理解し、イオン注入を集積回路の製造に実用的なツールにしました。1967年、彼はアカデミックプレスに選ばれ、半導体へのイオン注入に関する最初のモノグラフを執筆し、1970年までにイオン注入は初めて集積回路の商業生産に使用され始めました。

彼の研究は 750 本以上の論文と 12 冊の本にまとめられ、17,000 回以上引用されています (ISI は彼を 1965 年から 1978 年の間に最も引用された 1,000 人の現代科学者の 1 人に挙げています)。彼はカリフォルニア工科大学、コーネル大学、アリゾナ州立大学での学業期間中に 40 人の博士課程の学生と多数のポスドク研究員を指導しました。

彼は1972年にアメリカ物理学会のフェローに選出された。 ^[6]

マイヤーは1981年に材料研究協会からフォン・ヒッペル賞を受賞した。^[7]

彼は1984年に米国工学アカデミーの材料部門に選出された。^[8]